AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Moderator
Статус: Не в сети Регистрация: 17.10.2012 Откуда: Минск/Беларусь
anta777
Код:
Максимум 8 дополнительных команд обновления могут быть выпущены заранее (”втянуты") в режиме обновления 1X и для режима обновления 2X/4X, 16/32 команды обновления могут быть втянуты соответственно, причем каждая из них уменьшает количество регулярных команд обновления, требуемых позже на одну. Стр. 123, Гл. 4.26
Я понимаю, но ко времени обновления это какое имеет отношение? 160нс или 250 нм, или 350- без разницы тут учет времени кратный 8.
_________________ Помощь в скальпировании процессоров (Минск). http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=1636558#p1636558 WoT: IRSS_BY_Pashka
RDWR в таблице 11, у вас 10, из-за этого и крашится.
в биосе выставленно 11, асрока утилита показывает 10, рас изменю, тарн ароанд оптимизацион сейчас то же изменю, проверю.
а что нет у меня в биосе tRRDS, tWTRS, tRDPRE., может они как то в моем немного не так называются, tRRD и tWTR без S в конце есть значения, может их менять стиот? а вот tRDPRE нет такого, есть вроде tRD с другим совсем окончанием.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Я же вам написал, что у вас в биосе RRDS- это RRD, по аналогии WTRS- WTR
Добавлено спустя 1 минуту 36 секунд:
BY_Pashka писал(а):
anta777
Код:
Максимум 8 дополнительных команд обновления могут быть выпущены заранее (”втянуты") в режиме обновления 1X и для режима обновления 2X/4X, 16/32 команды обновления могут быть втянуты соответственно, причем каждая из них уменьшает количество регулярных команд обновления, требуемых позже на одну. Стр. 123, Гл. 4.26
Я понимаю, но ко времени обновления это какое имеет отношение? 160нс или 250 нм, или 350- без разницы тут учет времени кратный 8.
Moderator
Статус: Не в сети Регистрация: 17.10.2012 Откуда: Минск/Беларусь
anta777 писал(а):
А причем здесь эта страница из Jedec?
так как в ней и рассказывается об обновлении/зарядке и механизме этого процесса. Нигде в jedec больше не упоминается про 8 строк адресного пространства. К тому же по времени обновления/зарядки про кратность вообще ни слова, ни на графиках, ни в описании. Есть только одно замечание- может именно на него ты обратил внимание, возможно.. Что время tRFC зависит от плотности памяти. Все. Больше ничего нет.
_________________ Помощь в скальпировании процессоров (Минск). http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=1636558#p1636558 WoT: IRSS_BY_Pashka
Последний раз редактировалось BY_Pashka 25.10.2019 23:25, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
anta777 писал(а):
Все правильно
Спасибо, тогда оставлю данную настройку на постоянку, в тяжелых играх проведу тест.
anta777 писал(а):
но я бы на вашем месте поднимал напряжение на память до 1.42 В и шел бы дальше по частоте памяти.
С момента покупки гнал их, потолком оказалась 4133 на 1.45. На этих баллистиксах, говорят на реддите не более 3800 брали с тюннингом, но там tRCD лучше. У меня охлад дешманский (140мм 3 на вдув, 3 на выдув), не хотелось бы лишний раз их напрягать) 3800 можно попробовать, но уже tRCD=20 будет.
Вроде получилось все по табличке на 3600, но тест уходит в тротлинг на 4.48 минуты.... поиграюсь с напряжением на память, чутка подниму, это пока на 1.35 вольта на память....или попробовать кулер на цп поставить чуть производительней, хотя нагрев был цп всего 56 градусов при тесте. так же заметил что напряжениие на память по аиде скачет туда сюда 1.344-1.360 вольта. Мать как я понимаю не очень, не смотря на цену в 13к? при выставлении 1.360 вольта на память напряжение плясать перестало, держится на 1.360 железно, но опять краш на 4.40 минуте((
Да, не нашел значение tRDPRE в биосе и аналог не нашел, асрока утилита это значение то же не отображает. И не нашел где в биосе питание на память – фазы extreme, лимит – 120% это выставить. https://ibb.co/9pXfRTQ в итоге прошел стресс тест на 1.37 вольтах. напряжение не плавало, не на 1.36 не на 1.37, не понятно, почему на 1.35 плавает, температура памяти больше 35 градусов за время стресс теста не поднималась. В общем оставлю это как базовый конфиг (поиграю еще в пабг часика полтора для теста). На этих же таймингах на 1.45 вольтах 3800 виндовс не грузится, на 3733 и 3700 виндовс и бенч работает, стрес тест крашится причем моментально. Видимо для 17-19-19-40 придел моей памяти на 3600 и выше 1.37 вольта для этих таймингов напряжение уже ничего не дает. Завтра буду пробовать 3800 и 4000 уже понятно с другими таймингами. п.с. купил ключ аиды попутно
правда что то слишком сложно для меня. могу предположить что подобное связано с кол-во банков в одном ранке (?????) правда в таком случае кратность для дуалов и 4х планок нужно менять
_________________ Ryzen1600x smt off //asus-rog b350-f//1080ti jetstream 1900/11400/1v// FlareX3200-GFX @3067cl12 //QuickFire TK RED
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Rostov V писал(а):
Мать как я понимаю не очень, не смотря на цену в 13к?
13к под камень за 36, нормальные платы на z390 начинаются с тайчи, а топ апекс и гене - там 20+. Сам купил мать за 11к (не поверил, захотел лично убедиться - словил гемор с возвратом и сразу нашел еще 11к на гену).
13к под камень за 36, нормальные платы на z390 начинаются с тайчи, а топ апекс и гене - там 20+. Сам купил мать за 11к (не поверил, захотел лично убедиться - словил гемор с возвратом и сразу нашел еще 11к на гену).
да у меня даже появились мысли купить другую память и другую мать, но как то это расточительно, имеющиеся железо если продать (а не продавать) нужно 50% от цены ставить, хотя ему месяц примерно и ради небольшого прироста. фпс в том же пабге, д3 и старкрафте 2 от разгона памяти не меняется, +-1 фпс, на уровне погрешности измерений. но с другой стороны весь вечер занимался с памятью, неожиданно увлекательное занятие, как в покер играть, только стрес тесты по долгу ждать вызывает негатив. Жаль нет как раньше (в 2000х) апгрейда в магазинах в течении года на железо
не проверял, надо посмотреть. да, разгон проца с дефолтных 4.7 до 4.8 и 4.9 тестил (у меня воздух, хоть и ноктуа), то же на фпс не сказывается, да и он в пабге загружен на 25-35% всего, а вот видюха маслает на 99%
а в д3 на полной графе при куче эффектов могут нефиговые просадки быть.
не было, вот в пабге были хоть и редкие микро фризы но были, когда я еще две плашки докупил оперативы, полностью пропали, и как то в целом все плавнее стало и в играх и в винде\браузерах, парадоксально но факт.
Moderator
Статус: Не в сети Регистрация: 17.10.2012 Откуда: Минск/Беларусь
icebeltik писал(а):
правда что то слишком сложно для меня. могу предположить что подобное связано с кол-во банков в одном ранке (?????) правда в таком случае кратность для дуалов и 4х планок нужно менять
Скорее всего пляска с кратностью 8 от этого пошла. Например, для устройства 8Gb, которое мы рассматриваем, есть 8 строк на пакет обновления. Когда массив DRAM получает импульс обновления, он обновляет 8 строк, одну за другой. Таким образом, время, затраченное на выполнение операции обновления для каждого импульса обновления, является функцией количества строк в пакете обновления. Это время называется временем цикла обновления (TRFC). Время, необходимое для обновления одной строки, ограничено временем цикла строк (TRC), которое является временем активации и предварительной зарядки одной строки. TRFC может быть больше или меньше, чем число строк в пакете обновления, умноженное на TRC [Micron 2009; Jacob et al. 2008] и учитывается внутренний параллелизм операции обновления. НО тут же еще есть: TRFC может быть больше или меньше, чем число строк в пакете обновления, умноженное на TRC [Micron 2009; Jacob et al. 2008] и учитывается внутренний параллелизм операции обновления. То есть не факт, что кратное 8.. #77
Добавлено спустя 38 минут 59 секунд: И далее:
Код:
Рассмотрим операцию обновления, выполняемую в традиционных системах DRAM. В интервале времени TRFC массив DRAM обновляет, скажем, 8 строк, пронумерованных от R0 до R7. Чтобы обновить строку, данная строка активируется, а затем банк ожидает в течение периода времени, равного TRAS, а затем предварительно заряжает строку. Этот цикл занимает время, равное TRC. Затем обновляется следующая строка и так далее,пока не будут обновлены все строки R0-R7. В нашей работе мы предполагаем, что время восстановления распределено по всем строкам. Поэтому мы делим время TRFC на восемь (в общем случае N) равных квантов времени и называем эту длительность циклом обновления паузы (TRPC).
Но!
Код:
Мы делаем предположение о равных квантах времени только для простоты. Поставщики DRAM могут адаптировать определение TRPC и размещение RPP в зависимости от их конкретной реализации управления временем восстановления.
И опять не факт о кратности 8- фиг его знает, что там каждый производитель намутил в своей и на своей памяти.. Как-то так.. Что понял из прочитанного.. И да, статья, как я понял 2014 года..
_________________ Помощь в скальпировании процессоров (Минск). http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=1636558#p1636558 WoT: IRSS_BY_Pashka
Сейчас этот форум просматривают: qefir, Urry и гости: 21
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения