http://bit.ly/3bITglw
Примечание к таблице:
tCL можно устанавливать любые четные из интервала 22-66,
tWR кратно 6 из интервала 48-96,
tRTP выбирать из 12,14,15,17,18,20,21,23,24,
CCDL выбирать из интервала 8-16,
CCDLWR всегда в 2 раза больше,чем CCDL,интервал 16-32.
CCDLWR2 всегда в 4 раза больше, чем CCDL,интервал 32-64.

Разгонять лучше всего на частотах, что есть в Jedec.
3200,3600,4000,4400,4800,5200,5600,6000,6400
6800 и выше (по +400) еще в разработке, связано с tWR,
в регистрах максимальный tWR=96,
а 30 нс (стандарт для tWR) на 6800 это уже 102;
tCCDL, в регистрах максимальный tCCDL=16,
а 5 нс (стандарт для tCCDL) на 6800 это уже 17.
Разгон идет в режиме контроллеров памяти (теперь их у интела два) Gear2,
в нем скорость контроллера в два раза меньше скорости памяти.
Шаги разгона.
1.Устанавливаем приемлемое для нас напряжения на память:
- VDD (DRAM Voltage)- в hwinfo SWA,
- VDDQ (DRAM VDDQ Voltage)- в hwinfo SWB,
- VPP (DRAM VPP) - в hwinfo SWC;
и напряжения на процессоре:
- TX VDDQ (transmitter VDDQ)=VDDQ на памяти,
- MC VDD (напряжение на контроллере) - аналог vccio для ddr4 (max по даташиту интела =1.2+5%=1.26 для ddr4 и 1.116+4,5%=1.166 для ddr5), родное напряжение обеспечивает работу памяти для 2DIMM плат - 4800 SR/DR, для 4DIMM плат - 4400 -2SR или 2DR, 4000- 4SR, 3600- 4DR
- VCCSA
2.Выставляем первичные тайминги, для tCL желательно использовать четные, для tRCD и tRP возможны и нечетные. Учитываем, что tRAS>=tRCD+tRTP(min=12).
tCWL=tCL-2.
RRDS=8,RRDL>=8,FAW>=32.
Оптимально иметь tCL=tRCD=tRP.
tCL и tCWL обязательно четные.
3.Тестируем.
4.Устанавливаем вторичные и третичные тайминги согласно моей простой таблице для разгона DDR5-памяти.
Можно смело сразу выставлять
tRTP=12 (min12)
tWTRS=8-10 (min4)
tWTRL=20-24 (min16)
tWR=48 (min48)
tRDRDsg=12-16 (min8)
tWRWRsg=24-32 (min16)
tRDWRsg/dg=14 или 15
tXP=8
5.Тестируем.
6.Настраиваем tRFC и tREFI.
tRFC для 16-Гбитных чипов должно быть кратно 16, а для 8-Гбитных чипов - 8.
Удивительно, что биос выставляет tREFI в 2 раза меньше, чем он должен быть согласно Jedec (причем tREFI для DDR5 и так уменьшен в 2 раза по сравнению с DDR4).
tREFI лучше выбирать из этих значений:
262143 максимум, нет сдвига
130560 (сдвиг в пределах 2-х)
87040 (сдвиг в пределах 3-х)
65280 (возможен сдвиг в пределах только 4-х tREFI)
52224 (при tREFIx9 в биосе = max =255 еще будет возможность сдвигать обновление как задумано в пределах 5хtREFI)
7.Финальное тестирование.

1.Платы позволяют выставить tRAS меньше теоретически возможного, даже меньше tRCD.
2.tCWL можно выставить =tCL, при этом авторы биоса обещают увеличение производительности.
3.tWR можно выставить значительно меньше 48. Видел даже 16.
4.tWRWRsg может быть меньше, чем 2*tRDRDsg, 16 спокойно работает при tRDRDsg=12.
5.RRDS=4 RRDL=4 FAW=16 можно выставить и получить профит.
6.tRTP можно выставить меньше 12. Видел 8.
7.RDRDdg и WRWRdg можно выставить равными 7.

У DDR5 современные платы видят каждую планку не как одну целую, а как две раздельных с шириной шины 32 бит, а не 64 бита. Поэтому BL=8, а не 16. Этим можно объяснить RRDS=4 и FAW=16. Но тогда и RDRDdg с WRWRdg должны равняться 4. Это же объясняет и другие формулы в асусмемтвике и драгонболле для WRRDsg/dg и WRPRE: +6 вместо +10 и +4 вместо +8 соответственно. Правило WRWRsg=2*RDRDsg биосы обходят точно так, как правило для ddr4 по WR=2*RTP. Про заниженные значения tWR,tRTP - или плата реально применяет другие значения, или мы не находим ошибки из-за большого кэша, так как для их выявления тестировать нужно программами, которые пишут, минуя кэш.

Просмотр таймингов в windows:
Asus MemTweak
https://anonfiles.com/X935r9T1ud/MemTweakIt_20210910_zip
MSI Dragon Power
https://anonfiles.com/p7BcC9Ucuc/MSI_Dragon_Power1.0.0.6-intel_zip
MSI Dragonball
https://anonfiles.com/h5B9C4U0u8/MSI_Dragon_Ball1.0.0.08_zip
https://drive.google.com/file/d/1XmKv13D0MgC9fPaA91535wCe9ztoeaHV/
Asrock Timing Configurator 4.0.12 for z690
Asrock Timing Configurator 4.0.13
Тестирование памяти:
Testmem5 with custom config
HCI memtest (400% на поток)
RunMemTestPro 5.0 (оболочка для запуска HCI memtest)
Karhu (10000%)
Примечание:
Asus мемтвик и MSI dragonball неверно показывают значения WTRS и WTRL (на 4 выше, чем в биосе) и WR (на 4 выше, чем в биосезависит от настроек в биосе).
Связано с неверными формулами подсчета.
Биос считает по формулам:
WRPRE=CWL+8+WPRE
WRRDsg/dg=CWL+10+WTRL/S
А асусмемтвик и драгонбол считают по старым формулам (как у DDR4):
WRPRE=CWL+4+WR
WRRDsg/dg=CWL+6+WTRL/S

У всей памяти DDR5 есть такие достоинства и особенности:
-встроенная схема управления питанием
-коррекция ошибок ECC
-опционально поддержка профилей Intel XMP 3.0.
Общие сведения
Одним из улучшений DDR5 является более низкое рабочее напряжение 1,1 В в сравнении с 1,2 у DDR4. Однако только память DDR5-4800 и некоторые комплекты памяти DDR5-5200 работают при 1,1 В. Но не все комплекты памяти DDR5-4800 одинаково полезны. Судя по всему, у Corsair лучшие комплекты памяти DDR5-4800 из всех производителей. Dominator Platinum имеет тайминги 34-35-35-69, тогда как Kingston Fury Beast имеет - 38-38-38-70. Учитывая болеенизкие тайминги и яркий внешний вид, комплект памяти Corsair, вероятно, будет иметь преимущество.
Однако самыми быстрыми комплектами памяти DDR5 являются модули от G.Skill. Производитель предлагает комплекты памяти DDR5-6000 и DDR5-6666 из линейки Trident Z5. Независимо от скорости они имеют тайминги 40-40-40-76 при напряжении 1,35 В. Кроме того, в планах у компании G.Skill уже есть модули DDR5-6800.
Оперативная памятя DDR5 совместима со спецификацией Intel Extreme Memory Profile (XMP) 3.0. Новая спецификация делает разгон памяти еще проще, позволяя хранить на модуле больше профилей и легко настраивать их.Спецификация Intel XMP 3.0 для DDR5 позволяет хранить 5 профилей и легко перезаписывать два из них.Пять профилей для пятого поколения оперативной памяти DDR5! Два профиля пользователь волен настраивать как угодно через программное обеспечение.
#77
#77
Источник: Intel Corporation, презентация Blueprint Series
В новой спецификации Intel XMP 3.0 количество профилей увеличили с двух до пяти, три профиля предоставляет производитель, а два оставшиеся перезаписываемые и могут легко настраиваться пользователем через фирменное программное обеспечение. Профилям можно давать понятные имена длиной до 16 символов. Поддерживается проверка контрольной суммы CRC. Также стоит снова упомянуть «переезд» схемы управления питанием на модуль, схема управляет напряжениями VDD, VDDQ, VPP.
В профиле XMP 3.0 можно выставить tRC.
#77
Одной из особенностей 12-го поколения процессоров интел относится технология динамического управления профилями оперативной памяти Intel Dynamic Memory Boost. Главный инженер лаборатории разгона Intel Дэн Рэгланд объяснил, что эта технология является своеобразным аналогом Turbo Boost для оперативной памяти и работает автоматически.
#77
Источник: Intel Corporation, презентация Blueprint Series
В зависимости от нагрузки Intel Dynamic Memory Boost динамически выбирает подходящий профиль оперативной памяти: стандартный JEDEC или XMP. Технология работает с DDR4 и DDR5 сертифицированными модулями Intel XMP и переключает профили автоматически, опираясь на интеллектуальный алгоритм. Задействовать функцию можно простым включением соответствующей настройки в BIOS материнской платы.

В отличие от памяти DDR4, система питания чипов которой располагалась на материнской плате, у DDR5 VRM теперь находится непосредственно на самих модулях ОЗУ. С точки зрения эффективности управления питанием это можно назвать преимуществом, однако оно имеет и свой недостаток в виде изменения степени нагрева модулей памяти в целом.
#77
Сделанный специалистами MSI тепловой снимок модуля DDR5, оснащенного контроллером RENESAS P8911-Y0, с установленным напряжением в 1,35 В (VDDQ / VDD), наглядно демонстрирует нагрев свыше 56 градусов по Цельсию именно в зоне VRM. По мнению MSI, это означает, что все высокочастотные модули DDR5 будут требовать наличия массивных радиаторов охлаждения.
Возможно лучшие контроллеры питания памяти PMIC на данный момент: anpec и richtek.
Их всего есть 5 . + Renesas, GMT, MPS.
Можно узнать из биоса вендора PMIC.
Другим нюансом, который обозначили инженеры MSI, является наличие у материнских плат MSI Z690 трёх режимов питания памяти DDR5:
- стандартный режим безопасности с заблокированными значения 1,1 / 1,1 / 1,8 В (VDD / VDDQ / VPP);
- программный режим, который будет являться штатным и работать в диапазоне значений 1,1- 1.435 / 1.1-1.435 / 1.8-2.135 В;
- режим разгона, для которого на материнских платах высокого класса будет распаяна специальная микросхема, необходимая для разблокировки диапазонов программного режима.
#77
#77
Далее специалисты компании прошлись по вопросу выбора оптимального блока питания для материнских плат на чипсете Z690. Они вновь обратили внимание, что ранее на модули DDR4 питание подавалось от материнской платы и стандартное напряжение составляло 1,2 В, тогда как питание на VRM DDR5 идёт напрямую от блока питания и имеет напряжение 5 В. Это означает новые повышенные требования к стабильности напряжения по линии 5 В в блоке питания. Нестабильное питание по данной линии может привести к сбоям системы, либо ограничить разгон.

Corsair
#77
Ver3.43.01 = Micron 16Gbit A-Die (Q1 | Q2 | Q3)
Ver4.40.01 = Hynix 16Gbit A-Die
Ver4.49.01 = Hynix 16Gbit M-Die
Ver5.43.13 = Samsung 16Gbit B-Die
G.SKILL
#77
Lot Code
-S830A = Micron 16Gbit A-Die
-S82*A = Hynix 16Gbit A-Die
-S82*M = Hynix 16Gbit M-Die
-S810B = Samsung 16Gbit B-Die
Kingston
#77
Production Code: ETM[M][08]A2104
H - Hynix
K - ICs have been relabeled by Kingston
M - Micron (Spectek)
N - Nanya
S - Samsung