AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Зависит от контроллера памяти процессора. За 4400 идти не стоит, так как плата начинает увеличивать внутренние задержки, которые мы не можем изменить в биосе, вернув их на прежние значения. 51 градус на памяти у вас в тайфуне - это после тестов?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
qwikx писал(а):
хотелось бы как на коробке, запустить 4600
Запутить даже запустите 4600, а толку ? Маневров для разворотов не будет(кручение первичек), врят ли у вас комплект 4600ый заработает 17-18-18 на 4400, как легко работает комплект 4800ый при питание на ОЗУ 1.440.
Запутить даже запустите 4600, а толку ? Маневров для разворотов не будет(кручение первичек), врят ли у вас комплект 4600ый заработает 17-18-18 на 4400, как легко работает комплект 4800ый при питание на ОЗУ 1.440.
вообще теперь не верю в озу комплекты, типа 4800 куплю и она стартанет без проблем? очень сомневаюсь... без танцев с бубном здесь не обойтись, нужен гений, который даст конфиг. плюс везение в чипе и тд...что играет не малую роль, как я понял)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.05.2018 Фото: 8
anta777 А есть ли какая-либо зависимость между номером теста в ТМ5, где произошла ошибка, и таймингами/напряжениями, которые ее могли вызвать? Т.е, к примеру, куда копать при ошибках в тесте 2, 12?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.05.2018 Фото: 8
И ещё вопрос, почему при "холодном" старте ошибки находятся как правило быстрее, чем при простой перезагрузке (может ошибаюсь, но опытным путем пришел к этому выводу)
Добавлено спустя 1 минуту 58 секунд:
anta777 писал(а):
Тест 2 - контроллер памяти. Тест 12 - сама память.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
anta777 писал(а):
Тест 2 - контроллер памяти. Тест 12 - сама память.
Гуру, а есть по всем номерам тестов такая зависимость? А то пару раз ловил 1 ошибку за весь тест и приходилось откатываться, а так бы сразу понял в чем дело.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
MirrorMovie и MirrorMovie128 - тестируют больше контроллер, SimpleTest в зависимости от настроек тестирует разные части модулей памяти (сами ячейки - тесты с параметром 256 или буфер ввода-вывода). Тайминги для самих ячеек - это только tRCD,tRP,tRAS,tRC.
Друзья, добрый день. Подскажите, пожалуйста советом. Имеется 9900k и z390 Apex XI и память CMW32GX4M2C3000C15 (Hynix Cdie). Биос и МЕ, дрова всё свежее. Проблема заключается в следующем: Вылезают ошибки в HCI MemTest, Memtest86, в играх это иногда проявляется в виде микростаттерах (оч редко, но заметно). С XMP(3000) и без XMP (2133) и с полностью ручными таймингами(3000), с полностью не разогнанным железом - всё по дефолту в биосе. Про разгон даже не думал (на 3200 TM5 с экстрим пресетом показывают ошибку через 8мин), хотя надеялся, возможно ошибочно, что Apex поможет в этом плане. Сейчас проверил только одну планку - тоже ошибки, вечером попробую другую. Скажите, пожалуйста, в каком направлении стоит двигаться? Может память бракованная или с матерью проблемы?
P.S. С Аиды и Тайфуна скрины сделаю вечером, прошу прощения.
Приложил все необходимые скрины. Всё в стоке. В таком конфиге HCI Memtest выдаёт ошибки где-то через час. На частоте 2133, это возможно вообще? Или это автомат так шалит? Например: Memory error found copying between 0xd9b8ca98, 0x3825c704, difference =40000 Memory error found copying between 0xe320d458, 0x4ce9cfcc, difference =400000 Memory error detected between 0xf9343f78, 0x5feb3f78 difference = 40000000
Добрый день! Есть в арсенале Msi z370 gaming pro carbon + i7 8086k( 8700k) -разогнан до 5000mhz. Купил память patriot ddr4 16gb 2x8gb 4400mhz pc-35200 viper( 2 планки по 8 гигов, стоят в дуал режиме). С горем запустил память на 4000mhz на вольтаже 1.400 Есть проблема, а именно параметры vccio и vccsa они же-(CPU SA Voltage и CPU IO voltage) в режиме авто, слишком завышает напряжение.
Вопрос, какое должно быть безопасное напряжение для данных параметров vccio и vccsa при разогнанной памяти 4000Mhz?
Парадокс, когда физически пытаюсь ограничить напряжение на 1.200 и 1.250- материнка красит эти показатели в красный цвет- что означает негативный момент. НО если выставить в авто режим, то мать задирает их: vccio-1.384, vccsa - 1.432 Если выставляю их в безопасный режим по мнению материнской платы: 1.150 и 1.200. Система не заводится. БИОС обновил до самой последней версии. Помогите пожалуйста советом.
Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot], Vershki и гости: 14
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения