AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Народ, по совету выше использовал таблицу для расчета вторичных и третичных таймингов. Чипы Samsung C-Die, модель оперативной памяти Kingston Fury Beast KF432C16BBK2/16. Сейчас 3733 18-21-21-41 1.35v(позже поиграюсь с понижением вольтажа). Ужал практически всё. Вопрос только насчет двух пунктов. До скольки можно ужимать tRDWR-ы? У меня они уже и так 9(Upd. Выявил нестабильность, вернул к 11). И насколько можно снижать tRAS? Стоит ли снижать число ниже формулы tCL+ tRCD+2=tRAS? Насколько негативно это может сказаться? Прикрепляю итоговые тайминги и AIDA64 тест.
Скрины
Вложение:
1.png [ 199.34 КБ | Просмотров: 5277 ]
Вложение:
2.png [ 90.97 КБ | Просмотров: 5277 ]
Последний раз редактировалось RusD 07.02.2023 6:11, всего редактировалось 1 раз.
qwertyqwerty78 У меня на 3200 заводились 96Гб из двух разных комплектов 2х16 и 2х32. 16+32 в каждый канал. Строго в одной последовательности планок. Выше 3200 и ужать тайминги не вышло.
Пробовал, 3600 исчезает,стартует только максимум на 3466 Gear 1
Я уже не помню названия, там где чётность/нечётность надо в авто поставить, тогда появится.
sergejj60 писал(а):
Samsung B-Die
Эта память легко работает с 3600 cl14. Потом все параметры _dr поставить на 1 для правильности, она же не двухранговая. tWR и tRRDL пока не надо душить, вернуть в 16 и 8. Тем более tRTP стоит на 8. tWTR S=4 , tWRRD_dg = 26 (это под тайминги с последнего скриншота). Если будешь пробовать cl14, то они должны быть 28-24 соответственно. А вообще, пока можно и в авто поставить, чтобы не ошибиться, а потом зафиксить.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
krek писал(а):
1.43, а ужать основные тайминги на сколько пытаться ?
тогда поставить 1,45 для ровного счета , ужимать насколько пойдут. Сначала CR на 1 попробовать. Потом tCL = 17-14 tRCD, tRP = 21-16, tRAS = tCL+tRCD + 4(2). После каждого изменения тестировать, либо быстро нащупать нерабочие (незагрузка, синий экран), а ближайшие рабочие тестировать.
тогда поставить 1,45 для ровного счета , ужимать насколько пойдут. Сначала CR на 1 попробовать. Потом tCL = 17-14 tRCD, tRP = 21-16, tRAS = tCL+tRCD + 4(2). После каждого изменения тестировать, либо быстро нащупать нерабочие (незагрузка, синий экран), а ближайшие рабочие тестировать.
Наверное с биосом что-то, ещё когда было 2 планки они на xmp 4400 работали только на 9 биосе, а на 11 выше 3800 не стартовали.. С 4 планками заработали на 11 биосе но сыпет ошибки. В техподдержке сказали после добавления поддержки 13 поколения что-то сломали, обещали в новой версии исправить.
Заработала на 3600-14, плата напряжение занижает, установил 1.48 а по датчикам 1.45. Тоже самое делал неделю назад, только без настройки тайменгов, даже не запускалась..
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.11.2014 Откуда: Москва
sergejj60 писал(а):
Заработала на 3600-14, плата напряжение занижает, установил 1.48 а по датчикам 1.45. Тоже самое делал неделю назад, только без настройки тайменгов, даже не запускалась..
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.04.2010 Откуда: Омск Фото: 6
Кто-то сталкивался, с тем, что настройки памяти сохраняются в UEFI, но при этом система / программы зависают? Или тут дело не в разгоне памяти?
_________________ MSI MAG B660M MORTAR MAX WIFI DDR4, I5 12400, R7S416G2606U2K,AG400,ZM500-TXII,MX330-G BFBC2: DIMKOSS11 BF3: Dimkoss11 А что, если bf5 будет еще хуже?
Только ты забыл tCWL снизить до 14, а то я не пойму, почему у тебя tWRRD_sg/dg 30 и 26, а должны быть 28/24. И все третичные тайминги с окончанием _dr на 1 выстави.
Спасибо. Ставлю dr -1 она их сразу меняет на 4. а для 3600-16 тоже так оставить? Пока что сделал два профиля 3600-16 1.35v и 3600-14 1.48v, протестирую какой стабильнее будет тот оставлю.
Статус: Не в сети Регистрация: 17.02.2019 Откуда: Новый Уренгой Фото: 0
В общем, протестировал я значения ниже tREFI и значения выше tRFC - банальное разницы не увидел. Спустился аж до ~55к, все такие же показатели как были - так и остались. Поднялся по tRFC до ~700 - same story. Возможно, мне повышенный tRFC действительно нужен, т.к я не нашел примерную таблицу в Ns для 16 Gbit чипов Hynix-CJR, а у меня тем более двуранг. Спустился до 560 и получал микрофризы в играх, повысил до 600 - стало хорошенечко. Не тот параметр, чтобы им злоупотреблять сильно. В очередной раз убеждаюсь в том, что пока сам всё не протестируешь - не можешь точно знать, подойдут тебе значения из таблица или же нет. По-моему скромному мнению, сильный буст по скорости/чтению/записи/копированию - дали третички и первички. Вторички даже немного разжал, в итоге получаю те же ~64к и 51.2 Лэтэнси.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.08.2021 Фото: 0
AlastorCrow писал(а):
В Гир 1 память поехала только на 3333мГц
У меня практически аналогично, но руки вчера дошли покрутить сопротивления: "Перебираем все варианты с RTT WR = 80, повышая при нестабильности RTT PARK, начинаем с сопротивлений - 80/34/0" А моя мордор макс бахнула 80/240(!)/0, хотя по гайду рекомендуется RTT WR > RTT PARK > RTT NOM. И чем меньше RTT PARK, тем лучше. Я просто поменял 240 на 34... и память пошла стабильно на 3444. Так что советую, тем кто разгоняет по шине. Одно число и + 100МГц!
Кто то может помоч? В гир 1 с 3к до 3600гц нет никакой стабильности. Сама плата выставляет "нечто" в одт. Может какими цифрами надо поиграть. Или в чём дело может быть? Менял мать, и озу. Тоже самое.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения