Сообщения без ответов | Активные темы


Список форумов » Тематические форумы » Оперативная память

Часовой пояс: UTC + 3 часа




Куратор(ы):   anta777    fedx   



Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 43543 • Страница 450 из 2178 • <  1 ... 447  448  449  450  451  452  453 ... 2178  >
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
  Igor-Igor
Прилепленное (важное) сообщение

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 18.05.2005
Откуда: Moscow
Фото: 9
Принятые в теме сокращения (и заодно необходимые утилиты для отладки и тестирования памяти)
TM5 - TestMem5
ATC=Asrock Timing Configurator 4.0.4 for z370/390
Asrock Timing Configurator 4.0.13
Asrock Timing Configurator 4.0.12 for z690
Asrock Timing Configurator 4.0.10 for z590
Asrock Timing Configurator 4.0.9 for z490
Asrock Timing Configurator 4.0.8
Asrock Timing Configurator 4.0.3 for z170/270/490

Asrock Timing Configurator 4.0.16
https://drive.google.com/file/d/1-PdgLkCf-5cA3b1kqO2CmFyhXtz-tiS3

AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44
При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки).
Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100!
Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ.
Для плат на основе логики z690 и b660:
VDD>VDDQ
VDDQ>=VDD-300mV(0.3V)
Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V.
Для таймингов должно выполняться требование:
_dr=_dd

Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти.
Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты.
Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти.
Для желающих максимально снизить tRFC.
Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP.
Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта.
Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта.
Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.

Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4!
tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант.
Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).


Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение.
IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать.
Тоже растет с ростом частоты памяти.
Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.


Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC.
2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей).
3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16.
4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.
5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.

УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд.
0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто.
1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти".
Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода.
CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.

Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD.
RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше.
CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20.
RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла.
RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется.
Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел.
Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S.
CKE=5
СCDL>=4
RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память.
RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG.
WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать.
WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет.
RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру.
Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится.
Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом.
RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...

Таблицы от anta777
Актуальные (последние) версии:
TableDRAMIntel(simple3nov2020+simple12oct2020+обычная)
http://bit.ly/3rTIBLv
http://bit.ly/3nWJlxB
http://bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme+absolut)
http://bit.ly/2Oe8R00 - суперлайт
http://bit.ly/2H9jIZH - универсальный
http://bit.ly/2MUvl6n - экстремальный
http://bit.ly/3D9TUnD - абсолют
http://bit.ly/3STH2wx - новый для интела и DDR5
http://bit.ly/3wedj8U - новый для Ryzen3D и DDR5
Тяжелый
http://bit.ly/35eKfeJ

Расчет таймингов (на материнках ASUS)

tRASmin=tCL+tRCD+2
WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле:
WRRD_sg=6+CWL+WTR_L
WRRD_dg=6+CWL+WTR_S
WR - через WRPRE (для матплат ASUS):
WRPRE=4+CWL+WR
RTP - через RDPRE (для матплат ASUS)
RDPRE=RTP

МЕГАпост про RTL и настройку
ПРО НАПРЯЖЕНИЕ НА ПАМЯТЬ!
VDDDQ=1.5 V max по Jedec
VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq.
То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec.
А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V.
Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно

ПРО НАСТРОЙКУ SLOPE И СОПРОТИВЛЕНИЙ!
https://www.overclock.net/threads/the-importance-of-skew-control-for-memory-overclocking.1774358/
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17385457#p17385457

МЕТОДИКА ПОДБОРА ВЕРНЫХ RTT WR, RTT PARK, RTT NOM
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17484594#p17484594
На OCN есть методика их подбора с помощью Passmark memtest86, использовать только 8-й тест.


ШАБЛОН ПОСТА
Код:
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz
Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95)
Total Size: 8192 MB
Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM
Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31
Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR)
Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR

[img]Ссылка на скрин[/img]
Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]


Расшифровка коротких наименований таймингов часть 1 и часть 2

Предварительная настройка параметров разгона в BIOS платы (на примере плат ASUS)

Пресет для поиска максимальной частоты DDR4 и расчета таймингов от Agiliter (может пригодиться тем у кого плата автоматом выставляет какую-то дичь при автоматической частоте)
Необходимо дополнительное тестирование и ваши предложения что там добавить или поменять.

Кстати, на нашем форуме есть еще и другая Таблица по расчёту таймингов

ССЫЛКИ на другие ресурсы
https://github.com/integralfx/MemTestHelper/blob/oc-guide/DDR4%20OC%20Guide.md
https://www.hardwareluxx.de/community/threads/intel-ram-oc-thread-guides-und-tipps.1230518/
https://www.overclock.net/threads/official-intel-ddr4-24-7-memory-stability-thread.1569364/
https://www.systemverilog.io/

Таблица tRFC от integralfx
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs:
IC tRFC (ns)
Hynix 8Gb AFR 260 - 280
Hynix 8Gb CJR 260 - 280
Hynix 8Gb DJR 260 - 280
Micron 8Gb Rev. E 280 - 310
Micron 16Gb Rev. B 290 - 310
Samsung 8Gb B-Die 120 - 180
Samsung 8Gb C-Die 300 - 340

Таблица tRFC от Reous v26
#77

Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77

Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77
#77
#77
#77

Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77
#77
#77
Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки.
Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят)
На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.

Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO.
2.Включить в биосе Round Trip Latency.
3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.

Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
https://docs.google.com/document/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/edit?usp=sharing
https://docs.google.com/document/u/0/d/1QacU405kVV10-qBdrqQKOY0v-FKlBFpLcEDn0QpriSE/mobilebasic на русском
Мобильная версия
https://docs.google.com/document/u/0/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/mobilebasic

Программы для тестирования памяти
GSAT- https://drive.google.com/file/d/1iCj0-jQIXIlo_Zvm5jO949ZH9fClTNF3/edit
для длинных тестов добавил параметр "--pause_delay" чтоб периодически не отключались потоки


Последний раз редактировалось anta777 09.12.2024 13:52, всего редактировалось 165 раз(а).
Внесены дополнения по tRFC и tRAS.


Реклама

Партнер
  shuler37

Member
Статус: В сети
Регистрация: 20.08.2012
Откуда: Иваново
Фото: 23
Infreader писал(а):
Объясняю.
Не нужно.
Infreader писал(а):
КП проектируются под стандартные напряжения...
Так же как и под стандартную частоту 2666Мгц.
Infreader писал(а):
выше - опасно.
Есть подтверждение повреждения кп или памяти, при напряжении от 1.35 до 1.45?
Infreader писал(а):
Вот для того чтоб КП в ЦП ломались по проще , видимо только поэтому такое и сделали.
Опять же без подтверждения деградации кп и чипов памяти, это всё только слова.
Infreader писал(а):
то никогда на Broadwell-E у людей не горели бы КП )
Кп горели не от напряжения памяти а от завышенных IA\SO. XMP в помощь. При правильно выставленных напряжениях, такого не случается.

_________________
Судить меня дано лишь Богу а остальным я укажу дорогу.

  Infreader

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 03.07.2019
shuler37 писал(а):
Есть подтверждение повреждения кп или памяти, при напряжении от 1.35 до 1.45?


В том же яндексе почитайте про Broadwell-E.

shuler37 писал(а):
Опять же без подтверждения деградации кп и чипов памяти, это всё только слова.


Чипам памяти ничего не случается , а вот XMP с его конфигурацией... там как раз сделано всё для скорейшего убийства ЦП. Я сам замечал что XMP задирал VCCSA с 0,865 до 1,05 , чем выше частота - тем сильнее задирка. Почитайте погуглите.

shuler37 писал(а):
Кп горели не от напряжения памяти а от завышенных IA\SO. XMP в помощь. При правильно выставленных напряжениях, такого не случается.


И именно поэтому при XMP КП на бродах горят чаще всего. Я же говорю , жрать DDR4 стала больше чем DDR3... просто подошли к такому рубежу после которого резкого скачка не будет... это как Sandy Bridge-E на 6 котлов... после него прирост есть в шестёрках , но он не сказать что существенный.

Но понимаете в чём дело... чем большее JEDEC напряжение задать изначально , тем более живучие КП получатся... их будут делать так чтоб они гарантированно выдерживали JEDEC и поэтому лучше бы DDR4 оставили на 1,5 вольтах , а потом в новых степингах и ревизиях снижали напряжения через тот же XMP.

И о том , как себя ведёт КП при превышении TDP я уже писал тут Intel Haswell-E / Broadwell-E LGA 2011-3 #16512175 и тут Intel Haswell-E / Broadwell-E LGA 2011-3 #16511849 , так что вот. Как известно потребление линейно частоте и квадратично напряжению. Вот поэтому этого могло не быть , еслиб КП делали эдак ват на 50-60.
  shuler37

Member
Статус: В сети
Регистрация: 20.08.2012
Откуда: Иваново
Фото: 23
Infreader писал(а):
В том же яндексе почитайте про Broadwell-E.
Повторю ещё раз, эти процессоры горели из за завышенных напряжений IO/SA. Напряжения регулируются независимо от напряжения на память. И конкретно завышенное напряжение на память здесь не причём. Ведь с него разговор начался.
Infreader писал(а):
Чипам памяти ничего не случается , а вот XMP с его конфигурацией... там как раз сделано всё для скорейшего убийства ЦП. Я сам замечал что XMP задирал VCCSA с 0,865 до 1,05 , чем выше частота - тем сильнее задирка. Почитайте погуглите.
Гуглить нет смысла, потому что навыки в разгоне памяти есть. Были повреждены только данные процессоры, на других такой проблемы нет, причём тут XMP? Насчёт частоты и задирки. Ничего подобного, лично видел две системы, на одной память 3000Мгц, ia/so выше 1.3в, на другой 3333Мгц, ia/so до 1.2в. Всё на XMP с не настроенными таймингами.
Infreader писал(а):
И именно поэтому при XMP КП на бродах горят чаще всего.
Это был рофл. Естественно лучше XMP не использовать. Но это знаем мы, т.е те кто знает.

_________________
Судить меня дано лишь Богу а остальным я укажу дорогу.

  Infreader

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 03.07.2019
shuler37 писал(а):
Повторю ещё раз, эти процессоры горели из за завышенных напряжений IO/SA. Напряжения регулируются независимо от напряжения на память. И конкретно завышенное напряжение на память здесь не причём. Ведь с него разговор начался.


Конкретно как влияет завышенное напряжение на память при поведении КП почитайте по моим ссылкам... LinX 0,6.5 частота ЦП как указано в профиле , но перечислю тут : ядра 3000 , кэш 2800 , память 2200 (люблю без субстрапов) так вот этот конфиг при 1,2 вольта в LinX из-за ухода КП в защиту снижает гигафлопсы до 268-и при 56 гиговой задаче , этот же конфиг при напряжении на память 1,1 когда КП не уходит в защиту при точно таком же объёме задачи на 56 гигов выдаёт уже 291 гигафлопс... просадка 9% , при объёме задачи 26 гигов с вольтажовкой 1,2 задача плавает от 290 до 320 , при вольтажовке 1,1 задача чётко считается по 320-325 гигафлопс. А это уже 10% просадка... Не влияет напряжение на скорость работы ? Это ведь просто попугаи получаются когда высокая частота с высоким напряжением из-за ухода КП в защиту.

shuler37 писал(а):
Гуглить нет смысла, потому что навыки в разгоне памяти есть. Были повреждены только данные процессоры, на других такой проблемы нет, причём тут XMP? Насчёт частоты и задирки. Ничего подобного, лично видел две системы, на одной память 3000Мгц, ia/so 1.3в, на другой 3333Мгц, ia/so до 1.2в. Всё на XMP с не настроенными таймингами.


Что значит причём ? Вы поняли что это означает ? Haswell-E он всё же имел КП по прочнее , наследство от Haswell и Ivy Bridge/E из-за их работы с DDR3 под 1,5 вольта , а Broadwell-E это первые процессоры исключительно под DDR-4 и КП проектировался ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО на напряжение 1,2 вольта с очень жёстким ограничением по прочности. Повышение рабочего напряжения памяти повлечёт за собой вывод из строя одних из самых производительных ЦП в мире. Intel-у это только на лапу , а чё , не выпускаются же... новые купят. А вот был бы изначально DDR4 по JEDEC сделан под 1,5 вольта , КП вообще в этих ЦП никогда не горели бы.

shuler37 писал(а):
Естественно лучше XMP не использовать. Но это знаем мы, т.е те кто знает.


В этом и проблема... обыватель покупает плашку на 3200 и она с XMP , он её вставляет , а она 2133 или 2400... он в BIOS , а там XMP Profile 1 / 2 / 3 и так далее... он ищет свой XMP 3200 и ставит , а в результате сам ничего не подозревая пережигает КП в ЦП...
  Hobgoblin

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 06.07.2014
Откуда: Default City
Фото: 1
Советую меньше слушать местных гиков, они за единичку,выигранную против XMP, удавятся.
Hobgoblin писал(а):
Сильно не тестировал, но взял такую 2 плашки, вышла 5К, дешевле самсунга :
https://market.yandex.ru/product--opera ... 8/80226487
Загрузил XMP. Тайминги не трогал, кроме комманд рейта. Поставил 1Т, напругу 1.35 и частоту 3600, винда грузится. Чипы SK Hynix, одноранг 32 неделя 2019, свежак

3733 уже не загружается...

Попробовал снизить с 18-21-21 до 17-19-19 и сразу же зависло 3600мгц. Мб и удастся в этом промежутке что-то высрать, но надо ли оно?
Вывод сделал простой:
1) Грузишь самый жирный XMP
2) Наругу ставишь 1.35V
3) Комманд рейт 1Т
И рубишь по +133Мгц к XMP пока не перестанет загружаться винда.
Всё, потрачено 5 минут времени и +500 рублей на память против самой дешманской 2х8ГБ

_________________
Современный оверклокинг напоминает платную рыбалку©
PS: Конфиг в профиле

  Victor91rus

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.06.2017
Фото: 6
Infreader писал(а):
1,1 когда КП не уходит в защиту при точно таком же объёме задачи на 56 гигов выдаёт уже 291 гигафлопс... просадка 9%

То есть я завтра подниму напряжение на память при тех же настройках и получу меньше флопс? Или как это работает?

Hobgoblin писал(а):
за единичку,выигранную против XMP,

За 30%производительности.
  Hobgoblin

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 06.07.2014
Откуда: Default City
Фото: 1
Victor91rus писал(а):
30%производительности

#Руканогалицо между 17-19@3600 и 19-21@3600 1-2%, если повезёт

_________________
Современный оверклокинг напоминает платную рыбалку©
PS: Конфиг в профиле

  Infreader

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 03.07.2019
Victor91rus писал(а):
То есть я завтра подниму напряжение на память при тех же настройках и получу меньше флопс? Или как это работает?


Если упрётесь в TDP КП что конкретно на Intel X79 / X99 / X299 есть имеется - то да , можете поднятием напряжения снизить производительность. Сейчас слишком много кукурузы , реально много.
  Victor91rus

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.06.2017
Фото: 6
Hobgoblin писал(а):
#Руканогалицо между 17-19@3600 и 19-21@3600 1-2%, если повезёт

Нет. Между XMP и "готовностью удавиться за единичку".

Infreader писал(а):
упрётесь в TDP КП

А какой тогда ТДП на кофях рефреш? И логично, что при упоре в TDP на каком-то этапе я бы перестал получать прирост. Например, Разгоняя выше чем на 1,4в. Но этого не происходит.
  Infreader

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 03.07.2019
Victor91rus писал(а):
А какой тогда ТДП на кофях рефреш? И логично, что при упоре в TDP на каком-то этапе я бы перестал получать прирост. Например, Разгоняя выше чем на 1,4в. Но этого не происходит.


Это можно посмотреть в AIDA64 раздел Системная плата -> CPUID , если там есть что-то типа DRAM Thermal Design Power 36.8 W (значение может отличаться) то после того как потребление любого набора микрух памяти с любыми частотами и таймингами или общее количество микрух памяти потребит больше чем DRAM SVID - будет снижаться производительность. Повышение общего TDP тут не поможет , потому что повысив TDP с 140 до 165 мы повышаем TDP ядер , но не КП. Именно поэтому я и спрашиваю , для чео вся эта кукуруза с DDR4 у которой вольтаж всё выше и выше. На DDR3 такого не было.


Последний раз редактировалось Infreader 14.10.2019 17:53, всего редактировалось 1 раз.

  icebeltik

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.03.2018
Фото: 4
интересно сколько кофе сгорело от vtt ddr?(нисколько?)

_________________
Ryzen1600x smt off //asus-rog b350-f//1080ti jetstream 1900/11400/1v// FlareX3200-GFX @3067cl12 //QuickFire TK RED

  Infreader

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 03.07.2019
icebeltik
Пока ни одного , но такими темпами надо смотреть сколько кофе сгорит когда им стукнет столько же как сейчас Broadwell-E )
А что ? DDR4 сделают на 6 ГГц ) с вольтажом 2.0 - 2.5 и тогда погорят те которые сейчас держут 1,5 как-то.
  Victor91rus

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.06.2017
Фото: 6
Infreader писал(а):
DRAM Thermal Design Power 36.8 W

Но DRAM это DRAM, а не IMC.
  kaitlt

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.04.2012
Ascom писал(а):
https://www.hardwareluxx.de/community/f ... 61530.htmlкто тут врет ...


#77#77

Ну и кто врет?
Добавлено спустя 32 минуты 58 секунд:
gungstar писал(а):
на модулях на наклейке какая ver.?

Снимать вентокрыл не хочу, сфоткал коробку, если поможет.
#77#77
  Infreader

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 03.07.2019
Victor91rus писал(а):
Но DRAM это DRAM, а не IMC.


Правда ? Совсем не IMC ? Память научилась жить полностью в отвязке от IMC ?
  Victor91rus

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.06.2017
Фото: 6
Infreader видеокарта тоже не умеет жить без процессора, но какое это отношение имеет к TDP? Ваши доводы неубедительны. Завтра я проверю вашу теорию, поищу разницу между 1,1в и 1,5в, но на полностью фиксированных параметрах и несколько раз, как этого требует любое нормальное тестирование.

Добавлено спустя 3 минуты 19 секунд:
by_mak писал(а):
Может я что-то не так делаю?

Полагаю, вы не делали ничего, и это вы и сделали не так. То есть не сделали.
А именно:не разогнали по всем таймингам, но требуете результат как у разогнанной.
  by_mak

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 12.10.2019
Victor91rus писал(а):
Полагаю, вы не делали ничего, и это вы и сделали не так. То есть не сделали.
А именно:не разогнали по всем таймингам, но требуете результат как у разогнанной.


И откуда же у вас информация, что я не разогнал по всем таймингам, это 1. А второе, как тайминги на пропускную повлияют, латентность то может и упадет немного, но не более.
Тестил уже кучу раз, все выставлял по Ryzen DRAM Calculator, где-то работает, а где-то приподнять надо. Спасибо Вам конечно за ответ, но на ответ это точнее даже не похоже...точнее, на ответ от диванного эксперта если только. =\

_________________
Ryzen 3600 4.2 (1.31В)(CB15-1694\508)\BeQuiet Dark Rock 4\G.Skill 3733(15-15-15-15-28\1.44В)\RTX 2070 Armor 8G\ASUS TUF B450M Pro Gaming

  Victor91rus

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.06.2017
Фото: 6
by_mak писал(а):
И откуда же у вас информация, что я не разогнал по всем таймингам, это 1

Потому сто вы не показали тайминги, а результат низкий.
Если вы не показываете настройки, то кроме диванного анализа вам ничего и не светит.

Добавлено спустя 1 минуту 5 секунд:
by_mak писал(а):
как тайминги на пропускную повлияют, латентность то может и упадет немного, но не более.

Заблуждение
  Infreader

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 03.07.2019
by_mak
Ryzen 3xxx приводит к тому что всё что выше чем 3200 идёт по формуле IF Clcok = 1/2 DRAM

Добавлено спустя 3 минуты 43 секунды:
Victor91rus писал(а):
Infreader видеокарта тоже не умеет жить без процессора, но какое это отношение имеет к TDP? Ваши доводы неубедительны. Завтра я проверю вашу теорию, поищу разницу между 1,1в и 1,5в, но на полностью фиксированных параметрах и несколько раз, как этого требует любое нормальное тестирование.


Пробуйте , если у вас именно так отображается TDP в разделе CPUID - очень познавательно будет. Зафиксируйте частоту на уровне базовой и потом гоняйте линпак , с перезагрузками , проверяйте как разбег между результатами ) , можете начать с 1,2 ) потом попробуйте это же на 1,1 , потом на 1,3 например и посмотрите как будете биться в TDP КП который находится внутри ЦП. Только занимать надо именно всю память , а не какую-то маленькую её часть. Так надо для создания полной нагрузки на КП.

Здесь Intel Haswell-E / Broadwell-E LGA 2011-3 #16518597 показал что происходит , полностью нарушены все стандарты. Делают УМЫШЛЕННО , потому что максимальный вольтаж который допускается +0,06.


Вложения:
Комментарий к файлу: То на чём находится полоса серая - это и есть TDP IMC. То что можно поднять в UEFI относится только к CPU Power Limit 1 / CPU Power Limit 2 и НЕ относится к DRAM TDP.
IMC.png
IMC.png [ 36.57 КБ | Просмотров: 836 ]
  garison87

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 30.09.2007
Откуда: Tver
Фото: 29
kaitlt писал(а):
Снимать вентокрыл не хочу, сфоткал коробку, если поможет.

Эх, сейчас бы на коробке корсаров ревизию искать, а не тупо открыть тайфун :?:

_________________
Russian Overs Team

Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 43543 • Страница 450 из 2178 • <  1 ... 447  448  449  450  451  452  453 ... 2178  >
-

Список форумов » Тематические форумы » Оперативная память

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: Agiliter и гости: 8

Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  
Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan