AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.02.2007 Откуда: Melitopol Фото: 8
ALSTER У меня что после запуска , что после игр,бенчей, хрома , результаты одинаковые, стоит установить репак какой то или удалить , так замечаю просадку в Аиде , наверное это норм.
Corsair Vengeance LPX DDR4 CMK32GX4M2F4000C19 (19-23-23-45) PRIME Z370a чипы samsung ( не смог посмотреть какие, если знаете поскажите) при напряжение 1.37 получилось первые тайминги, с остальными еще не разобрался,подскажите это хороший результат?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.06.2010 Фото: 18
viva71004 зайти в тему на форуме своей материнской платы и проца, почитай по 10+ последних страничек, ознакомься с инфой из "шапки" потом сюда возвращайся
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 24.09.2019 Фото: 2
Если при 1.4 на памяти и VCCSA 1.35 тесты проходят и вылетов нет, а при VCCSA 1.3 ошибки, можно предположить, что на более удачном проце, дело пойдет лучше? Я понять не могу, вроде 3600 15/15/15/35 и в тайфуне B-DIE, но при этом гонится только до 4300 18/19/19/38 на 1.4 по памяти, VCCSA 1.35, VCCIO 1.25. Что-то я делаю не так. Может ли влиять БП на результаты разгона? По линии CPU у него 240w, всего 450w. По ваттметру, воткнутому в розетку, потребление не превышает 300w при тестах.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.09.2017 Фото: 8
Всем доброго времени суток. Приобрел память AES 2x8 micron e-die single rank, взамен c-die самсов, которые гонял 2933 cl16 с чудовищными задержками 78-82 на 1,27v. CPU: r5 1600 3,9 1,25v (при разгоне памяти ставил 3,6 1,3v); MB: Prime b350-plus (последний биос). Пробовал 3200 cl14 - вылет при старте мемтеста. На какие частоты вообще имеет смысл гнать с такой платформой? Калькулятор пишет что 3466 - предел для gen 1. Нижеуказанные результаты при DRAM Voltage 1,39 SOC Voltage 1,08 3400 cl15. Вылетов не было, но в tm5 с пресетом лайт от anta777 возникали ошибки примерно на 5й минуте. Смущают скорости чтения/записи на уровне 2933 и задержка (ниже чем на самсах, но все ещё слишком высокая). Заметил что на скинутой частоте цпу задержка выше на 2-3 нс. Данные брал в основном из "универсального гайда", если не мог найти там, то не трогал (только trc взял из калькулятора 56 вместо 78 авто). Буду крайне благодарен если уделите внимание моему случаю, особенно если укажете на какие-либо ошибки.
2 дня на 1 картинке
P.S. последние страниц 30-40 темы прочитал, шапку тоже, информации много, но надо ли и как это применять к платформе на амд не всегда понятно.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.05.2006 Откуда: Москва
CTyDeHT писал(а):
на чтение у тебя всего 49к мб\с - это показатель на уровне XMP 3200
сделал по dram калькулятору , выставил все субтайминги. чтение стало 50250, зато ошибки в мемтесте появились. не велика разница. я вот не пойму почему на запись у меня скорость вдвое ниже, чем у других на этой же памяти
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
MASTER. писал(а):
Низкие MB/s для такой частоты!
Ну так ОЗУ кукуруза 17-21-21-43 для 4000 это как бы уже дичь. У меня к примеру 16-16-16-36. И то я бы сказал это не секс, с более удачной ОЗу можно и 15-15-15 с питание не выше 1.4500.
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 24.06.2019
HiddenWookie писал(а):
Нижеуказанные результаты при DRAM Voltage 1,39 SOC Voltage 1,08 3400 cl15.
по таимингам оч неплохо вышло. но лучше cm2t поставить в 1т, а gear down включить и попробовать 3466 при этих-же таимингах. эти две щестерки слева внизу на троиках пробуй проверить. power down в авто?
Добавлено спустя 4 минуты 26 секунд:
HiddenWookie писал(а):
Смущают скорости чтения/записи на уровне 2933
это оч вероятно именно из-за 2t,о котором я выше написал. прок пробуй 54-48
_________________ Crosshair VI Hero_R7_1700,3900mhz_4x8gb b-die_3500mhz_palit_GTX 1070
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.09.2017 Фото: 8
qwerttttyy, да, power down - авто. Надо выключить? В калькуляторе указано что надо, но тут как я понял его особо не признают, а собственного опыта в разгоне памяти для того чтоб определиться мне не хватает=) Что подразумевается под проверить? Выставлять их 5/5, затем 4/4 и т.д. пока не перестанет работать? Принял во внимание, вечером займусь! Спасибо что откликнулись
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 19
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения