AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.02.2006 Откуда: Питер
Настроил память по вашим советам, проверьте пожалуйста настройки, может где ошибся в определении вторичек и третичек. Первички сделать меньше 19-19-19 не получается, идут ошибки. А так проходит MEMTEST, Аиду, Prime95, TM5 и LinX. Kingston VALUERAM KVR32N22S6/8 DDR4 (2шт).
Приветствую В ПК стоит Kingston FURY Beast Black RGB [KF432C16BBAK2/16] ( 4 плашки по 8) Частота 3200 ПК используется исключительно для одиночных игр, без онлайна, разрешение 4к Время от времени подкрадывается желание разогнать память и получить прирост фпс, но после прочтения мат части просто осознаю что не мое это) И сейчас назрел вопрос о том, а на сколько вообще может повлиять разгон памяти в 4к, где основной упор идет в карту? Оно вообще стоит того, что бы заморачиваться, или там 2-3% макс будет? Интернет перерываю уже второй день, но информации именно про влияние оперы в 4к мало, та что есть показывает что оно вообще того не стоит и разница между 3200 и 6000 ддр5 мизерная, так ли это?
Скажите, выбор значений tCL 14,15 или 16 не дают практически никаких изменений в баллах в бенче Aida64 Extreme. О чём это говорит? Использовать другой бенч или что? Самое видимое изменение это что для 15 нужно 1.45в, а для 14 1.55в vdimm.
Что значит параметр Enhanced Interleave в настройках DDR4, и для системы Z390 с 4 одноранговыми планками включать или выключать этот параметр? Кстати в аиде тоже непонятно что этот параметр даёт.
Всем привет, память Gskill Ares-XMP-3200CL14 (Bdie-2016 год), 4плашки по 8гб одноранговая, плата Gigabyte Z170X-Gaming 7, камень 7700 без к, с андервольтом -150mv, память на данный момент работает стабильно на 3200-напруга 1.36v, при таймингах 14-14-14/28-278-2T, на 1T не проходит пост, в аиде тест по памяти набирает 46-50-46 (41ns), попытки на 3600 или 3866 нестабильны сыпет ошибки, поднимал и вольтаж до 1,45-1,5 ковырять вторичные и третичные нет опыта вообще, VCCSA и VCCIO стоят в авто, кто знаком с такой памятью посоветуйте что нужно крутануть чтобы хотя бы взять 3600 на CL15 или 16 и работали стабильно
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.03.2013 Откуда: Москва Фото: 1
Привет. GSKILL f-4 3600cl16 GTZN (ужаты 14/14/14/33 + вторички и 1.46v) все на скрине. Полгода без проблем, но тут нарвался на игрушку, в которой вылеты постоянно, если не сбросить на 3466 Подскажите, где расслабить гайки? Есть что явно пережато? #77
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.03.2017 Откуда: Москва/Вешняки Фото: 11
NickDiaz писал(а):
Полгода без проблем
14-15-15 + tRFC кратно tFAW + tRDRD_sg=7(да и tRDRD_dr/dd тож) - для начала, +ТМ5+экстримконфиг гонял надеюсь, если же не гонял, так и говорить ... вроде как и не о чем да и вообще лучше на такой +-частоте настроить c CR1
NickDiaz писал(а):
Гонял конечно
xe xe ... слона то и не заметил , тогда, скорее всего, ты по процу вылетаешь(типа раваная нагрузка и может нехватать вольтажа при малой нагрузке либо ее перепадах), а не по памяти(если игруха+видюха не греет память сильно).
Последний раз редактировалось BOBKOC 18.03.2024 17:59, всего редактировалось 4 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.03.2013 Откуда: Москва Фото: 1
BOBKOC писал(а):
14-15-15 + tRFC кратно tFAW + tRDRD_sg=7(да и tRDRD_dr/dd тож) - для начала да и вообще лучше на такой +-частоте настроить c CR1
Выставил эти настройки - на 25 минуте TM5 ошибки на 1.45v. На 1.46v вроде час без ошибок пробегал, пока больше времени не было. На CR1 когда настраивал еще в сентябре - не взлетало ни в какую даже на таймингах из вшитого xmp. Мне уже тогда эти плашки не понравились. Пожалел, что сменил свои c-die Хуниксы.
скорее всего, ты по процу вылетаешь(типа раваная нагрузка и может нехватать вольтажа при малой нагрузке либо ее перепадах), а не по памяти(если игруха+видюха не греет память сильно).
Память обычно при длительной нагрузке в районе 47-51° Еще до изменений памяти снизил проц на x50 вольтаж тот же 1.365v , та же фигня плюс ошибки в ТМ. Могла память за полгода под откос пойти?) Пока вижу варианты только в повышениях вольтажей, но скоро лето блин... доп охлады думать куда пихать
Rank1 не завелся. Да и черт бы с ним, может потом как-нибудь еще помучаю. Кстати при sa/io2 1.25v латенси лютые, особенно у L3 кэша, раза в 3 выше. Удивило.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 16
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения