AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.01.2005 Фото: 0
Anem в шапке есть пара таблиц с формулами и советами, которые помогут заработать и cas 15 и gdm off и прочие тайминги привести в норму. cas 14 требует подъёма напруги относительно cas 15,16, gdm off тоже требуется напруги побольше относительно gdm on.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.09.2013 Откуда: Кузнецк Фото: 71
фух, наконец то взял 4000, очень рад. т.к до этого на авто таймингах не хотела мамка стартовать, она почему то в авто выставляла одни и те же вторички и третички для разных частот. первая проба пера можно сказать. пусть даже 4000 не получится оставить на постоянку, но главное что могёт а я уже расстроился что выше 3900 не рыпнуться. вот что я имею, тестмем не покажу, смеяться будете
тык
скажите что за значения последние 3 строчки в биосе. просто зафиксировал то что там стояло изначально. последнюю строчку не трогал, так как биос предупреждал об опастности.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.09.2019 Фото: 17
gungstar писал(а):
Anem в шапке есть пара таблиц с формулами и советами, которые помогут заработать и cas 15 и gdm off и прочие тайминги привести в норму. cas 14 требует подъёма напруги относительно cas 15,16, gdm off тоже требуется напруги побольше относительно gdm on.
Я изучал изучал таблицу и видимо что-то в ней пропустил, следовал совету из таблиц...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.09.2019 Фото: 17
Victor91rus писал(а):
У тебя tcl 15 с tcwl16 конечно не загрузятся никогда
Geardown->OFF, ставлю тайминги, задираю напругу до 1,46 на память и на выходе имею вентиляторы крутятся на полную и нет загрузки системы даже до биоса.
Купил качественную память на Samsung B-die (HX436C17PB3K2/16), "свежую" материнку MSI B450 Gaming Plus Max, обновил на последний биос (7B86vH2), проц Ryzen 2600. Специально запарился с выбором ОЗУ, так как этот райзен проклятый требует самую качественную. Пробовал несколько десятков раз разные конфиги из DRAM Calculator для частот 3200-3466 и результат всегда один - 3 долгих сигнала на спикере и сброс БИОС! Самые качественные чипы памяти не запускают даже винду при "безопасном" разгоне в DRAM Calculator. Я везунчик.
В чем может быть проблема? Поделитесь своими конфигами разгона сансунгов Би-дай?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.09.2013 Откуда: Кузнецк Фото: 71
miwa писал(а):
у тебя примерно должно быть так
ну эт совсем жирно. у меня же еще не настроено как следует, проц же тоже влияет на тест ? поэтому и спрашиваю, может что криво у меня выставлено или вообще все. ну и про биос, но это лучше у владельцев таких же плат спросить.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.05.2018 Фото: 8
Приветствую всех! После применения таблицы (anta777 огромное спасибо!), упорного тыкания и чтения форума пришел вот к такому результату, что еще можно улучшить? Над какими таймингами поработать?
Ken9999999 у меня такаже память как у вас. Вчера весь день пытался разогнать память и получилось похоже как у вас плюс взял несколько значений из ваших скришшотов. Сейчас отличия только Trtp 8 уcвас 10, TrdrdScl и TwrwrScl =4 у вас 5 и Trfc =480. Хотелось бы узнать какое у вас значение Tcwl и какие результаты у вас в MeMbench из калькулятора и как у вас вдет себя напряжение напамать. У меня при выставленном напряжении 1.45 фактическое напряжение 1.46 и пригает до 1.482. Пробывал менять llc и менять по очереди каждый параметр, ставил настройки из power supply system калькулятора. Нет вообще никакой рекции на изменения. Напрягают такие скачки на память.
Добрый вечер! Я полностью повторил Ваши настройки, но также решил понизить Row Cycle Time до 33, а напряжение оставил 1.42V. TCWL 16. Система завелась и с этими настройками я прошел Membench и Aida. Результаты ниже. Как видите скачки напряжения ОЗУ доходят до 1.44V. Если вы выставили 1.45, советую сбросить до 1,42 и пройти диагностику ОЗУ. Также есть подозрения, что такое завышение напряжений может быть результатом работы самой материнской платы. Так, например, на моей msi включен Gaming Boost, который держит буст на все ядра 4250, и скорее всего добавляет напруги на остальные цепи питания.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
78963214 писал(а):
Приветствую всех! После применения таблицы (anta777 огромное спасибо!), упорного тыкания и чтения форума пришел вот к такому результату, что еще можно улучшить? Над какими таймингами поработать?
tRAS=36 или 38. RDWRsg/dg не снижаются ? Надо проверить 13 и 12. WTRL может можно снизить до 7 или 6.
А tRFC я бы поднял до 304.
Дальше уже играться с dram clk period, если есть в биосе. Планки пробовали менять местами? Может быть удастся добиться одинаковых RTL=62, а не 62 и 64 как сейчас?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.05.2018 Фото: 8
anta777 писал(а):
tRAS=36 или 38. RDWRsg/dg не снижаются ? Надо проверить 13 и 12. WTRL может можно снизить до 7 или 6.
А tRFC я бы поднял до 304.
Дальше уже играться с dram clk period, если есть в биосе. Планки пробовали менять местами? Может быть удастся добиться одинаковых RTL=62, а не 62 и 64 как сейчас?
tRAS=28, до этого ставил 36, что так что так стабильно RDWRsg/dg ни в какую не хотят снижаться( Насчет WTRL спасибо, попробую tRFC не стартует с около 280, выставил вроде как с запасом dram clk period есть, поставил 13, ниже ошибки вылетают Планки проверял, требующая большего напряжения стоит ближе к процессору, если сейчас поменять, то система не стартует Получалось добиться RTL 62/64 с IO-L 6/7 при tRAS=36, лучше вернуть с 28 на 36? Можно ли подкрутить частоту шиной, для лучших показателей без перенастройки таймингов? При этом придется увеличить tRFC?
Сейчас этот форум просматривают: PaulERm, Web Tom и гости: 22
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения