С максимальной скоростью и низкими задержками, то берем память с чипами Samsung B-die. Ценник 10-12 тыс. рублей за 2x8 Gb и 20-22 тыс. рублей за 2x16 Gb.

B-die 2x8 Gb
Берем любые G.SKILL Trident Z с профилем XMP 3200 14-14-14-34 (маркировка F4-3200C14D-16GT) или XMP 3600 16-16-16-36 (маркировка F4-3600C16D-16GT). Буквы после GT означаю цвет радиаторов, например:
F4-3200C14D-16GTZ
F4-3200C14D-16GTZSK
F4-3200C14D-16GTZSW
F4-3200C14D-16GTZKW
F4-3200C14D-16GTZR
F4-3200C14D-16GTZRX
F4-3600C16D-16GTZ
F4-3600C16D-16GTZR
F4-3600C16D-16GTZKW
F4-3600C14D-16GTRSA
F4-3600C14D-16GTEGA
F4-3600C14D-16GTESA
Если в конце маркировки стоит буква "C", то модули будут с таймингами 16-19-19-39 - покупать их не следует (например F4-3600C16D-16GTZRC).
B-die 2x16 Gb
Берем любые G.SKILL Trident Z с профилем XMP 3200 14-14-14-34 (маркировка F4-3200C14D-32GT), XMP 3600 16-16-16-36 (маркировка F4-3600C16D-32GT), XMP 3600 14-15-15-35 (маркировка F4-3600C14D-32GT) и XMP 3600 14-14-14-34 F4-3600C14D-32GT__A. Буквы после GT означаю цвет радиаторов, например:
F4-3200C14D-32GTZ
F4-3200C14D-32GTZSK
F4-3200C14D-32GTZSW
F4-3200C14D-32GTZKW
F4-3200C14D-32GTZR
F4-3600C16D-32GTZN
F4-3600C16D-32GTZR
F4-3600C16D-32GTRS
F4-3600C14D-32GTRS
F4-3600C14D-32GTRG
F4-3600C14D-32GTZN
F4-3600C14D-32GTZR
F4-3600C14D-32GTESA
F4-3600C14D-32GTZRA
F4-3600C14D-32GTRSA
F4-3600C14D-32GTEGA
Если в конце маркировки стоит буква "C", то модули будут с таймингами 16-19-19-39 - покупать их не следует (например F4-3600C16D-32GTZNC).
Если в конце маркировки стоит буква "A", то модули c XMP профилем начиная с частоты 3600 Mhz будут с более ужатыми первичными таймингами 14-14-14 вместо 14-15-15 (tRCD и tRP у них равны tCL) - покупать их можно, но они дороже на ~10-15% (например F4-3600C14D-32GTZRA против F4-3600C14D-32GTZR).

Расшифровка маркировки на примере F4-3200C14D-16GTZSK:
F4 - тип памяти DDR4 (F2 - DDR2, F3 - DDR3, F5 - DDR5);
3200 - частота 3200 Мгц (3600 для 3600 Мгц, 4000 для 4000 Мгц и т.д.);
C14- тайминг tCL XMP профиля 14-14-14-34;
D - Dual - 2 модуля в комплекте (Q - Quad - 4 модуля; Q2 - 2xQuad - 8 модулей, кто не видел упаковка выглядит так и так);
16G - объем комплекта 16 Gb (2x8 Gb);
TZ - серия Trident Z;
SK - цвет радиаторов;

Цвета радиаторов: TZ - серо-красные; TZSK - серо-черные; TZSW - серо-белые; TZKW - черно-белые; TZR - черные с RGB; TZRX - черные с RGB for AMD (чисто маркетинговый ход, на Intel комплект работает без проблем). Таблицу цветов можно посмотреть тут.

Так же к покупке можно рассмотреть серию Ripjaws V или FlareX. От Trident Z отличаются более бюджетными радиаторами из тонкого металла. Экономия по сравнению с Trident Z не существенна, но в случае разгона 4000+ Мгц вы можете получить ошибки вследствие перегрева памяти (особенно на дуалах 2x16 Gb).
2x8 Gb - F4-3200C14D-16GVK, F4-3600C16D-16GVK, F4-3200C14D-16GVR и F4-3200C14D-16GFX
2x16 Gb - F4-3200C14D-32GVK, F4-3200C14D-32GVR и F4-3200C14D-32GFX, F4-3600C14D-32GVKA
Если в конце маркировки стоит буква "C", то модули будут с таймингами 16-19-19-39 - покупать их не следует (например F4-3600C16D-16GVKC).

Покупать модули G.SKILL с профилем XMP 4000, 4600, 4800 стоит только если вы понимаете зачем они вам нужны и у вас есть плата способная заводить память 4400+ Мгц (покупать и эксплуатировать такую память в XMP бессмысленно). Модули серии Trident Z Royal не несут в себе никаких отличий кроме красивых радиаторов и цены, а порой и наличия самых дешевых чипов произодства hynix (например F4-3200C16D-32GTRS).

Для вариантов 2x8 Gb так же можно рассмотреть варианты покупки:
- Patriot Viper Steel 4000 и 4400 Мгц (маркировка PVS416G400C9K и PVS416G440C9K), Patriot Viper RGB 4000 Мгц (маркировка PVR416G400C9K). XMP профиль в этих комплектах должен быть именно 19-19-19-39.
- Team Group T-Force XTREEM с XMP 4000, 4133, 4300 и 4500 Мгц (маркировка начинается с TXKD416G4, в РФ только на Авито, либо заказывать с США).
На авито брать можно модули с датой производства от 2019 года (дата у G.SKILL Trident Z указана на голограмме на каждой планке "2020 sep" - сентябрь 2020 года). Брать старый B-die за цену Яндексмаркета не советую.
Перед покупкой нужно зайти на сайт Бидайфаиндер и удостовериться, что в рассматриваемых модулях действительно B-die: B-Die Finder, так же можно проверить модули по маркировке на hardwareluxx.de.
Частота памяти 4000 Мгц и даже 4600 Мгц не является гарантом того, что чипы окажутся именно B-die, уже давно выпускаются модули 4400 Мгц и выше с чипами hynix D-die (например Thermaltake TOUGHRAM ROO9D408GX2-4600C19A, брать их не стоит). Так же косвенным фактором наличия чипов B-die являются тайминги tRCD и tRP - у B-die они отличаются на +1 (редко +2) или равны tCL, например 14-14-14-34, 15-16-16-36 или 17-18-18-38. Если вы видите память 16-19-19-38, то это скорее всего не то, что вы ищите (например тот же Thermaltake TOUGHRAM 4600 Мгц 19-26-26-45). Сейчас на рынке представлены комплекты памяти с чипами Samsung B-die на примере G.SKILL F4-4000C16D-32GTZR с таймингами по XMP 16-19-19-39 и напряжением 1.40V, но покупать такое и рассчитывать на разгон памяти без "отвала tRCD" к примеру 16-16-16 или 16-17-17 я бы не стал. В пример могу привести комплект G.SKILL F4-4600C18D-16GTZR с XMP 18-22-22-42, который на заявленной часте в разгоне работал только с tRCD = 20.

Если финансово вы не ограничены и хотите получить модули с максимальным разгонным потенциалом на чипах Samsung B-die, то ваш выбор:
2х8 Гб
F4-4000C15D-16GTRS, F4-4000C15D-16GTRG и F4-4000C15D-16GTZR
F4-4266C17D-16GTZRB / F4-4266C17D-16GTRSB
F4-4400C17D-16GTZR / F4-4400C17D-16GTRS
Самый ТОП: F4-4000C14D-16GTZR / F4-4000C14D-16GTRS / F4-4000C14D-16GTRG / F4-4000C14D-16GTES / F4-4000C14D-16GTEG
2х16 Гб
F4-4266C17D-32GTRGB и F4-4266C17D-32GTRSB
F4-4400C17D-32GTRGB и F4-4400C17D-32GTRSB
Любые F4-3600C14D-32GT (в конце маркировки не должно быть "C", буква "A" свидетельствует о том, что модули будут "ровными" первичными таймингами 14-14-14 вместо 14-15-15)
Самый ТОП: F4-4000C14D-32GTEG / F4-4000C14D-32GTES

Вторичные и третичные тайминги для Intel можно ставить такие, воспользоваться этим гайдом или обратиться в профильную тему INTEL и AMD

С разгоном 3800-4000 Мгц CL16 на Intel и с ценником -20% от Samsung B-die, то ваш вариант Micron E-die / B-die. Ценник 5,5-7 тыс. рублей за 2x8 Gb, 12-13 тыс. рублей за 2x16 Gb и 24-26 тыс. рублей за 2x32 Gb.
E-die 2x8 Gb
Берем любые Crucial Ballistix с профилем XMP 3000 CL15, 3200 CL16 и 3600 CL16
маркировка (комплект): BL2K8G30C15U4, BL2K8G32C16U4 или BL2K8G36C16U4
маркировка (поштучно): BL8G30C15U4, BL8G32C16U4 и BL8G36C16U4
(главное, чтобы в маркировке присутствовало U4, последние буквы означают цвет радиаторов) например:
BL2K8G30C15U4WL
BL2K8G30C15U4B
BL2K8G30C15U4BL
BL2K8G30C15U4RL
BL2K8G32C16U4B
BL2K8G32C16U4BL
BL2K8G36C16U4R
BL2K8G36C16U4W

E-die / B-die 2x16 Gb
Берем любые Crucial Ballistix с профилем XMP 3000 CL15, 3200 CL16 и 3600 CL16
маркировка (комплект): BL2K16G30C15U4 (Micron rev.E), BL2K16G32C16U4 (Micron rev.E/rev.B) или BL2K16G36C16U4 (Micron rev.B)
маркировка (поштучно): BL16G30C15U4 (Micron rev.E), BL16G32C16U4 (Micron rev.E/rev.B) или BL16G36C16U4 (Micron rev.B)
(главное, чтобы в маркировке присутствовало U4, последние буквы означают цвет радиаторов) например:
BL2K16G30C15U4RL
BL2K16G30C15U4WL
BL2K16G30C15U4BL
BL2K16G32C16U4BL
BL2K16G32C16U4R
BL2K16G32C16U4B
BL2K16G32C16U4RL
BL2K16G32C16U4WL
BL2K16G36C16U4WL
BL2K16G36C16U4R
BL2K16G36C16U4B
Для того, что бы понять какие планки мы покупаем - dual rank или single rank, достаточно посмотреть шифр после маркировки:
M16FE1 -> 16 чипов / 8 с каждой стороны (dual rank), rev.E; M8FB1 -> 8 чипов (single rank), rev.B;

B-die 2x32 Gb
Берем любые Crucial Ballistix с профилем XMP 3200 CL16, маркировка BL2K32G32C16U4 (комплект), BL32G32C16U4 (поштучно) или XMP 3600 CL16, маркировка BL2K32G36C16U4 (комплект), BL32G36C16U4 (поштучно)
(главное, чтобы в маркировке присутствовало U4, последние буквы означают цвет радиаторов) например:
BL2K32G32C16U4B
BL2K32G32C16U4W
BL2K32G32C16U4WL
BL2K32G32C16U4RL
BL2K32G32C16U4BL
BL2K32G32C16U4R
BL2K32G36C16U4B
BL2K32G36C16U4BL

Расшифровка маркировки на примере BL2K8G32C16U4BL:
BL - серия BaLlistix;
2K - комплект из 2 планок (если планка продается поштучно, то эта часть отсекается);
8G - объем одного модуля 8 Gb;
32 - частота 3200 Мгц (30 для 3000 Мгц и 36 для 3600 Мгц);
C16 - тайминг tCL XMP профиля 16-18-18-36 (для C15 это 15-16-16-35);
U4 - ревизия (ранее шла серия AES);
B - цвет радиаторов B-black-черный (R-red-красный и W-white-белый);
L - наличия RGB подсветки. У модулей без RGB буква в маркировке отсекается. Из плюсов модулей с RGB можно выделить наличие датчиков температуры.

Стандартный разгон планок Micron E-die c профилем 3000/3200 Мгц на Intel это 3900-4000 Mhz с первичными таймингами 16-20-20-40 CR2 и напряжениями DRAM=1,45 В, IO=1,23 В, SA=1,23 В. Певичные, вторичные и третичные тайминги для Intel можно ставить такие или обратиться в профильную тему INTEL и AMD.
Так же можно рассмотреть варианты покупки модулей с Micron E-Die на вторичном рынке. На авито есть варианты Crucial Ballistix 3000 CL15 и 3200 CL16, в маркировке должны присутствовать буквы "AES", например BLS2K8G4D30AESBK, буквы после "AES" означают цвет радиаторов (2x8 Gb - BLS2K8G4D30AES и BLS2K8G4D32AES, 2x16 Gb - BLS2K16G4D30AES и BLS2K16G4D32AES).

Если бюджет на память очень сильно ограничен (4000-4500 р.), вы собираете мультимедийный центр, компьютер для написания рефератов ребенку или бабушке в деревню, то покупаем 2 самых дешевых модуля по 8 Гб каждый частотой от 2400 Мгц. Заходим на яндекс маркет и выставляем фильтр: Тип - DDR4, Объем одного модуля - 8 Гб, Форм-фактор - DIMM, Частота - все от 2400 Мгц. Покупаем 2 самых дешевых, ценник будет начинаться от 1700 рублей за модуль. Нередко модули 2666 Мгц стоят дешевле 2400 Мгц, берем соответственно варианты с большей частотой. Покупая такой вариант сегодня вы экономите ~2000 рублей по сравнению с Micron E-die, но в случае апгрейда системы эту память придется менять.

Новую:
Позиция 1-3 на чипах Micron E-die (бюджет 6000-7500 р., смотрите так же предложения на Алиэкспресс):
1. Crucial Ballistix BL2K8G30C15U4 (берем любую с такой маркировкой), ссылки: белая, красная, черная, белая+RGB, красная+RGB, черная+RGB
2. Crucial Ballistix BL2K8G32C16U4 (берем любую с такой маркировкой), ссылки: белая, красная, черная, белая+RGB, красная+RGB, черная+RGB
3. Crucial Ballistix BL2K8G36C16U4 (берем любую с такой маркировкой), ссылки: белая, красная, черная, белая+RGB, красная+RGB, черная+RGB
Позицию 1 и 2 можно купить по 1 планке отдельно, маркировка BL8G30C15U4 и BL8G32C16U4, часто выходит даже дешевле, чем покупать комплектом. При покупке 2 модулей отдельно отличий в работе и разгоне не будет, главное купить модули с одинаковой маркировкой:
3000 CL15 белая, красная, черная, белая+RGB, красная+RGB, черная+RGB
3200 CL16 белая, красная, черная, белая+RGB, красная+RGB, черная+RGB
3600 CL16 белая, красная, черная, белая+RGB, красная+RGB, черная+RGB
Позиция 4-6 на чипах Samsung B-die (бюджет 9000-11000 р.):
4. Patriot Memory VIPER STEEL 4000 Mhz PVS416G400C9K
5. Patriot Memory VIPER STEEL 4400 Mhz PVS416G440C9K
6. Patriot Memory VIPER RGB 4000 Mhz PVR416G400C9K
Вторичный рынок (Авито):
Ищем память из раздела "Новое" или из следующего списка:
1. G.SKILL Trident Z F4-3200C14D-16GT с любыми буквами в маркировке после "GT", XMP профиль 3200 14-14-14-34;
2. G.SKILL Trident Z F4-3600C16D-16GT с любыми буквами в маркировке после "GT", XMP профиль 3600 16-16-16-36, но в конце маркировки не должно быть буквы "C";
3. G.SKILL Ripjaws V F F4-3600C16D-16GVK
4. G.SKILL Flare X F4-3200C14D-16GFX
5. G.SKILL Ripjaws V F4-3200C14D-16GVK
6. Team T-Force XTREEM с маркировкой TXKD416G3733HC18ADC01, TXKD416G3866HC18EDC01, TXKD416G4000HC18EDC01, TXKD416G4133HC18FDC01, TXKD416G4300HC18EDC01 и TXKD416G4500HC18EDC01 (частота 3733, 3866, 4000, 4133, 4300 или 4500 Mhz);
7. Crucial Ballistix 2x8 Gb - BLS2K8G4D30AES и BLS2K8G4D32AES, 2x16 Gb - BLS2K16G4D30AES и BLS2K16G4D32AES с любыми буквами в маркировке после "AES".

Объём Потребительские модули бывают размером 4, 8, 16 и 32 Гб. Под двухканальную систему имеет смысл выбирать 2 модуля по 8, 16 или 32 Гб. 4 модуля не дадут никакого эффекта, только ограничат максимальный разгон (особенно на платформе AM4, для неё строго рекомендуется использовать только 2 модуля).
Под четырёхканальную систему для оптимальной производительности стоит выбрать 4 модуля по 8, 16 или 32 Гб.
Если встал вопрос о расширении объема памяти с 16 Гб до 32 Гб, то в первую очередь необходимо удостовериться, что памяти действительно не хватает. Включите мониторинг в тех играх / приложениях которые используете и посмотрите сколько памяти задействовано в пике (можно запустить Диспетчер задач -> вкладка Производительность -> Память, а потом игру/приложение). Если из 16 Гб будет задействовано только 10-12, то расширение объёма бессмысленно.

Частота и тайминги Основные показатели скорости памяти. Чем выше частота памяти, тем лучше. Однако гнаться за частотой во вред таймингам не имеет смысла (и наоборот). Выбор частоты на DDR4 возможен от 2133 до 5333 Мгц. Частоты выше 4400 Мгц доступны как правило только на определённых оверклокерских платах и с отборными модулями (а также с хорошим контроллер памяти процессора, который сможет подобное). Хорошей частотой в разгоне является 4000-4400 CL17 и ниже, выше уже могут выше только отборные модули.
Для платформы AM4 частота оперативной памяти особенно важна, т.к. к ней привязана внутренняя шина передачи данных Infinity Fabric (работающая на половине частоты оперативной памяти). Дело в том, что эти многоядерные процессоры состоят из двух модулей по несколько ядер, которые взаимодействуют между собой через шину под названием Infinity Fabric – а она тем эффективнее, чем быстрее у вас ОЗУ. Частота влияет в первую очередь, но это не единственный фактор.
В связи с этим очень желательны модули, которые в разгоне могут достичь хотя бы частоты 3200, при этом частота Infinity Fabric будет уже вполне удовлетворять потребности процессора. Частоты выше также растят производительность, но требуют бОльшие вольтажи, лучших материнских плат и отбора памяти. Прирост от 3200CL14 -> 3466CL14 есть, но как правило настолько затратный по времени, что не покрывает затрат на его достижение. Хотя сейчас, ситуация лучше и уже многие Hynix\Micron могут взять 3200\3333 на AM4, B-die уверенно работает на 3600-3800.
Одинаковая память на более низких таймингах (при одной частоте) будет эффективнее. Т.е. 3200 CL14 > 3200 CL16, как пример.
При правильной настройке вторичных и третичных таймингов, можно «добрать» еще до 45% производительности в синтетике и до 25% в играх.
Таблицу задержек в наносекундах можно посмотреть тут.

Пропускная способность оперативной памяти Пропускная способность — это параметр, прямо связанный с частотой. Он определяет, какой максимальный объем данных может передать модуль памяти за единицу времени. Единица измерения — МБ/с или ГБ/с.
Пропускная способность определяется как = частота * 8 * количество каналов памяти.
Например, если частота памяти — 4400 МГц, память работает в двухканале, то пропускная способность будет рассчитываться как 4400*8*2 = 70400 (МБ/с). Для систем с 4 каналами умножаем соответственно на х4 (как тут).
Таким определяется максимально возможная теоретическая ПСП. На практике с хорошо настроенными таймингами ПСП будет ниже теоретически возможной на 3-5%.
Что бы понять, насколько оптимально настроена память, можно руководствоваться следующей таблицей - ссылка.

Количество каналов Существующие платформы поддерживают:
2 канала памяти DDR4 - Intel LGA 1151v1, 1151v2 и 1200, AMD AM4;
4 канала памяти DDR4 - Intel LGA 2011-3 и 2066, TR4
Важно не путать каналы памяти и число слотов для установки оперативной памяти DDR4, т.к. есть материнские платы ATX с 2 DIMM слотами (для лучшей стабильности памяти в экстремальном разгоне).
Двухканальные платформы DDR4, в большинстве своем, имеют четыре слота для размещения оперативной памяти. А многие четырехканальные материнские платы могут похвастаться восемью слотами для установки памяти DDR4. При этом важно не стремиться забить все доступные слоты, а правильно выбрать количество планок.
Преимущество четырёхканальной платформы проявляется ярче всего в работе\рендеринге, в играх от него мало пользы, увы.

Количество рангов Память бывает одноранговая или двухранговая. Также количество рангов можно определить, сняв радиаторы (заглянув под них) - чипы в модулях расположены с одной стороны печатной платы (одноранговая структура), или с обеих сторон (двухранговая). Планки 4/8 Гб одноранговые, 16 Гб - могут быть как одноранговые (например M378A2G43MX3-CTD), так и двухранговые, 32 гБ - только двухранговые.
Одноранговая память гораздо лучше гонится, но при одинаковой частоте и таймингах двуранговая память даёт бОльшую производительность (два адресных пространства). Если в цифрах, то одноранг 3200CL14 равен двурангу 3066CL14, т.е. по подсчётам это один-два шага вверх по частоте.
При выборе любого двуранга и его разгоне нужно учитывать - чипы стоят с обеих сторон платы (односторонних модулей на 16Гб я еще не держал в руках) - а это значит, что выше 3200С14-3200С16 (и с повышением напряжения выше 1.35 В) все двуранговые плашки греются хорошо и использовать их с разгоном выше в тесных корпусах без обдува не выйдет. Поэтому, коли хотите производительную систему, придётся и над охлаждением попотеть. Безрадиаторные плашки типа Samsung OEM лучше либо не мучать разгоном (либо наклеить радиаторы на термопрокладки - на свой страх и риск!

Охлаждение Чем сильнее разогнана память (и соответственно работает на бОльшем вольтаже), тем больше тепла она выделяет во время работы. Для частоты свыше 4200 Мгц скорее всего потребуется установка дополнительного воздушного или водяного охлаждения на память. Варианты:
1. Покупаем обычный вентилятор от 90 мм и крепим его в корпусе, что бы он обдувал непосредственно саму память. Закрепить можно обычными пластиковыми хомутами или купить специальное крепление на алиэкспресс Фото 1 Фото 2
2. Покупаем специальный модуль для охлаждения например CORSAIR Airflow 2, встретить в магазинах практически не возможно, искать нужно на вторичном рынке Фото 1 Фото 2
3. Для водяного охлаждения существуют комплекты EK-RAM Monarch Фото 1 Фото 2 и Barrowch FBRWB-PA-V2 Фото 1 Фото 2. Этот вариант только для энтузиастов т.к во первых нужно иметь в компьютере кастомное СВО, а второе это необходимость снятия существующих радиаторов с помощью термофена, что чревато повреждением чипов памяти Фото
4. Экстремальное охлаждение с применением специальных емкостей для жидкого азота (например Bitspower Universal Memory LN2 Container). Фото как это выглядит ТУТ и ТУТ. Почитать о таком чуде можно ТУТ
Также в модулях некоторых производителей существуют встроенные в модули температурные датчики. Особого значения для простого пользователя не имеет, но достаточно полезная фича при разгоне, дабы контролировать «температурный предел» памяти и не получать кучу ошибок при её перегреве. Для исключения дополнительного нагрева памяти на модулях G.SKILL Trident Z необходимо отключить RGB подсветку с помощью утилиты G.SKILL Trident Z Lighting Control. Так же можно снять пластиковые накладки сверху, как это сделать смотрите на видео.

Высота планок Перед покупкой модулей необходимо убедиться, что планки встанут по высоте под существующую систему охлаждения (если у вас башенный кулер). Высота планок:
G.Skill Trident Z - 44 мм
G.Skill Trident Z Royal - 44 мм
Crucial Ballistix Sport AT (AES) - 34 мм
Crucial Ballistix Sport (U4) - 39,1 мм
Patriot Viper Steel - 44,4 мм
Patriot Viper RGB - 46 мм
Team T-Force XTREEM - 48 мм (!!!!).
Если память встает под радиатор, но упирается в вентилятор, то его можно просто поднять выше ТАК

Подсветка Если уж покупаете и хотите «красиво», то можно потратиться на ОЗУ с поддержкой ASUS Aura\MSI Mystic Light, и подсветку можно будет настроить в синхронно с остальными компонентами, которые это поддерживают. RGB-подсветка может светиться самыми разными цветами, а обычная, не RGB – только одним.

Установка модулей При установке 2-х модулей в материнскую плату имеющую 4 слота памяти, их необходимо устанавливать в 2(A2) и 4(B2) слот. Расчет производится от сокета процессора. Фото для понимания ТУТ

Ревизия PCB - A0, A1 и A2 Фото компоновки различны вариантов можно посмотреть ТУТ и ТУТ
Ревизия PCB A2 характерна для высококачественной памяти, A0 и Bad bin для среднего качества, A1 почти не гонится. Внешние отличия - распределение DRAM IC A1 равномерно, А2 DRAM IC в левом и правом нижних углах на обоих концах (2 группы по 4 модуля в каждой), без компонентов в середине печатной платы. Преимущество ревизии A2 заключается в том, что чипы памяти находятся ближе друг к другу и на меньшем расстоянии друг от друга. Независимо от того, поступает ли сигнал от чипов к контроллеру памяти ЦП или чипы общаются друг с другом, в целом электрические сигналы теряются меньше и имеют более равномерную интенсивность. Единственная проблема заключается в том, что длина линии между четвертым и пятым чипами приводит к потере и большей задержке, чем в ревизии A1. Результаты частот на A2 выше предельной частоты A1 в среднем на 300 МГц.

Выборка модулей по удачности Все модули оперативной памяти имеют различный разгонный потенциал, даже в рамаках одного комплекта. Наиболее удачный модуль необходимо устанваливать в 4(B2) слот, менее удачный в 2(A2). Что бы определить наиболее удачную планку из комплекта, необходимо поочередно устанавливать каждую планку во второй слот, выставить максимальную частоту памяти и постепенно снижать напряжение. Та планка которая будет работать с максимальной частотой на минимальном напряжении будет самая удачная, ее устанавливаем в 4(B2) слот, менее удачную во 2(A2).

Разводка шины DRAM на материнской плате - Daisy Chain, T и I-топология
T-топология - расстояние дорожек от процессора до модулей одинаковое, но при этом общая длинна дорожки длиннее, чем у других топологий. Хорошо себя проявляет при установке модулей ОЗУ во все слоты, т.е платы с Т-топологией лучше работают с четырьмя модулями и хуже — с двумя.
Daisy Chain (иногда называют F-топология), - слоты последовательно сидят на одной дорожке. Соотношение сигнал/шум при установке по модулю на канал пары модулей лучше, чем у Т-топологии, но, при работе в паре контроллеру ОЗУ, сложно выставить параметры шины таким образом, чтобы они одинаково хорошо подходили двум модулям, что делает разгон чуть хуже при установке модулей во все слоты. Платы с топологией Daisy лучше работают, когда установлены два модуля из четырех (строго по инструкции к мат. плате) и соответственно хуже — с четырьмя модулями.
I-топология - один модуль на канал, лучший разгон ОЗУ (к примеру 2-х слотовая Asus Maximus XIII Apex или MSI MEG Z590I UNIFY). Но избыточный для неэкстремального применения.

Про ECC. Для материнских плат на Socket 2011-3 декларируется работоспособность с ECC DDR4 памятью в режиме без ECC (стоит уточнить на сайте производителя). Так, например, для большинства плат подходят бюджетные модули Crucial CT4G4DFS8213 (включая вариации на 4 и 8Гб), либо Samsung (маркировку надо уточнять).
AM4 платформа с ECC модулями также работает (предварительно также уточнить по спецификации мат.платы), но эффективность использования под сомнением из-за низких частот.

CPU-Z (посмотреть производителя чипов памяти можно во вкладке SPD)
AIDA64 (посмотреть производителя чипов памяти можно во вкладке SPD)
HWiNFO64 (посмотреть производителя чипов памяти можно во вкладке Memory)
Asrock Timing Configurator 4.0.10 официальный сайт
Asrock Timing Configurator 4.0.12 (Z690)
Asrock Timing Configurator 4.0.13 (Z690)
Asus MemTweakIt V2.2.0.1
MSI Dragon Ball V1.0.0.08
G.SKILL Trident Z Lighting Control V1.00.27 (04.08.21) (для отключения RGB на G.SKILL Trident Z, старые версии)
Ballistix M.O.D. Utility (для управления RGB на Crucial Ballistix)
DRAM Calculator for Ryzen 1.7.3
Ryzen Timing Checker 1.0.5
LinX v0.9.12 (Intel)
ZenTimings v1.2.5

Название бренда на модулях не значит ровным счетом НИЧЕГО, главное какие чипы там распаяны. Старайтесь избегать при покупке таких брендов как HyperX / Kingston Fury Beast и Corsair, ничего общего с оверклокерской памятью (в очень редких исключениях) они не имеют и рассчитаны на школьников или людей, не разбирающихся в памяти. Наша задача — это купить память с лучшими чипами за минимальную цену и имеющую максимальный разгонный потенциал, не взирая на бренд.
Бытует мнение, что память G.SKILL вся отличная и ее можно брать любую, но это не так. У G.SKILL существует линейка AEGIS, брать которую категорически не стоит в виду наличия самых дешевых чипов производства Hynix, разгонный потенциал которых равен 0. Так же у G.SKILL существует линейка памяти Trident Z Royal половину линейки которой брать так же категорически не стоит т.к за красивым серебряным/золотым радиатором скрываются те же чипы Hynix. К примеру комплект G.SKILL Trident Z Royal F4-3200C16D-32GTRS, цена на эту память на рынке варьируется в районе 17-18 тыс. рублей за 2х16 Gb и есть комплект Patriot Memory VIPER 4 PV432G320C6K 2х16 Gb с такой же частотой, таймингами и чипами Hynix но за 10 тыс. рублей. Стоит ли переплачивать за цвет радиаторов и бренд 7 тыс. рублей ваш выбор.

Списки памяти, в которых перечисляется, на каких микросхемах какие модули основаны (базы пополняются и обновляются):
B-Die Finder (лучший сайт для проверки наличия B-die)
Актуальное сравнение Samsung B-die и Micron E-die в разгоне
Micron 16Gbit B-Die DDR4
Где есть SAMSUNG B-Die на 8Гб
Еще список Samsung B-Die чипов
Очередная 100500 тема по поиску чипов Samsung
Список памяти на чипах Hynix CJR
Таблица максимальной ПСП при 2-х канальном режиме работы памяти

https://www.dns-shop.ru/product/7a55beee56613330/operativnaa-pamat-kingston-hyperx-predator-hx436c17pb3k216-16-gb/?p=1&i=3&mode=list&f[8ls]=2tzk&f[c14]=3tjx&f[wb]=9d4&f[wc]=b6l1-b6mo-dvtp-b6mc

https://www.regard.ru/catalog/tovar264301.htm

DRAM Frequency [DDR4-3403MHz]
DRAM Voltage(CHA, CHB) [1.3100]
DRAM Voltage(CHC, CHD) [1.3100]
CPU VCCIO Voltage [1.14500]
CPU System Agent Voltage [1.14500]
DRAM CTRL REF Voltage on CHC [Auto]
DRAM CTRL REF Voltage on CHD [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank0 BL0 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank0 BL1 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank0 BL2 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank0 BL3 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank0 BL4 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank0 BL5 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank0 BL6 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank0 BL7 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank1 BL0 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank1 BL1 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank1 BL2 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank1 BL3 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank1 BL4 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank1 BL5 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank1 BL6 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM0 Rank1 BL7 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank0 BL0 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank0 BL1 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank0 BL2 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank0 BL3 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank0 BL4 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank0 BL5 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank0 BL6 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank0 BL7 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank1 BL0 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank1 BL1 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank1 BL2 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank1 BL3 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank1 BL4 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank1 BL5 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank1 BL6 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHC DIMM1 Rank1 BL7 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank0 BL0 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank0 BL1 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank0 BL2 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank0 BL3 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank0 BL4 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank0 BL5 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank0 BL6 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank0 BL7 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank1 BL0 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank1 BL1 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank1 BL2 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank1 BL3 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank1 BL4 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank1 BL5 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank1 BL6 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM0 Rank1 BL7 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank0 BL0 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank0 BL1 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank0 BL2 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank0 BL3 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank0 BL4 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank0 BL5 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank0 BL6 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank0 BL7 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank1 BL0 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank1 BL1 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank1 BL2 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank1 BL3 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank1 BL4 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank1 BL5 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank1 BL6 [Auto]
DRAM DATA REF Voltage on CHD DIMM1 Rank1 BL7 [Auto]
VTTDDR Voltage(CHA, CHB) [Auto]
VTTDDR Voltage(CHC, CHD) [Auto]
VPPDDR Voltage (CHA, CHB) [Auto]
VPPDDR Voltage (CHC, CHD) [Auto]
DRAM Eventual Voltage(CHA, CHB) [Auto]
DRAM Eventual Voltage(CHC, CHD) [Auto]
DRAM CAS# Latency [Auto]
DRAM RAS# to CAS# Delay [Auto]
DRAM RAS# ACT Time [Auto]
DRAM Command Rate [Auto]
DRAM RAS# to RAS# Delay L [Auto]
DRAM RAS# to RAS# Delay S [Auto]
DRAM REF Cycle Time [Auto]
DRAM Refresh Interval [Auto]
DRAM WRITE Recovery Time [Auto]
DRAM READ to PRE Time [Auto]
DRAM FOUR ACT WIN Time [Auto]
DRAM WRITE to READ Delay [Auto]
DRAM WRITE to READ Delay L [Auto]
DRAM WRITE to READ Delay S [Auto]
DRAM CKE Minimum Pulse Width [Auto]
DRAM Write Latency [Auto]
tRDRD_sg [Auto]
tRDRD_dg [Auto]
tRDWR_sg [Auto]
tRDWR_dg [Auto]
tWRWR_sg [Auto]
tWRWR_dg [Auto]
tWRRD_sg [Auto]
tWRRD_dg [Auto]
tRDRD_dr [Auto]
tRDRD_dd [Auto]
tRDWR_dr [Auto]
tRDWR_dd [Auto]
tWRWR_dr [Auto]
tWRWR_dd [Auto]
tWRRD_dr [Auto]
tWRRD_dd [Auto]
TWRPRE [Auto]
TRDPRE [Auto]
tREFIX9 [Auto]
OREF_RI [Auto]
MRC Fast Boot [Auto]
DRAM CLK Period [Auto]
Memory Scrambler [Enabled]
Channel C DIMM Control [Enable both DIMMs]
Channel D DIMM Control [Enable both DIMMs]
DRAM SPD Write [Disabled]
DRAM CAS# Latency [15]
DRAM RAS# to CAS# Delay [16]
DRAM RAS# PRE Time [16]
DRAM RAS# ACT Time [32]
DRAM Command Rate [Timing 1T]
DRAM RAS# to RAS# Delay [Auto]
DRAM RAS# to RAS# Delay L [Auto]
DRAM REF Cycle Time [Auto]
DRAM Refresh Interval [Auto]
DRAM WRITE Recovery Time [Auto]
DRAM READ to PRE Time [Auto]
DRAM FOUR ACT WIN Time [Auto]
DRAM WRITE to READ Delay [Auto]
DRAM WRITE to READ Delay L [Auto]
DRAM CKE Minimum Pulse Width [Auto]
DRAM Write Latency [Auto]
tRRDR [Auto]
tRRDD [Auto]
tRWDR [Auto]
tRWDD [Auto]
tWRDR [Auto]
tWRDD [Auto]
tWWDR [Auto]
tWWDD [Auto]
tRWSR [Auto]
tCCD [Auto]
tCCD_L [Auto]
tCCDWR [Auto]
tCCDWR_L [Auto]
tRRDS [Auto]
tRWDS [Auto]
tWRDS [Auto]
tWWDS [Auto]
DRAM CLK Period [Auto]
Attempt Fast Boot [Auto]
Attempt Fast Cold Boot [Auto]
DRAM Training [Auto]
WR CRC feature Control [Auto]
Duty Cycle Training [Auto]
Read Vref Centering [Auto]
Eye Diagrams [Auto]
Turnaround Time Optimization [Auto]
PDA [Auto]
Write Vref Centering [Auto]
Enhanced Training(CHA) [Auto]
Enhanced Training(CHB) [Auto]
Enhanced Training(CHC) [Auto]
Enhanced Training(CHD) [Auto]
DRAM RTL INIT value [Auto]
DRAM RTL (CHC DIMM0 Rank0) [Auto]
DRAM RTL (CHC DIMM0 Rank1) [Auto]
DRAM RTL (CHC DIMM1 Rank0) [Auto]
DRAM RTL (CHC DIMM1 Rank1) [Auto]
DRAM RTL (CHD DIMM0 Rank0) [Auto]
DRAM RTL (CHD DIMM0 Rank1) [Auto]
DRAM RTL (CHD DIMM1 Rank0) [Auto]
DRAM RTL (CHD DIMM1 Rank1) [Auto]
DRAM IOL (CHC DIMM0 Rank0) [Auto]
DRAM IOL (CHC DIMM0 Rank1) [Auto]
DRAM IOL (CHC DIMM1 Rank0) [Auto]
DRAM IOL (CHC DIMM1 Rank1) [Auto]
DRAM IOL (CHD DIMM0 Rank0) [Auto]
DRAM IOL (CHD DIMM0 Rank1) [Auto]
DRAM IOL (CHD DIMM1 Rank0) [Auto]
DRAM IOL (CHD DIMM1 Rank1) [Auto]
CHC IO_Latency_offset [Auto]
CHD IO_Latency_offset [Auto]
CHC RFR delay [Auto]
CHD RFR delay [Auto]
DRAM RTL INIT value [Auto]
DRAM RTL (CHA D0 R0) [Auto]
DRAM RTL (CHA D0 R1) [Auto]
DRAM RTL (CHA D1 R0) [Auto]
DRAM RTL (CHA D1 R1) [Auto]
DRAM RTL (CHB D0 R0) [Auto]
DRAM RTL (CHB D0 R1) [Auto]
DRAM RTL (CHB D1 R0) [Auto]
DRAM RTL (CHB D1 R1) [Auto]
DRAM RTL (CHC D0 R0) [Auto]
DRAM RTL (CHC D0 R1) [Auto]
DRAM RTL (CHC D1 R0) [Auto]
DRAM RTL (CHC D1 R1) [Auto]
DRAM RTL (CHD D0 R0) [Auto]
DRAM RTL (CHD D0 R1) [Auto]
DRAM RTL (CHD D1 R0) [Auto]
DRAM RTL (CHD D1 R1) [Auto]
DRAM IOL (CHA D0 R0) [Auto]
DRAM IOL (CHA D0 R1) [Auto]
DRAM IOL (CHA D1 R0) [Auto]
DRAM IOL (CHA D1 R1) [Auto]
DRAM IOL (CHB D0 R0) [Auto]
DRAM IOL (CHB D0 R1) [Auto]
DRAM IOL (CHB D1 R0) [Auto]
DRAM IOL (CHB D1 R1) [Auto]
DRAM IOL (CHC D0 R0) [Auto]
DRAM IOL (CHC D0 R1) [Auto]
DRAM IOL (CHC D1 R0) [Auto]
DRAM IOL (CHC D1 R1) [Auto]
DRAM IOL (CHD D0 R0) [Auto]
DRAM IOL (CHD D0 R1) [Auto]
DRAM IOL (CHD D1 R0) [Auto]
DRAM IOL (CHD D1 R1) [Auto]
DRAM IO Comp (CHA) [Auto]
DRAM IO Comp (CHB) [Auto]
DRAM IO Comp (CHC) [Auto]
DRAM IO Comp (CHD) [Auto]
MC Vref(CHA) [Auto]
MC Vref(CHB) [Auto]
MC Vref(CHC) [Auto]
MC Vref(CHD) [Auto]
DRAM Vref(CHA) [Auto]
DRAM Vref(CHA) [Auto]
DRAM Vref(CHC) [Auto]
DRAM Vref(CHC) [Auto]
CTL Vref (CHA) [Auto]
CTL Verf (CHB) [Auto]
CTL Vref (CHC) [Auto]
CTL Verf (CHD) [Auto]
Receiver DQ Pre-emphasis [Auto]
Receiver DQ De-emphasis [Auto]
Transmitter DQ Pre-emphasis [Auto]
Transmitter DQ De-emphasis [Auto]
Receiver DQS Pre-emphasis [Auto]
Receiver DQS De-emphasis [Auto]
Transmitter DQS Pre-emphasis [Auto]
Transmitter DQS De-emphasis [Auto]
Receiver CMD Pre-emphasis [Auto]
Receiver CMD De-emphasis [Auto]
Transmitter CMD Pre-emphasis [Auto]
Transmitter CMD De-emphasis [Auto]
ODT RTT WR (CHC) [Auto]
ODT RTT PARK (CHC) [Auto]
ODT RTT NOM (CHC) [Auto]
ODT RTT WR (CHD) [Auto]
ODT RTT PARK (CHD) [Auto]
ODT RTT NOM (CHD) [Auto]
ODT_READ_DURATION [Auto]
ODT_READ_DELAY [Auto]
ODT_WRITE_DURATION [Auto]
ODT_WRITE_DELAY [Auto]
Data Rising Slope [Auto]
Data Rising Slope Offset [Auto]
Cmd Rising Slope [Auto]
Cmd Rising Slope Offset [Auto]
Ctl Rising Slope [Auto]
Ctl Rising Slope Offset [Auto]
Clk Rising Slope [Auto]
Clk Rising Slope Offset [Auto]
Data Falling Slope [Auto]
Data Falling Slope Offset [Auto]
Cmd Falling Slope [Auto]
Cmd Falling Slope Offset [Auto]
Ctl Falling Slope [Auto]
Ctl Falling Slope Offset [Auto]
Clk Falling Slope [Auto]
Clk Falling Slope Offset [Auto]
ODT RTTWR(CHA D0) [Auto]
ODT RTTWR(CHA D1) [Auto]
ODT RTTWR(CHB D0) [Auto]
ODT RTTWR(CHB D1) [Auto]
ODT RTTWR(CHC D0) [Auto]
ODT RTTWR(CHC D1) [Auto]
ODT RTTWR(CHD D0) [Auto]
ODT RTTWR(CHD D1) [Auto]
ODT RTTNOM(CHA D0) [Auto]
ODT RTTNOM(CHA D1) [Auto]
ODT RTTNOM(CHB D0) [Auto]
ODT RTTNOM(CHB D1) [Auto]
ODT RTTNOM(CHC D0) [Auto]
ODT RTTNOM(CHC D1) [Auto]
ODT RTTNOM(CHD D0) [Auto]
ODT RTTNOM(CHD D1) [Auto]
ODT RTTPARK(CHA D0) [Auto]
ODT RTTPARK(CHA D1) [Auto]
ODT RTTPARK(CHB D0) [Auto]
ODT RTTPARK(CHB D1) [Auto]
ODT RTTPARK(CHC D0) [Auto]
ODT RTTPARK(CHC D1) [Auto]
ODT RTTPARK(CHD D0) [Auto]
ODT RTTPARK(CHD D1) [Auto]
Data Rising Slope (CHAB) [Auto]
Data Rising Slope (CHCD) [Auto]
Data Rising Slope Offset (CHAB) [Auto]
Data Rising Slope Offset (CHCD) [Auto]
Cmd Rising Slope (CHAB) [Auto]
Cmd Rising Slope (CHCD) [Auto]
Cmd Rising Slope Offset (CHAB) [Auto]
Cmd Rising Slope Offset (CHCD) [Auto]
Ctl Rising Slope (CHAB) [Auto]
Ctl Rising Slope (CHCD) [Auto]
Ctl Rising Slope Offset (CHAB) [Auto]
Ctl Rising Slope Offset (CHCD) [Auto]
Data Falling Slope (CHAB) [Auto]
Data Falling Slope (CHCD) [Auto]
Data Falling Slope Offset (CHAB) [Auto]
Data Falling Slope Offset (CHCD) [Auto]
Cmd Falling Slope Falling Slope (CHAB) [Auto]
Cmd Falling Slope Falling Slope (CHCD) [Auto]
Cmd Falling Slope Offset (CHAB) [Auto]
Cmd Falling Slope Offset (CHCD) [Auto]
Ctl Falling Slope (CHAB) [Auto]
Ctl Falling Slope (CHCD) [Auto]
Ctl Falling Slope Offset (CHAB) [Auto]
Ctl Falling Slope Offset (CHCD) [Auto]
IMC Interleaving [Auto]
Channel Interleaving [Auto]
Rank Interleaving [Auto]
DRAM Current Capability [130%]
DRAM Switching Frequency [Auto]
CPU VCCIO Boot Voltage [Auto]
Hardware Prefetcher [Enabled]
Adjacent Cache Prefetch [Enabled]