AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.06.2010 Откуда: Астрахань Фото: 6
MarkLevinson писал(а):
Чем обусловлен выбор биоса V4.00? Есть серьезные отличия от v1.8?
на 4.0 быстрее возвращает в биос после ошибки.
MarkLevinson писал(а):
в АИДЕ сильно падают скорости чтения и записи, латентность улучшается на 0,5нс
смотри по бенчу винрар в режиме высокого приоритета и аида фотоворкс, это быстрый и лёгкий способ проверки эффективности памяти на разных настройках
MarkLevinson писал(а):
Частоту в 4500 на Extreme 4 удавалось брать?
у меня получается брать 4535 и даже проходить лёгкие бенчи типа встроенного в райзен калькулятор, но в играх вылеты. Если есть вентилятор, то ставь 1,5+В на память и обдувай её. Есть вероятность взять 4200 сл17, это быстрее в играх и архиваторах, чем 4400 сл19
_________________ Когда нет желания что-то делать, отложи на потом.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.09.2012 Откуда: Екатеринбург
Здравствуйте, прошу подсказать. Имеется память 2х8 Гб 3000 МГц 16-18-18-18-36 и 1,35v (заводской xmp-профиль). Поднял частоту до 3200. В итоге пару раз пк уходил в ребут. После этого поменял тайминги на 18-18-18-18-38 и вылетов больше не было. Вопрос в том, будет ли память быстрее во втором случае? С учетом более высоких таймингов.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.12.2016 Откуда: ingolstadt Фото: 10
Romueldo А мамка какую напругу на память выставила? 1,344 или 1,360. Если 1,344 то поставь руками 1,360. 1,35 выставляет хмр профиль но такой напруги нет. Там шаг 0,016 но лучше подними хотябы до 1,4v и попробуй на 3400 16-16-16-36
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.09.2012 Откуда: Екатеринбург
augustiner У меня Ryzen 5 1600 на B350, я читал что он вроде как не переваривает озу больше 3200 и что с ним 3400 будет работать как 3200. Это действительно так?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.03.2018 Фото: 4
Romueldo ;это обсуждения времен первой агесы и тогда был ограниченный выбор частоты памяти в биосе по поводу что быстрее, то нужен скрин тайфуна, ртс и то можно будет примерно сравнить.
_________________ Ryzen1600x smt off //asus-rog b350-f//1080ti jetstream 1900/11400/1v// FlareX3200-GFX @3067cl12 //QuickFire TK RED
Последний раз редактировалось icebeltik 21.09.2019 19:59, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.10.2013 Откуда: Санкт-Петербург Фото: 9
Домучал вроде 4400CL18.18.18.38. Напряжение на память нужно такое же как и на 4000CL16, но этот спек явно получше. Для 4300CL17 почему-то напряжение нужно выше, хотя по скорости спорно на самом деле. Rtl/iol у меня так и не тренятся поэтому оставил в авто, мать пока что всегда их держит на 7/6, что пока что устраивает.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.10.2013 Откуда: Санкт-Петербург Фото: 9
anta777 на CL17 проблемы с vRam. CL18 запускает винду с 1.38v, стабильно на 1.41v, докинул до 1.42v для уверенности. СL17 (даже 4300) запускает винду только с 1.42v, стабильность под вопросом, когда настраивал в первый раз (со всеми вторичками) 4300CL17 прошли экстрим на 1.42v, но после попыток с другими частотами и таймингами быстро "вернуться" на тот спек с 4300CL17 1.42v уже не смог и при 1.42v было не стабильно. Да лэтенси чуть лучше на CL17 но очень не хочется оставлять в итоге на постоянку 1.45v (это в биосе, в хвинфо же уже 1.5v показывает) потому что у меня все таки mitx формат и хорошего обдува точно не будет.
rdrddg поправлю, а wrwr_dg таким не страдает и оставить на 4? UP: винда не стартует с rdrd_dg 5
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
А реально, если работает 4, то большие значения должны работать еще легче. Вывод - непонятно , какое реально применяет значение материнская плата. Так можно проверять все значения- если при увеличении все работает, то материнка реально применяет заданное, а если при увеличении не работает, то реально применяются значения, которые ведомы только биосописателям.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.10.2013 Откуда: Санкт-Петербург Фото: 9
anta777 скорее всего так и есть. Не подскажите какие напряжения в каких диапазонах можно крутить ещё? (Связанные с памятью) У меня тут судя по всему 4500 с таймингами от 4400 решили заработать, уже почти лайт конфиг прошли 1.48vRam по хвинфо
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
После 4425 материнка начинает увеличивать внутренние задержки, которые мы не можем изменить в биосе. Оптимально настраивать на : 1) tCL<=17 2) или до 3833, или до 4425.
Есть правило для напряжений: 1) DRAM <=1.500 V 2) SA= DRAM-0.100 V 3) IO = SA- 0.050 V
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.10.2013 Откуда: Санкт-Петербург Фото: 9
anta777 Понял, щас буду тогда пытаться каким-то чудом завести 17/18/36 на 4400. vRam не стесняюсь поставить до 1.45v, дальше не хочется. (из-за соображений теплоотвода и только, как я понял люди и с 1.6v живут годами и бед не знают, но с охлаждением конечно же) Sa при первом поиске всегда ставлю 1.3v , обычно больше не нужно. Io 1.25v в таком сценарии. После первой проверки обычно работает даже на 1.2 io 1.25 sa. По поводу напряжений я имел ввиду всякие vdimm/ dramm vpp и т.п.
up: 4400Cl17/18/38 сыпет ошибками сразу в лайт конфиге тест4, думаю тут без шансов
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Контроллеру памяти процессора плохо, если разница между напряжением на память и на IO больше 150 мВ. Есть платы, которые любят только четный tCL. Про другие напряжения - скиньте скриншот из биоса , чтобы я понял, какие именно. Для частот 4400 я IO меньше 1.300 В видел только считанное количество раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.10.2013 Откуда: Санкт-Петербург Фото: 9
anta777 у меня такого нет, хвинфо врет про мой SA, там всегда на 0.05 выше чем io. Сбил все вторички, пока крутится 4400Cl17/18, надеюсь смогу как-нибудь настроить по человечески.
Up: скрин -> https://imgur.com/txOitwZ Поднял io до 1.3 и sa до 1.35, может помогут с 17/18. Но даже на том проходе 4400Cl18 экстрим прошел с IO 1.2v в биосе
Я так понимаю LinX очень неплохо и быстро выявляет явный недостаток io/sa/vRam и сыпет невязками. Я в нём изначально проверяю и только потом уже экстрим включаю.
Сейчас этот форум просматривают: Web Tom и гости: 12
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения