AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.08.2015 Откуда: Москва Фото: 42
icebeltik писал(а):
как раз упрется в 1.4v на его мп
у меня тоже самое ,просто память надо было брать на самсунгах а на последнем биос вообще запускает отлично
_________________ Ryzen 7 5800x(4.7Ггц) ASUS PRIME X470-PRO PVS 3800Мгц(15-14-14-28-1Т) Red Devil 6600 XT 2800/2150 Cooler Master Silent Pro M2 RSA00-SPM2D3-EU
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
xyligano писал(а):
это элементарно правится руками я выше писал как это сделать
Тот совет про блок RTL? Если да то я еще не добрался пока.
xyligano писал(а):
wtr_s не сильно пережат? что говорит аида? экстрим проходит?
Почему то не хочет в WTRL=6, WTRS=4. Может вернуть WTRL, WTRS в авто, а то путаница?) Самое интересное (выше выкладывал скрин), что когда WRRDsg=26, то стало WTRL=6 (даже RTL, как я понял стал идеальный, как по формуле, т.е. 67 57 67 58). Значит получается, что MSI ставит 4, а не 6. Тогда правильно WRRDsg=26, то WTRL=6?
Ребят всем привет,собственно нужна помощь! У меня есть память вот такая https://www.kingston.com/dataSheets/HX426C15SBK2_32.pdf сейчас работает на частоте 2800 с уменьшенными таимингами,при повышении частоты почему то в тесте аида скорость не повышается,а уменьшается при тех же таймингах. Процессор ryzen 1600x вот скрин моей оперативы на частоте 2800
На работе стоит 2 компа На одном из компов стоит проц 5820к,плашки тоже savage но по 8 гб и при работе на более низкой частоте и более высоких таймингах,память быстрее
Теперь собственно вопросы. 1.Почему память при увеличении частоты работает медленнее на тех же таимингах 2.Почему на работе работает быстрее и кроме того скорость задержки у меня тоже больше,хотя память вроде не дешёвая,а если же сравнивать с тем же балистикс спорт где таиминги выше и память дешевле,моя медленнее Дорогие форумчане в этой теме не силён подскажите,может я в чём то туплю и не понимаю
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.08.2018 Фото: 6
fassic2 писал(а):
при тех же таймингах.
А они точно те же? 16-15-15-35 это не все тайминги, смотри по RTC. Выключи BGS и powerdown mode. На твоих компах с работы задержки ниже, потому что там а) 5820к б) р5 2600 Как ни странно, но разница между зен и зен+ есть.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
xyligano
xyligano писал(а):
wtr_s не сильно пережат? что говорит аида? экстрим проходит?
Экстрим проходит без ошибок, но смущает, что в биосе WTRL=6, WTR=4, а у асрока WTRL=5, WTR=3, может также и вбить 5 и 3 вручную? Разница между, когда WTRL/S = авто, минимальна, может вернуть, как было ранее в авто или норм для стабильности?
xyligano писал(а):
это элементарно правится руками я выше писал как это сделать
Заодно выставил в обоих вариантах этот блок, вроде правильно.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.04.2012 Откуда: Москва Фото: 59
Комрады, что посоветуете еще крутануть? Тм5 с конфигом anta777 проходит. Обязательно tWR вверх крутить до 16? Нужно ли на апексе 11 для отсутствующих слотов значения равные 0 ставить?
_________________ Сорян за опечатки, пишу с телефона, буковки сливаются.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
Вобщем, остановился на варианте с WTRL/S = авто, не смог в правильное отображение их (6,4) в асроке) Рабочий ли данный вариант, ошибок вроде нет? Хотелось бы уточнить несколько моментов: 1. Какой вольтаж ставить CPU SA Voltage и CPU IO Voltage? Плата, имхо, завышает их в авто, тут рекомендовали в 1.250 и 1.220 соответственно. Собсно вопрос, а можно ли при такой частоте их еще понизить, в 1.200 и 1.150в (табличку вольтажа где-то в ветке наблюдал)? 2. В таком варианте настройки памяти, уже оставлять, напостоянку, тренировку в enable (выключенной), а Round Trip Latency Optimize = Enabled? 3. tRFC можно ли искать еще ниже, а tREFI выше или производительности уже не апнуть при таких настройках? Ну и собcно, выражаю благодарность anta777 и xyligano в советах и рекомендациях по настройке.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
А если WRRDsg=26, то разве WTRL не становится 6 ? Вольтаж чем ниже, тем лучше. Про поиск минимального tRFC я уже раньше писал - находите минимальный tRFC, при котором еще проходит без ошибок лайт-конфиг и накидываете к этому значению 10%, округляете вверх до ближайшего кратного 8, на этом значении останавливаетесь. tREFI можно поднять и до 64000, если память хорошо охлаждается.
Хотя оптимальное tREFI для вашей частоты памяти - 56160.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
anta777 писал(а):
А если WRRDsg=26, то разве WTRL не становится 6 ?
Вручную именно так, но вы говорили ранее, что должно быть 28, поэтому я и застопорился в этом моменте, где должно быть правильно. А так да, WRRDsg=26, то WTRL=6 - вариант работает, ошибок нет. Ставить так?
anta777 писал(а):
tREFI можно поднять и до 64000, если память хорошо охлаждается.
Стоят заводские радиаторы на планках, о степени полезности не знаю, плюс 3 вдувных кулера (один, верхний пытается обдувать плашки, если конечно не нарушен правильный обдув корпуса, есть мнение, что как-раз таки верхний нужно снять).
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Конечно, я случайно попутал знчение CL и CWL у вашей памяти, поэтому получил 28, а не 26. Вам уже удалось очень круто настроить свою память-добились WPRE=1 и RPRE=1 !
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
anta777 Да ничего, тогда поменяю. Вроде должен остаться пресет, настроенный в 26 и 6.
anta777 писал(а):
Вам уже удалось очень круто настроить свою память-добились WPRE=1 и RPRE=1 !
Благодарю, да ошибок нет, правда ранее, ругался Memtest86 "Ram may be vulnerable to high frequency row hammer bit flips" (единственный момент) в Hammer тесте, но ошибкой не посчитал, 0 errors. Я так понял память попалась средняя, читал, что у кого то и на 3800 работало после тюннинга (эти баллистиксы).
Сейчас этот форум просматривают: Kenz, rex33 и гости: 23
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения