AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.03.2010 Фото: 21
мой максимум на профильной плате с 4мя модулями M378A1G43TB1 подскажите про tRFC - везде описывается как "меньше-лучше", у меня меньше 380 нехочет. а многие тут - повышают... мне его нужно изменить или пусть так и будет? остальные тайминги меня впринципе устраивают, и да - они тоже ниже уже не хотят(хотя я б от 17-17-17 неотказался бы). в ТМ5 ошибок нет за 15 минут...
Какая писал ранее, имею в распоряжении память из Китая. Будем считать, что на неизвестных чипах, т.к. сказать точно что там конкретно не представляется возможным. На 3533 выставило тайминги 20-25-25-57, немного уменьшил вручную до 20-24-24-56. DDR 1.39v SOC 1.12v. Тест проходит без ошибок. Что тут можно "подкрутить"\оптимизировать? Для райзена задержка в районе 70-ти - это вроде как нормальный результат, или я ошибаюсь? *На 3600 запускается, но в тесте изредка проскакивает одна ошибка, даже сразу решил, что стабильно все работает. 3666 и 3733 - стартует, но насыпает ошибок много.
Память HoF 2x8gb 3600@cl17. B-die. Процессор райзен 2600х. Мать MSI PC MATE B350 (биос последний). БП Чифтек 750 Вт.
Память по частоте выше 3200 не гонится ВООБЩЕ (пробовал 3266 3333 3400 3466). Ни при каких таймингах и напряжениях (до 1.44 по памяти). Перепробывал разные комбинации. Из калькулятора из головы и вообще пробовал все. Пару раз запустилась до загрузочного экрана и все. На 3200@14-14-14-14-28-42-380 (trfc ниже 300 вообще не стартуют) все работает, но в ТМ5 выскакивают ошибки.
Подскажите возможен такой вариант, что все дело в матери? Или память чудит (может бракованная попалась)?
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 08.06.2013 Откуда: Владивосток
yuri__ писал(а):
выше 3200 не гонится ВООБЩЕ
я вот не понимаю таких коментов,шо значит не гонится вообще? делай картинки с rtc,когда у тебя "не гонится ВООБЩЕ". попробуй потестить по 1 планке в слоте b1. для 3200 и далее влючи gear down. у меня c ней проблем нет. на мсi по разгону памяти вроде как жалоб почти нет.
_________________ Palit GTX1070 jetstream | Ryzen7_1700_3,9_1,3v | ASUS Crosshair VI | HOF 3466Mhz 14-15-11
я вот не понимаю таких коментов,шо значит не гонится вообще? делай картинки с rtc,когда у тебя "не гонится ВООБЩЕ". попробуй потестить по 1 планке в слоте b1. для 3200 и далее влючи gear down. у меня c ней проблем нет. на мсi по разгону памяти вроде как жалоб почти нет.
Я включал и выключал gear down результата 0. Потестить планки по отдельности это я обязательно попробую. Может действительно одна из планок глючная. До этого стоял Corsair Vengeance lpx 3000c15. Стабильно работал на 3000 с14-16-16-36-54-450. Выше уже частоты не брал но там память уже по пределу разогнана 3000-3200 для нее потолок. В итоге поставил HOF также на 3000 только с гораздо более ужатыми таймингами чем на корсаре с14-14-14-28-42-252. Fast пресет для Bdie взял с полпинка. ТМ5 прошел без ошибок. Поднял частоту до 3066 и уже в ТМ5 пошли ошибки. Пока склоняюсь что эта мать больше 3000 не может. И судя по статитикам разгона с такими планками на такой же матери народ максимум брал 3333 с конским напряжением 1.47.
я вот не понимаю таких коментов,шо значит не гонится вообще? делай картинки с rtc,когда у тебя "не гонится ВООБЩЕ"
Я уже второй месяц воюю с G Skill TridentZ F4-3200C14-8GTZSK тоже разогнать не могу , стабильно только на xmp 3200 cl14 , хотя что удивительно какое то время стояла на 3466 cl16 вроде было стабильно в testmem5 ошибок не было m но все рандомно вылетала синька , запускал ее даже на 3533 но сыпятся ошибки . По райзен калькулятору V1 профиль вообще не подходит на любой частоте , на V2 ошибки . Через тайфун снял xmp посмотри может подскажешь чего
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.01.2007 Откуда: default city Фото: 94
r3n3gad3 Больно задержки высокие 76нс с такой то памятью, лучше на 3200cl14 оставь и ужми все тайминги первички/вторички по максимуму, я думаю сможешь выйти из 70нс.
На 3000МГц Vdram=1.2В Vccio=1.0В Vsa=1.1В 16-18-38 - стабильно (час prime95). На 3200МГц Vdram=1.25В Vccio=1.0В Vsa=1.1В 16-18-38 - стабильно (6 часов prime95).
На 3000МГц 1.35В 15-18-38 грузит ОС, но в прайме ошибки. На 3200МГц 1.35В 15-18-38 грузит ОС, но в прайме валится быстро. На 3333МГц 1.35В 16-18-38 и 17-19-42 ОС грузит, стабильности нет. На 3466МГц с задранным всем в потолок еле-еле стартует, но ОС не грузит.
Подскажите для самсунгов b-die порог "безопасного" напряжения выше чем например у hynix AFR? Примерно до каких значений можно играться не опасаясь за саму память? При условии что отдельного обдува для памяти нет.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.10.2014 Откуда: Москва Фото: 150
yuri__ Если память с радиаторами то, учитывая тот факт, что существуют модули с самсунгом b-die расчитанные на работу при 1.5в, я бы сказал, что именно столько и безопасно! https://www.gskill.com/en/finder?cat=31 ... op_14=DDR4 разумный максимум видится - 1.45в
_________________ Z790 EDGE; Intel® Core™ I9-13900K@;G.Skill Royal(b-die); MSI Suprim X 4090&6090; GIGABYTE FO48U(OLED);DT 1770 PRO; COLORFUL EVOL X17 Pro Max;)Genelec:)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.01.2019 Фото: 0
2x16Gb G.Skill F4-4000C19D-32GTZSW @4000-15-17-17-28T [может @4133-16-18-18-28T, но 4000С15 в играх лучше пока показал 4000/15=266.67 (7.5ns), 4133/16=258.31 (7.74ns)]
вторички ещё скорее всего получится полирнуть слегонца. особенно tRFC пока ждёт очереди
Сейчас этот форум просматривают: AxuJIJIec и гости: 20
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения