Сообщения без ответов | Активные темы


Список форумов » Тематические форумы » Оперативная память

Часовой пояс: UTC + 3 часа




Куратор(ы):   anta777    fedx   



Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 43668 • Страница 498 из 2184 • <  1 ... 495  496  497  498  499  500  501 ... 2184  >
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
  Igor-Igor
Прилепленное (важное) сообщение

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 18.05.2005
Откуда: Moscow
Фото: 9
Принятые в теме сокращения (и заодно необходимые утилиты для отладки и тестирования памяти)
TM5 - TestMem5
ATC=Asrock Timing Configurator 4.0.4 for z370/390
Asrock Timing Configurator 4.0.13
Asrock Timing Configurator 4.0.12 for z690
Asrock Timing Configurator 4.0.10 for z590
Asrock Timing Configurator 4.0.9 for z490
Asrock Timing Configurator 4.0.8
Asrock Timing Configurator 4.0.3 for z170/270/490

Asrock Timing Configurator 4.0.16
https://drive.google.com/file/d/1-PdgLkCf-5cA3b1kqO2CmFyhXtz-tiS3

AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44
При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки).
Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100!
Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ.
Для плат на основе логики z690 и b660:
VDD>VDDQ
VDDQ>=VDD-300mV(0.3V)
Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V.
Для таймингов должно выполняться требование:
_dr=_dd

Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти.
Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты.
Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти.
Для желающих максимально снизить tRFC.
Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP.
Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта.
Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта.
Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.

Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4!
tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант.
Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).


Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение.
IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать.
Тоже растет с ростом частоты памяти.
Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.


Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC.
2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей).
3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16.
4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.
5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.

УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд.
0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто.
1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти".
Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода.
CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.

Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD.
RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше.
CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20.
RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла.
RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется.
Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел.
Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S.
CKE=5
СCDL>=4
RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память.
RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG.
WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать.
WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет.
RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру.
Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится.
Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом.
RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...

Таблицы от anta777
Актуальные (последние) версии:
TableDRAMIntel(simple3nov2020+simple12oct2020+обычная)
http://bit.ly/3rTIBLv
http://bit.ly/3nWJlxB
http://bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme+absolut)
http://bit.ly/2Oe8R00 - суперлайт
http://bit.ly/2H9jIZH - универсальный
http://bit.ly/2MUvl6n - экстремальный
http://bit.ly/3D9TUnD - абсолют
http://bit.ly/3STH2wx - новый для интела и DDR5
http://bit.ly/3wedj8U - новый для Ryzen3D и DDR5
Тяжелый
http://bit.ly/35eKfeJ

Расчет таймингов (на материнках ASUS)

tRASmin=tCL+tRCD+2
WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле:
WRRD_sg=6+CWL+WTR_L
WRRD_dg=6+CWL+WTR_S
WR - через WRPRE (для матплат ASUS):
WRPRE=4+CWL+WR
RTP - через RDPRE (для матплат ASUS)
RDPRE=RTP

МЕГАпост про RTL и настройку
ПРО НАПРЯЖЕНИЕ НА ПАМЯТЬ!
VDDDQ=1.5 V max по Jedec
VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq.
То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec.
А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V.
Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно

ПРО НАСТРОЙКУ SLOPE И СОПРОТИВЛЕНИЙ!
https://www.overclock.net/threads/the-importance-of-skew-control-for-memory-overclocking.1774358/
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17385457#p17385457

МЕТОДИКА ПОДБОРА ВЕРНЫХ RTT WR, RTT PARK, RTT NOM
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17484594#p17484594
На OCN есть методика их подбора с помощью Passmark memtest86, использовать только 8-й тест.


ШАБЛОН ПОСТА
Код:
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz
Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95)
Total Size: 8192 MB
Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM
Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31
Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR)
Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR

[img]Ссылка на скрин[/img]
Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]


Расшифровка коротких наименований таймингов часть 1 и часть 2

Предварительная настройка параметров разгона в BIOS платы (на примере плат ASUS)

Пресет для поиска максимальной частоты DDR4 и расчета таймингов от Agiliter (может пригодиться тем у кого плата автоматом выставляет какую-то дичь при автоматической частоте)
Необходимо дополнительное тестирование и ваши предложения что там добавить или поменять.

Кстати, на нашем форуме есть еще и другая Таблица по расчёту таймингов

ССЫЛКИ на другие ресурсы
https://github.com/integralfx/MemTestHelper/blob/oc-guide/DDR4%20OC%20Guide.md
https://www.hardwareluxx.de/community/threads/intel-ram-oc-thread-guides-und-tipps.1230518/
https://www.overclock.net/threads/official-intel-ddr4-24-7-memory-stability-thread.1569364/
https://www.systemverilog.io/

Таблица tRFC от integralfx
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs:
IC tRFC (ns)
Hynix 8Gb AFR 260 - 280
Hynix 8Gb CJR 260 - 280
Hynix 8Gb DJR 260 - 280
Micron 8Gb Rev. E 280 - 310
Micron 16Gb Rev. B 290 - 310
Samsung 8Gb B-Die 120 - 180
Samsung 8Gb C-Die 300 - 340

Таблица tRFC от Reous v26
#77

Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77

Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77
#77
#77
#77

Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77
#77
#77
Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки.
Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят)
На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.

Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO.
2.Включить в биосе Round Trip Latency.
3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.

Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
https://docs.google.com/document/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/edit?usp=sharing
https://docs.google.com/document/u/0/d/1QacU405kVV10-qBdrqQKOY0v-FKlBFpLcEDn0QpriSE/mobilebasic на русском
Мобильная версия
https://docs.google.com/document/u/0/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/mobilebasic

Программы для тестирования памяти
GSAT- https://drive.google.com/file/d/1iCj0-jQIXIlo_Zvm5jO949ZH9fClTNF3/edit
для длинных тестов добавил параметр "--pause_delay" чтоб периодически не отключались потоки


Последний раз редактировалось anta777 09.12.2024 13:52, всего редактировалось 165 раз(а).
Внесены дополнения по tRFC и tRAS.


Реклама

Партнер
  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
pakhtunov писал(а):
Экстрим без ошибок. Но я его полчаса прогнал. Сейчас попробую на CR=1 выйти. Отпишусь, спасибо.
Нихт.


io и sa повысить до максимума, чтобы запустилось cr=1, затем снизить

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

  pakhtunov

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.10.2019
Откуда: Moscow
Фото: 73
Цитата:
io и sa повысить до максимума, чтобы запустилось cr=1, затем снизить


Максимум это скока?

_________________
канал: t.me/mxtekh | конфа: по запросу | спеки: bit.ly/2025cfg | гайд: bit.ly/ddr-5

  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
1.35 и 1.40

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

  intance

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 05.08.2018
Откуда: Казань
Фото: 4
Все ли хорошо тут с таймингами?
Что то может покрутить, исправить?

46662

_________________
11900KF ** Z490 Asus Hero ** 3090 ** EKWB Custom 480XE

  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
2 ошибки в таймингах грубые, 1 - средняя, 3 - мелких.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

  BEJIEC

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 18.11.2014
Фото: 0
Сделал так. Dram 1.38, io-1.2 и sa-1.25. Ошибок в TM5 - extreme нет. А больше эта память берет? Что крутить? Какие тайминги для 3700 нужны и вольтаж?


Вложения:
3600.png
3600.png [ 349.93 КБ | Просмотров: 1176 ]

_________________
♦12700K@5000 MHz♦DEEPCOOL LS720♦MSI MAG Z690 TOMAHAWK♦Patriot Viper Venom32ГБ DDR5@6400MHz♦Palit RTX 4080 GameRock♦27"MSI Optix 2560x1440@165 Гц♦
  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Для 3700 пробуйте эти же тайминги, так как если поднимать тайминги, то нужно, чтобы был смысл переходить хотя бы на 3800.
Для ваших таймингов исправьте:
CWL=16
RDWR(все)=10

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

  BEJIEC

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 18.11.2014
Фото: 0
anta777 писал(а):
Для 3700 пробуйте эти же тайминги, так как если поднимать тайминги, то нужно, чтобы был смысл переходить хотя бы на 3800.
Для ваших таймингов исправьте:
CWL=16
RDWR(все)=10

Исправил, спасибо.
3700 с этими же таймингами и вольтажом не стартует.
Буду очень благодарен, если поможете на 3800 перейти).

_________________
♦12700K@5000 MHz♦DEEPCOOL LS720♦MSI MAG Z690 TOMAHAWK♦Patriot Viper Venom32ГБ DDR5@6400MHz♦Palit RTX 4080 GameRock♦27"MSI Optix 2560x1440@165 Гц♦

  Deadlocked

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 06.03.2019
Фото: 1
BEJIEC можете попробовать взять мои тайминги, только изначально ставьте CR2 и RFC, REFI в авто
46667
  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
BEJIEC писал(а):
Исправил, спасибо.
3700 с этими же таймингами и вольтажом не стартует.
Буду очень благодарен, если поможете на 3800 перейти).

Для 3800:
17-20-20-41 пробовать
RDWR(все)=12
Можно поднять напряжение на память до 1.40-1.42.
IO=1.25 или 1.22.

Если не пойдет, то CR=2.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

  intance

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 05.08.2018
Откуда: Казань
Фото: 4
anta777 писал(а):
2 ошибки в таймингах грубые, 1 - средняя, 3 - мелких.

Спасибо за помощь

_________________
11900KF ** Z490 Asus Hero ** 3090 ** EKWB Custom 480XE

  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Если сами не нашли, то
RTP=8
WTRL=8
WRRDsg=30
RDWRsg=12
tREFI=65534
tRFC=320
RDRDsg=6
RAS=40
все dd и dr в 0

И я сомневаюсь в стабильности при WR=16.
Для такой частоты WR=18 RTP=9
WTRL=9
WRRDsg=31
возможно
WTRS=5
WRRDdg=27

Кроме того на такой частоте памяти RRDL=4 очень маловероятно, но может у вас уникальная память.
Обычно RRDL=6 для 4400.

И указывайте обязательно напряжение на память, io, sa.
Плюс хотя бы пройдите без ошибок testmem5 с моим суперлайт-конфигом или linx с размером памяти 4-5 Гб 10 проходов.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

  kisulja

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 23.09.2016
а есть какие-либо конкретные формулы для расчета tRFC И tREFI ?
  nucl3arlion

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 05.12.2018
Откуда: Беларусь
kisulja писал(а):
а есть какие-либо конкретные формулы для расчета tRFC И tREFI ?

а в шапку посмотреть? Там есть таблица, в которой все формулы имеются.

_________________
telegram: @nucl3arlion

  garison87

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 30.09.2007
Откуда: Tver
Фото: 29
RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру.

В шапке в гайде.
После такой обратной связи на ответ(который реально содержал нужную инфу) - на форуме никто уже не захочет отвечать.

_________________
Russian Overs Team

  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Ради истины: tRFC у DDR4 и DDR3 не зависит от tRAS, tRRD, tFAW.
У современной памяти регенерация происходит не выходя за уровень чувствительных усилителей (sense amplifiers), поэтому зависимость у tRFC есть только от tRCD и tRP, но не тех, что выставлены в биосе, а истинных их значений для конкретной планки памяти.
За регенерацию отвечает отдельный контроллер в микросхеме памяти, ему любые значения в биосе любых таймингов до одного места.
tRFCmin теоретически возможный для одноранговых 8 Гб планок DDR4 (по моему мнению)=(tRCD+tRP)*8, где tRCD и tRP - истинные задержки, а не тайминги, установленные нами в биосе.
Зависит от производителя памяти, качества самих микросхем, OEM B-Die и отборный B-Die имеют разные минимальные tRFC. Просто подсчитать с учетом tRCD и tRP не получится.
Из практики:
Samsung B-Die - 150 ns
Micron E-Die - 300 ns

И я бы не сказал, что во время регенерации память "отдыхает", так как во время регенерации потребляются токи большие, чем во время "работы", просто во время tRFC задействованы только ячейки памяти и чувствительнын усилители без буферов ввода-вывода и без шины данных.
Грамотно лучше сформулировать так:
tRFC- время отдыха буферов ввода-вывода, шины памяти;
tREFI- время работы буферов ввода-вывода и шины памяти.

Мой метод поиска минимального tRFC:
1) снижать со стандарта (округленного до ближайшего кратного 8) по 40 до минимально рабочего значения (тестировать testmem5 с конфигом суперлайт), но делать хитро - первым делом найти значение tRFC, при котором не идет загрузка, а потом уже отталкиваться от него
2) от найденного минимального провести поиск меньшего, но уже снижая по 8
3) увеличить минимально найденное значение на 4%, вот это и будет минимально стабильным tRFC для данной памяти

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

Последний раз редактировалось anta777 05.11.2019 17:15, всего редактировалось 2 раз(а).

  Agiliter

Advanced member
Статус: Не в сети
Регистрация: 29.03.2017
sense amplifiers - усилители считывания(тока\сигнала). Задача этого элемента цепи считывание слабого сигнала. Каким образом у вас на этом этапе RFC происходит мне совершенно непонятно.
По сути он заменяет шунт (измерительный низкоомный резистор).

_________________
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1QpzbIzmoE3ntu6XvpchHspxqA0o6FPxc63_diTelzXw

  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Читайте научные работы, где этот вопрос разбирается.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

  Agiliter

Advanced member
Статус: Не в сети
Регистрация: 29.03.2017
Не может обновление заряда происходить "на уровне" резистора. Через него к конденсатору - пожалуйста.

_________________
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1QpzbIzmoE3ntu6XvpchHspxqA0o6FPxc63_diTelzXw

  anta777

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Что непонятного: из ячеек памяти строка поступает в чувствительные усилители, откуда она возвращается назад в ячейки памяти.
Я вам должен расписать про структуру ячеек памяти, конденсаторы, транзисторы , компараторы?
Я расписал по уровням, следующий уровень за чувствительными усилителями - это локальные буферы ввода-вывода, при регенерации данные из строки на этот уровень не идут.
Так понятнее?

Добавлено спустя 38 минут 31 секунду:
Agiliter писал(а):
Не может обновление заряда происходить "на уровне" резистора. Через него к конденсатору - пожалуйста.


Чувствительные усилители в современной памяти представлены 4-мя транзисторами, от того, что вы их назвали резистором, они им не стали.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx

Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 43668 • Страница 498 из 2184 • <  1 ... 495  496  497  498  499  500  501 ... 2184  >
-

Список форумов » Тематические форумы » Оперативная память

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 19

Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  
Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan