1. Читаем одну на выбор статью от, ✔ 1usmus или ✔ i2hard, а так-же статью по работе Dram Calculator от ✔ i2hard, устанавливаем необходимое программное обеспечение из шапки темы, смотрим примерные результаты разгона памяти из шапки, для понимания пределов возможностей вашего железа. Загружаем картинки с запросами на этот форум через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler".

2. Не используем XMP профили, это как правило, настройки для систем на базе Intel, за очень редким исключением, соответственно режим XMP протестирован на совместимость именно для Intel, к тому же, заводская настройка не блещет идеальным подбором таймингов и напряжений и можно получить примерно до 20-30% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также использование профиля XMP, чревато завышенным вольтажом на контроллер памяти.

3. Правильная установка модулей – A2+B2 (для двух модулей).

4. Перед настройкой частоты и таймингов рекомендуется установить принудительное охлаждения на модули памяти, особенно для памяти с чипами Samsung B-die, повышение температуры памяти выше 48°, может сопровождаться дополнительными ошибками, не связанными с неправильной настройкой таймингов, что затруднит их поиск и общую настройку памяти.

5. tRFC2 и tRFC4 не имеют физической реализации, потому их в некоторых версиях BIOS, отсутствуют эти значения всегда, всегда оставляйте эти параметры в Авто, так-же в Авто, оставляйте tCWL.

6. Худший модуль памяти (требующий большего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.

7. При желании протестировать память избыточным тестом в TM5 с конфигом 1usmus_v3 меняем количество 3-х циклов в "mt.cfg", "cycles=3" скажем на 8 или более

8. Если нет бута на частоте памяти 3800Mhz, то проверяем возможности IF вашего CPU, для этого выставляем частоту памяти на 3200Mhz, а IF например на 1900, пробуем загрузиться...

9. Краткая методичка по настройке памяти от The KMS: Краткая инструкция...

Гайд по основным нововведениям DRAM Calculator for Ryzen от 1usmus

Гайд по разгону памяти для новичков от lDevilDriverl.

Сопротивления ProcODT, RttNom, RttWr, RttPark.

Для процессоров 4000 серии с APU Renoir

- Micron B-Die: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... 4.1276765/
- Hynix CJR, Hynix 8Gbit DDR4 CJR "C-Die" (H5AN8G8NCJR): https://www.hardwareluxx.de/community/f ... 06340.html
- Crucial Ballistix DDR4-3600 32GB (2x16GB) [BL2K16G36C16U4R]: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... w.1264873/
- Hynix MFR, AMD Radeon R7 (R748G2133U2S): https://www.overclockers.ru/lab/85777/o ... -0-6a.html
- Hynix MFR, Kingston: http://club.dns-shop.ru/hardware/%D0%94 ... -Kingston/
- Hynix AFR, AMD Radeon R9 (R948G3206U2S): https://www.overclockers.ru/lab/86046/o ... -0-6a.html
- Micron A-Die: https://www.overclockers.ru/lab/85288/o ... 0-0-6.html
- Micron D-Die / Spectek: https://www.overclockers.ru/lab/85658/o ... -0-6a.html
- Samsung C-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84886/obzor-i-testirovanie-chetyreh-modulej-operativnoj-pamyati-ddr4-2400-samsung-m378a1k43cb2-crc-obemom-8-gbajt-kogda-amd-vystupaet-luchshe-intel.html
- Samsung E-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84775/o ... 0-0-6.html
Таблица TRFC для разных типов памяти

xyligano - J-die
RoMiLiUs - J-die

tRAS, min = tRCD + tCL + (tBL - (tCL-1)) - 1,
где tRCD - время первой операции, tCL - вторая, (tBL - (tCL -1)) третий; наконец, вычитание единицы происходит из-за того,
что период tRAS не включает часы, на которые дается команда PRECHARGE. Сокращая это выражение, мы получаем:

tRAS, min = tRCD + tBL.
Весьма удивительный вывод, который следует из подробного рассмотрения схемы доступа к данным, содержащейся в памяти SDRAM,
состоит в том, что минимальное значение tRAS не зависит (!) От значения задержки CAS #, tCL. Зависимость первого от последнего
является довольно распространенным заблуждением, довольно часто встречающимся в различных руководствах по оперативной памяти.

Второе важное соотношение между временными интервалами вытекает из того факта, что полный цикл чтения пакетных данных - от 1-го этапа
до его повторения - называется «минимальным временем цикла линии», сам по себе tRC. Поскольку первые три этапа, как мы показали выше,
не могут занимать время короче, чем tRAS, а последний занимает время, строго равное tRP, получаем:

tRC = tRAS + tRP.
Обратите внимание, что некоторые контроллеры памяти допускают независимую настройку таймингов tRAS и tRC, что в принципе может привести
к несоблюдению указанного выше равенства. Тем не менее, это неравенство не имеет большого смысла - это будет означать только то,
что параметры tRAS или tRC будут автоматически «скорректированы» (в направлении большего значения) для соответствия обсуждаемому равенству.

Тренировка памяти может показаться черным искусством для обычных оверклокеров, где ОЗУ можно волшебным образом «взломать» путем многократного принудительного сбоя загрузки до тех пор, пока нестабильный ОС не станет достаточно стабильным для тестов производительности. Фактически происходит то, что IMC будет пытаться использовать различные настройки, пытаясь стабилизировать систему (не все из них - время). Со стороны пользователя может возникнуть желание решить головоломку, потрясая коробку, но это работает. Это важный момент даже для не оверклокеров: если память не стабильна с XMP, разрешите системе перезагрузиться несколько раз, прежде чем сдаться.