Часовой пояс: UTC + 3 часа




Куратор(ы):   anta777   



Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 5312 • Страница 1 из 2661  2  3  4  5 ... 266  >
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Прежде чем читать "многобукв" ниже, убедитесь что ваша плата поддерживает работу с DDR5 памятью на нужной вам частоте, проверив совместимость по QVL листу.
Из простых советов:
1) Матплаты на которых хорошо гонится память: ASUS, MSI. Gigabyte лучше не брать, отвратительная поддержка в этом поколении (обновлений нет уже 4 месяца, плюс не все настройки по разгону доступны в BIOS, что сильно сужает функционал даже предтоповых плат). Для наибольшего разгона памяти лучше двухслотовые платы (любых размеров, хоть ATX, хоть mini-ITX).
Для максимального разгона памяти из самых недорогих плат стоит взять
MSI MEG Z690 UNIFY-X
MEG Z690I UNIFY
2) Тяжело стартуют 2х16 выше 6000 на многих платах (см. советы по вендорам), не берите 4 плашки памяти (лучше уж 2х32 взять).
3) процессоры нон К не подходят для разгона памяти, так как тогда на платах включается ограничения повышения напряжения на SA (до 0,96 В), чего не хватит для нормального разгона.

Оптимально брать для разгона плату:
1) 2 DIMM
2) максимальное количество слоев -10,12,14
3) 2 фазы питания на AUX
4) побольше меди

На октябрь 2022 лучшая плата для разгона памяти - EVGA z690 Dark Kingpin.

Можно ожидать для z790 и Raptor Lake:
• 1DPC 1R Max speed up to 7600+ MHz
• 1DPC 2R Max speed up to 6600+ MHz
• 2DPC 1R Max speed up to 6400+ MHz
• 2DPC 2R Max speed up to 5600+ MHz

Для z690 и Alder Lake:
• 1DPC 1R Max speed up to 6800+ MHz
• 1DPC 2R Max speed up to 5600+ MHz
• 2DPC 1R Max speed up to 4800+ MHz
• 2DPC 2R Max speed up to 4000+ MHz


Рекомендуемые напряжения при разгоне памяти Hynix -
советы от Александра (odvolk10)

Напряжение CPU VDDQ TX - самое сложное напряжение в разгоне DDR5. Очень сильно влияет на стабильность в играх по типу Call of Duty: Warzone, Cyberpunk 2077, Marvel's Spider-Man Remastered, а также в тестах для памяти и синтетических. Повторюсь, оооочень сильно влияет, намного важнее CPU VDD2 (MC), SA. Первое, чтобы я искал, если память не стабильна - так это оно. По экспериментам с EVGA, для 6400 хватает даже 1.1В! + этой платы в том, что она для разных процов выставляет сама его при тренировке, почти всегда, если не всегда - правильно. Для начала разгона выставлять (речь пойдёт только о Hynix, если рассматривать самсунг, то лучше не следовать этому совету): DRAM VDD=1.55V, VDDQ=auto или на 10% ниже либо же равное DRAM VDD, CPU VDD2=auto либо же =DRAM VDDQ. SA auto или 0.95 (для Hynix CR2) этого хватает даже на 7000MHz.
Советы от Максима (pakhtunov) по напряжениям:
CPU VDD2 = DDR VDDQ
SA и VDDQ TX должны быть как можно ниже
6800-32-40-40-52 проходят мемтест86 и экстрим на 1.44/1.38В VDD/VDDQ и 0.9/1.08В SA/VDDQTX
обращаю внимание, что именно 32-40-40, ибо 39-39 нестабилен у Игоря и Александра даже на 1.48, у меня же на 1.47 проходил все тесты. Путем снижения до 40-40-52 можно выиграть до 0.08В
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17807131#p17807131
Выводы

1) DRAM VDD=выставляем то напряжение, что нас устраивает
1.40V(Jedec)/1.435V(MSI)/1.50V(Hynix)/1.55V/1.65V(на воде)
2) DRAM VDDQ=0.94*DRAM VDD(мой совет)/0.90*VDD(odvolk10)/0.95-0.97*VDD(pakhtunov)/auto
3) CPU VDD2(MC)=DRAM VDDQ или auto/не превышать 1.45V! или даже 1.40V!(совет Игоря)
4) CPU VDDQ (TX)=min (1.1V-1.2V)
5) CPU SA=CPU VDDQ TX(совет Макса)/auto/0.95V(хватает для 7000 CR2)
Еще для пуристов возможен такой вариант:
DRAM VDDQ=DRAM VDD-0.3V
CPU VDD2=DRAM VDDQ
CPU AUX=1.85V
DRAM VPP=1.85V/1.908V/2.10V/2.135V

Оригинальная методика поиска напряжений от Gadfly
Плата EVGA Dark KP z690
Mine get touchy at 7600 and above.
Getting 7800 stable at 1.485v (underload) took a TON of tweaking. Basically, I build profiles of matching voltages that work. So my process so far is your memclk to a speed that you have been able to get stable previously, so you know that you have enough mem VDD and mem VDDQ; 7000, 7200 etc. Then move VDD up and build a profile for the higher VDD.

1.) Set Mem-VDD to desired voltage
2.) Set Mem-VDDQ to 100mv below Mem-VDD
3.) Set VDD2 just below mem-VDDQ
4.) Set VDDQ TX to known good value from lower speed; or start at 0.950v
5.) Set SA to stock (0.950v)

Start by alternate increasing VDDQ TX and SA voltage until it boots into the OS, then + 5mv. Start stability testing.

Then, I alternate increasing TX and SA until the number of errors stops reducing and starts increasing then back it off to whatever values produced least number of errors.
Next, I increase VDD2 until the number of errors stop reducing. If you have more than 1-3 errors in a 30min TM5 test, you might need to move the VDD and start over. If you have just a few you can normally stabilize it by moving VDD2 up/down a little bit. If that doesn't work, try adjusting TX up and down a little bit, then move SA up and down a little bit, if none of that eliminates the few remaining errors, move Mem-VDDQ up slightly and repeat.

Once I have a stable set of voltages, I save them as a profile. So I have one set that is 1.435v, one that is 1.455v, one that is 1.485v, one that is 1.53v, one that is 1.56v, etc. I load the profile, and set the memory to the desired speed, say 7800 or 8000, and then try slight tweaks to get it stable, if I can't, then I build a profile with higher voltages.

Начнем.
Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения. При этом доступны частоты с шагом 266 - 5866,6133,6400,6666,6933,7200.
Безопасные напряжения на память для 24/7 эксплуатации.
Jedec разрешает люфт в +6%.
VDD=1.166 (идет на процессор)
VDDQ=1.166 (идет на контроллер процессора)
VPP=1.908 (для доступа к строке)
VDD может быть меньше VDDQ на 66 мВ.
Максимальные напряжения (по Jedec):
VDD=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VDDQ=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VPP=2.10
VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 100 мВ по билдзоиду,
а по Jedec 66 мВ (6% для напряжения 1.1В). Для DDR4 VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 300 мВ.
MSI считает 1.435 относительно безопасным напряжением на память DDR5.
Напряжения для процессора:
1)Transmitter VDDQ=TX VDDQ =1.25+ (CPU VDDQ Voltage), выставляем =VDDQ на памяти, есть мнение, что нужно выставлять = большему из двух параметров (VDD и VDDQ на памяти).Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 1.1V. Dakar считает безопасным 1.28-1.32V.В принципе 1.35V должно хватать для разгона.
2)MC VDD (на контроллере=CPU VDD2 Voltage)= 1.25+
(зависит от частоты памяти, количества ранков и количества планок)
Buildzoid считает оптимальным 1.20-1.45V. Сток - 1.1V.
Максимум по даташиту интела 1.26 (для DDR4) и 1,166 для DDR5.
garison87-Игорь не рекомендует превышать 1.40V.
3)SA (CPU SA Voltage)=1.25+
Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 0.9V.
1.35V должно хватить для любого разгона.
Китайский оверклокер sulalin считает, что при разгоне нужно вручную задавать только напряжения VDD и VDDQ на память, оставляя все остальные в авто.
[spoiler=]When I use HYNIX-MDIE, the IMC voltage is always set to AUTO / SA:AUTO / IVR TX VDDQ:AUTO /DRAM VPP:AUTO
When I overclock the memory, I only set the two voltages of DRAM VDD/VDDQ, and the others are set to AUTO.

Обозначения напряжений в биосе у Асуса

Приблизительная аналогия напряжений для DDR5 и DDR4:
1.20 у DDR5 это как 1.30 у DDR4
1.25 это как 1.35
1.30 это как 1.40
1.35 это как 1.45
1.40 это как 1.50
Пресеты напряжений из биоса асус апекса
Вложение:
A46A5B40-C5C1-4F27-BB45-677739004192.jpeg
A46A5B40-C5C1-4F27-BB45-677739004192.jpeg [ 32.65 КБ | Просмотров: 278347 ]

Вложение:
266B6356-7A74-4036-B024-C6FCCA3250D5.png
266B6356-7A74-4036-B024-C6FCCA3250D5.png [ 371.71 КБ | Просмотров: 123773 ]
ПРОСТАЯ ТАБЛИЦА по разгону памяти DDR5 на интеле
http://bit.ly/3bITglw
Примечание к таблице:
tCL можно устанавливать любые четные из интервала 22-92
tCWL=tCL-2
tWR кратно 6 из интервала 48-132
tRTP выбирать из 12,14,15,17,18,20,21,23,24,26,27,29,30,32,33
CCDL выбирать из интервала 8-22
CCDLWR всегда в 2 раза больше,чем CCDL,интервал 16-44
CCDLWR2 всегда в 4 раза больше, чем CCDL,интервал 32-88.
Советы по разгону
Разгонять лучше всего на частотах, что есть в Jedec.
3200,3600,4000,4400,4800,5200,5600,6000,6400,6800 и выше (по +400).
Разгон идет в режиме контроллеров памяти (теперь их у интела два) Gear2,
в нем скорость контроллера в два раза меньше скорости памяти.
При этом должны быть обязательно четными тайминги:
-tCL
-tCWL
-tWR
-tRTP
-CR
Шаги разгона.
1.Устанавливаем приемлемое для нас напряжения на память:
- VDD (DRAM Voltage)- в hwinfo SWA,
- VDDQ (DRAM VDDQ Voltage)- в hwinfo SWB,
- VPP (DRAM VPP) - в hwinfo SWC;
и напряжения на процессоре:
- TX VDDQ (transmitter VDDQ)=VDDQ на памяти, в hwinfo VDDQ TX
- MC VDD (напряжение на контроллере) - аналог vccio для ddr4 (max по даташиту интела =1.2+5%=1.26 для ddr4 и 1.116+4,5%=1.166 для ddr5), родное напряжение обеспечивает работу памяти для 2DIMM плат - 4800 SR/DR, для 4DIMM плат - 4400 -2SR или 2DR, 4000- 4SR, 3600- 4DR, в hwinfo CPU VDD2
- VCCSA
2.Выставляем первичные тайминги, для tCL нужно использовать четные, для tRCD и tRP возможны и нечетные. Учитываем, что tRAS>=tRCD+tRTP(min=12). tRAS по Jedec для любой частоты памяти = 32 ns.
tCWL=tCL-2.
RRDS=8,RRDL>=8,FAW=32 (для DDR5 памяти с 1К страницами FAW=32 по Jedec (тут джедек большой молодец) на любых частотах!)
Оптимально иметь tCL=tRCD=tRP.
tCL и tCWL обязательно четные.
3.Тестируем.
4.Устанавливаем вторичные и третичные тайминги согласно моей простой таблице для разгона DDR5-памяти.
Можно смело сразу выставлять
tRTP=12 (min12)/иногда нужно 14
tWTRS=8-10 (min4)/ATC завышает значение на 4
tWTRL=20-24 (min16)/ATC завышает значение на 4
tWR=48 (min48)
tRDRDsg=12-16 (min8)
tWRWRsg=24-32 (min16)
tRDWRsg/dg=20 (min рабочее 17)
tXP=8
5.Тестируем.
6.Настраиваем tRFC и tREFI.
tRFC для 16-Гбитных чипов должно быть кратно 16, а для 8-Гбитных чипов - 8.
Удивительно, что биос выставляет tREFI в 2 раза меньше, чем он должен быть согласно Jedec (при этом tREFI для DDR5 и так уменьшен в 2 раза по сравнению с DDR4).
Найден ответ - https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17742370#p17742370:
Разобрался с tREFI и tRFC для DDR5.
Refresh mode setting у DDR5 выставлено в отличие от DDR4 в режим FGR, а не Normal.
Поэтому значение tREFI в биосе в 2 раза меньше, чем мной ожидалось (1.95 us, а не 3.9 us).
И из-за этого в асрок тайминг конфигураторе приводится значение tRFC2, а не tRFC.
Значения по Jedec
tRFC2 для
16 Gb-чипов - 160 нс
8 Gb-чипов - 130 нс
tRFCsb для
16 Gb-чипов - 130 нс
8 Gb-чипов - 115 нс

Вывод:
относительно безопасно повышать дефолтное значение tREFI в 4 раза для обычного разгона (25000 для 6400), для бенчей допустимо повышение в 8-16 раз.

tREFI лучше выбирать из этих значений:
262143 максимум, нет сдвига
130560 (сдвиг в пределах 2-х)
87040 (сдвиг в пределах 3-х)
65280 (возможен сдвиг в пределах только 4-х tREFI)
52224 (при tREFIx9 в биосе = max =255 еще будет возможность сдвигать обновление как задумано в пределах 5хtREFI)
7.Финальное тестирование.
Замеченные противоречия с Jedec в биосах материнских плат
1.Платы позволяют выставить tRAS меньше теоретически возможного, даже меньше tRCD.
2.tCWL можно выставить =tCL, при этом авторы биоса обещают увеличение производительности.
Можно выставить и tCWL=4.
Но верное tCWL=tCL-2, смотреть по минимальному tRDWR (при tCWL=tCL tRDWR не удается снизить, поэтому нужно выставлять tCWL по Jedec).
3.tWR можно выставить значительно меньше 48. Видел даже 0.
4.tWRWRsg может быть меньше, чем 2*tRDRDsg, 14 спокойно работает при tRDRDsg=12. Даже видел WRWRsg<RDRDsg, WRWRsg=9 RDRDsg=11. Вот только реально в регистрах эти тайминги напрямую связаны как tWR и tRTP для DDR4, поэтому реально работают другие тайминги, думаю , что занижение WRWRsg биос игнорирует и считает по RDRDsg.
5.RRDS=4 RRDL=4 FAW=16 можно выставить и получить профит.
6.tRTP можно выставить меньше 12. Видел 2.
7.RDRDdg и WRWRdg можно выставить равными 7.
Попытка объяснения найденных противоречий (мои мысли на 20/11/2021)
У DDR5 современные платы видят каждую планку не как одну целую, а как две раздельных с шириной шины 32 бит, а не 64 бита. Поэтому BL=8, а не 16. Этим можно объяснить RRDS=4 и FAW=16. Но тогда и RDRDdg с WRWRdg должны равняться 4. Это же объясняет и другие формулы в асусмемтвике и драгонболле для WRRDsg/dg и WRPRE: +6 вместо +10 и +4 вместо +8 соответственно. Правило WRWRsg=2*RDRDsg биосы обходят точно так, как правило для ddr4 по WR=2*RTP. Про заниженные значения tWR,tRTP - или плата реально применяет другие значения, или мы не находим ошибки из-за большого кэша, так как для их выявления тестировать нужно программами, которые пишут, минуя кэш.
Про повышение производительности при tCWL=tCL : вероятно, это происходит при чрезмерном снижении tCL, так как в идеале tCL=tRCD=tRP, а у DDR5 tCL занижают на 10 тактов и больше.
Совет : повышать tCL, оставляя tCWL=tCL-2, наблюдая за производительностью. Когда производительность станет выше при tCWL=tCL-2, то мы нашли наш минимальный tCL и истинный tCWL.

Программы для разгона
Просмотр таймингов в windows:
ASROCK Timing Configurator 4.0.14 (Z790 - работает) - https://drive.google.com/file/d/1jY2Qgk ... uS4SuUkByp
ASUS MemTweakIt_20221101 - https://www.dropbox.com/s/fee9xkrv54ptb ... 1.zip?dl=0
ASUS MemTweakIt_20220317 (Z790 - работает) - https://drive.google.com/file/d/1FXco64 ... BL33L6t_nA
MSI Dragon Ball 1.0.0.10- Intel - https://drive.google.com/file/d/1RxBXjf ... sp=sharing
MSI Dragon Power 1.0.0.12 - Intel - https://drive.google.com/file/d/1iEvykG ... sp=sharing
Intel MLC GUI
https://anonfiles.com/Degdm5E9yd/IMLCGui_exe
Asus MemTweak
https://anonfiles.com/X935r9T1ud/MemTweakIt_20210910_zip
MSI Dragon Power
https://anonfiles.com/p7BcC9Ucuc/MSI_Dragon_Power1.0.0.6-intel_zip
MSI Dragonball
https://anonfiles.com/h5B9C4U0u8/MSI_Dragon_Ball1.0.0.08_zip
https://drive.google.com/file/d/1XmKv13D0MgC9fPaA91535wCe9ztoeaHV/
Asrock Timing Configurator 4.0.12 for z690
Asrock Timing Configurator 4.0.13
Тестирование памяти:
Testmem5 with custom config
HCI memtest (400% на поток)
RunMemTestPro 5.0 (оболочка для запуска HCI memtest)
RunMemTestPro 7.0 (оболочка для запуска HCI memtest)
https://drive.google.com/file/d/1rSuXIB ... f1g4R/view
Karhu (10000%)
y-cruncher N32 лучше всего тестирует tREFI и tRFC
Memtest86+ v6.00 - https://www.memtest.org/
Примечание:
ATC неверно показывают значения WTRS и WTRL (на 4 выше, чем в биосе).
Связано с неверными формулами подсчета.
Биос считает по формулам:
WRRDsg/dg=CWL+10+WTRL/S
А ATC считает по старым формулам (как у DDR4):
WRRDsg/dg=CWL+6+WTRL/S

Для разгона производители повышают напряжение с 1,1В до 1,35В.
С 5200 уже есть модули с напряжением 1,25В с таймингами 38-38-38-84,
с напряжением 1,1В и частотой 5200 тайминги 40-40-40-76.
Для 4800 с напряжением 1.1В тайминги 34-35-35-69, 38-38-38-70.
С 6600 и 6666 напряжение 1,35В с таймингами 40-40-40-76.
GSkill
#77

Официально поддерживаемой скоростью памяти на платформе Alder Lake является DDR5-4800, поэтому все остальное считается разгоном. Хотя более быстрые комплекты памяти DDR5 тестируются, IMC процессора (встроенный контроллер памяти) по-прежнему является решающим при выборе скоростей DDR5-6000+. Несмотря на это, есть информация, что в будущем платформа Intel Alder Lake и её последователи смогут поддерживать модули памяти со скоростями вплоть до DDR5-10000.
Стандарт Jedec (JESD79-5B, август 2022) по DDR5:
платный - 369 US

Micron DDR5 datasheet

Hynix M-Die datasheet

Доступная информация
Информация от Интел
У всей памяти DDR5 есть такие достоинства и особенности:
-встроенная схема управления питанием
-коррекция ошибок ECC
-опционально поддержка профилей Intel XMP 3.0.
Общие сведения
Одним из улучшений DDR5 является более низкое рабочее напряжение 1,1 В в сравнении с 1,2 у DDR4. Однако только память DDR5-4800 и некоторые комплекты памяти DDR5-5200 работают при 1,1 В. Но не все комплекты памяти DDR5-4800 одинаково полезны. Судя по всему, у Corsair лучшие комплекты памяти DDR5-4800 из всех производителей. Dominator Platinum имеет тайминги 34-35-35-69, тогда как Kingston Fury Beast имеет - 38-38-38-70. Учитывая болеенизкие тайминги и яркий внешний вид, комплект памяти Corsair, вероятно, будет иметь преимущество.
Однако самыми быстрыми комплектами памяти DDR5 являются модули от G.Skill. Производитель предлагает комплекты памяти DDR5-6000 и DDR5-6666 из линейки Trident Z5. Независимо от скорости они имеют тайминги 40-40-40-76 при напряжении 1,35 В. Кроме того, в планах у компании G.Skill уже есть модули DDR5-6800.
Оперативная памятя DDR5 совместима со спецификацией Intel Extreme Memory Profile (XMP) 3.0. Новая спецификация делает разгон памяти еще проще, позволяя хранить на модуле больше профилей и легко настраивать их.Спецификация Intel XMP 3.0 для DDR5 позволяет хранить 5 профилей и легко перезаписывать два из них.Пять профилей для пятого поколения оперативной памяти DDR5! Два профиля пользователь волен настраивать как угодно через программное обеспечение.
#77
#77
Источник: Intel Corporation, презентация Blueprint Series
В новой спецификации Intel XMP 3.0 количество профилей увеличили с двух до пяти, три профиля предоставляет производитель, а два оставшиеся перезаписываемые и могут легко настраиваться пользователем через фирменное программное обеспечение. Профилям можно давать понятные имена длиной до 16 символов. Поддерживается проверка контрольной суммы CRC. Также стоит снова упомянуть «переезд» схемы управления питанием на модуль, схема управляет напряжениями VDD, VDDQ, VPP.
В профиле XMP 3.0 можно выставить tRC.
#77
Одной из особенностей 12-го поколения процессоров интел относится технология динамического управления профилями оперативной памяти Intel Dynamic Memory Boost. Главный инженер лаборатории разгона Intel Дэн Рэгланд объяснил, что эта технология является своеобразным аналогом Turbo Boost для оперативной памяти и работает автоматически.
#77
Источник: Intel Corporation, презентация Blueprint Series
В зависимости от нагрузки Intel Dynamic Memory Boost динамически выбирает подходящий профиль оперативной памяти: стандартный JEDEC или XMP. Технология работает с DDR4 и DDR5 сертифицированными модулями Intel XMP и переключает профили автоматически, опираясь на интеллектуальный алгоритм. Задействовать функцию можно простым включением соответствующей настройки в BIOS материнской платы.

Информация от MSI
В отличие от памяти DDR4, система питания чипов которой располагалась на материнской плате, у DDR5 VRM теперь находится непосредственно на самих модулях ОЗУ. С точки зрения эффективности управления питанием это можно назвать преимуществом, однако оно имеет и свой недостаток в виде изменения степени нагрева модулей памяти в целом.
#77
Сделанный специалистами MSI тепловой снимок модуля DDR5, оснащенного контроллером RENESAS P8911-Y0, с установленным напряжением в 1,35 В (VDDQ / VDD), наглядно демонстрирует нагрев свыше 56 градусов по Цельсию именно в зоне VRM. По мнению MSI, это означает, что все высокочастотные модули DDR5 будут требовать наличия массивных радиаторов охлаждения.
Возможно лучшие контроллеры питания памяти PMIC на данный момент: anpec и richtek.
Их всего есть 5 . + Renesas, GMT, MPS.
Можно узнать из биоса вендора PMIC.
Другим нюансом, который обозначили инженеры MSI, является наличие у материнских плат MSI Z690 трёх режимов питания памяти DDR5:
- стандартный режим безопасности с заблокированными значения 1,1 / 1,1 / 1,8 В (VDD / VDDQ / VPP);
- программный режим, который будет являться штатным и работать в диапазоне значений 1,1- 1.435 / 1.1-1.435 / 1.8-2.135 В;
- режим разгона, для которого на материнских платах высокого класса будет распаяна специальная микросхема, необходимая для разблокировки диапазонов программного режима.
#77
#77
Далее специалисты компании прошлись по вопросу выбора оптимального блока питания для материнских плат на чипсете Z690. Они вновь обратили внимание, что ранее на модули DDR4 питание подавалось от материнской платы и стандартное напряжение составляло 1,2 В, тогда как питание на VRM DDR5 идёт напрямую от блока питания и имеет напряжение 5 В. Это означает новые повышенные требования к стабильности напряжения по линии 5 В в блоке питания. Нестабильное питание по данной линии может привести к сбоям системы, либо ограничить разгон.

Рекордный разгон DDR5 на сегодня:

Как узнать производителя чипов памяти:
Corsair
#77
Ver3.43.01 = Micron 16Gbit A-Die (Q1 | Q2 | Q3)
Ver4.40.01 = Hynix 16Gbit A-Die
Ver4.49.01 = Hynix 16Gbit M-Die
Ver5.43.13 = Samsung 16Gbit B-Die
G.SKILL
#77
Lot Code
-S830A = Micron 16Gbit A-Die
-S82*A = Hynix 16Gbit A-Die
-S82*M = Hynix 16Gbit M-Die
-S810B = Samsung 16Gbit B-Die
Kingston
#77
Production Code: ETM[M][08]A2104
H - Hynix
K - ICs have been relabeled by Kingston
M - Micron (Spectek)
N - Nanya
S - Samsung

Руководство для разгона DDR5 - идея, материал и видео Scandaal, озвучка с коррекцией и дополнениями alaMut

Важные дополнения от odvolk10

tRFC по Jedec
#77

Про CR в биосе MSI
The description in BIOS is pretty good in my opinion, you just need to process what it says.
Real 1N allows for commands to be sent every single cycle, non-stop. Very hard to get stable.
N:1 mode allows for N commands to be sent in a row, before waiting 1 cycle. As you increase N, the performance gets steadily closer to real 1N in performance. At higher values for N this can be quite tricky to get stable.
1N is N:1 with N set to 3. This is relatively achievable to stabilize, and gets you most of real 1N's performance.
N:1 with N set to 1 is very similar to 2T, but will train RTLs 1 tick lower resulting in slightly higher performance.
I used N:1 for competitive overclocking recently, but found that the BIOS didn't set the N value correctly upon boot, so I had to manually change it in OS to get proper performance out of it.

От лучшего к худшему:
1.Real 1N - настоящий CR1, в режиме Gear2 невозможен
2.N:1=1:1 - псевдо CR1 для Gear2, реально CR2
3.1N=3:1 - псевдо CR1.5 для Gear2, реально CR3
4.2N=4:1 - псевдо CR2 для Gear2, реально CR4

Как уменьшить латентность
1) Низкие тайминги
2) Низкий RTL
3) CR1
4) Высокий ринг ( А значит надо офать Е ядра)
5) Чистая винда
6) Ну и последнее но не по важности - Отключайте виртуализацию в биосе . Иногда она жрет псп и латентность нехило так.

В ветке есть опасные для железа советы и просто вредные от Alzov, Alterus, Alex Topman.
Применять их только на свой страх и риск.

Верная тренировка - определяем по RTL
Для 6800
При tCL=30 RTL=57/58
При tCL=32 RTL=59/60
RTL=частота памяти/800 + tCL + 19
затем округляем вниз (RTLA) и вверх (RTLB)
Не забываем на MSI отключать режим Lucky mode

Формулы асрок тайминг конфигуратора
WTRL=WRRDsg-CWL-6
WTRS=WRRDdg-CWL-6
WR=WRPRE-CWL-4 (так считает и асусмемтвик)

А реально для DDR5 актуальны другие формулы (по ним считает биос msi и драгонболл):
WTRL=WRRDsg-CWL-10
WTRS=WRRDdg-CWL-10
WR=WRPRE-CWL-8

Итог- асрок тайминг завышает истинное значение WR,WTRL и WTRS на 4.

Частота памяти на разных платах, протестированная Интел

Как исключить КП из лимитирующих факторов при разгоне памяти
При разгоне памяти мы достигаем предельной частоты.
Она может быть обусловлена платой, памятью, контроллером памяти процессора.
Чтобы исключить контроллер памяти, предлагаю переключиться в режим Gear4, тогда КП будет работать с пониженной вдвое частотой. Для исключения платы можно воспользоваться листом поддержки памяти на сайте производителя материнской платы. Если плата должна держать эту частоту, а у нас не держит, то проблема, скорее всего, с нашей памятью.


Как узнать производителя чипов памяти у своего модуля памяти


Руководство по разгону памяти от Максима

_________________
TableDRAMIntel(simple3nov2020+обычная)
bit.ly/3rTIBLv
bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme)
bit.ly/2Oe8R00
bit.ly/2H9jIZH
bit.ly/2MUvl6n


Последний раз редактировалось James_on 20.01.2023 17:17, всего редактировалось 202 раз(а).
Добавлен гайд разгона памяти от Максима.



Партнер
 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
Немного не в тему но Даташит интела 12 поколения

или так

Касающаяся темы информация - от 70 страницы
Из интересного
Вложение:
тайм.png
тайм.png [ 34.81 КБ | Просмотров: 52170 ]

Также на скрине из биоса мси засветился еще один тайминг
Открыли доступ к tRFCpb - Per Bank Refresh Cycle time
биос мси
Вложение:
memory-Boost-D5.jpg
memory-Boost-D5.jpg [ 130.09 КБ | Просмотров: 52170 ]


Добавлено спустя 2 часа 1 минуту 7 секунд:
Вложение:
FDMJU1UWEAItqSu.jpg
FDMJU1UWEAItqSu.jpg [ 198.15 КБ | Просмотров: 52125 ]


Добавлено спустя 50 минут 51 секунду:
ВОзможно лучшие контроллеры питания памяти PMIC на данный момент
anpec и richtek
надо проверить
Их всего есть 5 . + Renesas, GMT, MPS
Можно узнать из биоса вендора PMIC


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
Для любителей покурить даташиты DDR5
Micron 8*2gb SR ( полный)

или так

Самое от 471 страницы

SK Hynix 8*2 SR ( урезанный пока - отсутствуют разделы из 4 по 10 )

или так


Из интересного что сразу в глаза кинулось

Максимальные вольтажи Hynix
Вложение:
хайникс.png
хайникс.png [ 98.99 КБ | Просмотров: 52019 ]

Максимальные вольтажи Micron
#77#77


CCD_L_min
Вложение:
ccd_l.jpg
ccd_l.jpg [ 156.54 КБ | Просмотров: 52019 ]


В даташите интела заявлено (страница 79)
Вложение:
data79str.png
data79str.png [ 10.11 КБ | Просмотров: 52007 ]


для 4 дим плат ( 2 димма на канал)
4400 1DPC SR/DR
4000 2DPC SR
3600 2DPC DR

для 2 дим плат ( 1 димм на канал)
4800 1DPC SR/DR

А тут из даташита MSI Z690 ACE
Вложение:
ace.jpg
ace.jpg [ 97.85 КБ | Просмотров: 52007 ]

хоть в их же QVL есть 4800 *4 SR
Вложение:
ace2.png
ace2.png [ 120.38 КБ | Просмотров: 52007 ]


Предположу что про разгон 4 планок надо забыть , ( по крайней мере на старте платформы) . Если вам нужен большой объём например 64 гб то лучше взять 2 двуранговых модуля 32гб *2 для большей частоты.
Пока в дадашитах видел только 5600 DR максимальный спидбин
Поддержка на 2 дим плате например


Добавлено спустя 1 час 44 минуты 44 секунды:
Поддерживаются только четные tCL
например спидбин 6000
Вложение:
пар.jpg
пар.jpg [ 225.97 КБ | Просмотров: 51988 ]

Формула tCWL = tCL -2 во всех даташитах преследует :crazy:
Вложение:
цвл.jpg
цвл.jpg [ 288.91 КБ | Просмотров: 51988 ]


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
G.SKILL продолжает заниматься разгоном оперативной памяти нового поколения DDR5 и на этот раз демонстрирует стабильный разгон комплекта Trident Z5 до 7000 MT/s с задержками CL40-40-40-76. Компания напоминает, что ранее аналогичную скорость работы удавалось достичь на DDR4 только при помощи жидкого азота, теперь для этого достаточно иметь радиаторы.

#77

_________________
TableDRAMIntel(simple3nov2020+обычная)
bit.ly/3rTIBLv
bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme)
bit.ly/2Oe8R00
bit.ly/2H9jIZH
bit.ly/2MUvl6n


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.08.2008
Откуда: Град стольный
Китайсы вообще отжигают https://dtf.ru/hard/705045-kitayskaya-n ... ysyach-mgc
И ведь родят черти :-)
Может фейк? На дату посмотрел :oops:

_________________
Тот кто не понял с 3-х раз, поймёт с трёх букв!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
Svenson
в Gear 4
Вложение:
14075826641166.jpg
14075826641166.jpg [ 28.96 КБ | Просмотров: 51879 ]

Хотя кто знает. Может на такой частоте и будет компенсация от "DDR PHY bus clock is quad of QCLK"
Ну ето все в будующем (микрон зарезервировал в шитах 8800 бин ) , а пока гигабайт отжигает :crazy:
8300 cl52
Вложение:
FDQ1MX-WEAANiUr.png
FDQ1MX-WEAANiUr.png [ 165.11 КБ | Просмотров: 51879 ]


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.08.2008
Откуда: Град стольный
Посмотреть бы игровые тесты (я думаю большинство юзверей они интересуют) скажем хотя бы 4500 Cl17 DDR4 vs 4800 Cl** DDR5 и экстраполировать их приблизительно на более высокие частоты DDR5 с примерными ожидаемыми таймингами. А то инфы с гулькину гузку :-)

_________________
Тот кто не понял с 3-х раз, поймёт с трёх букв!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
Svenson писал(а):
Посмотреть бы игровые тесты (я думаю большинство юзверей они интересуют) скажем хотя бы 4500 Cl17 DDR4 vs 4800 Cl** DDR5 и экстраполировать их приблизительно на более высокие частоты DDR5 с примерными ожидаемыми таймингами. А то инфы с гулькину гузку :-)

4500с17 только в Геар 2. и Gear 1 попроизводительней будет.
Есть инфа что легко 4000 взять в геар 1 + бидаи не оч любит контроллер алдеров. но это все слухи проверить бы.

4533 если точнее ( в геар 2 шаг мин 66*2*2 ) остальное шина. ( для контроллера ддр4 в рокелейках я имею виду. Как будет в алдерах посмотрим)
та вроде не поменялось .
или я не догоняю :crazy:
Вложение:
множ.jpg
множ.jpg [ 75.93 КБ | Просмотров: 51833 ]


Последний раз редактировалось 2500K_2 03.11.2021 18:54, всего редактировалось 2 раз(а).

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.11.2007
Откуда: Вавилон-5
Фото: 0
Пока первое что отпугивает это высокие тайминги, нужны тесты которые покажут, что они не режут производительность по сравнению с быстрой DDR4.

_________________
Вот котелок, кипит на огне, места в нем хватит Лондо и мне.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
G'Kar писал(а):
Пока первое что отпугивает это высокие тайминги, нужны тесты которые покажут, что они не режут производительность по сравнению с быстрой DDR4.

Тайминги как тайминги. В нс надо считать все / Возможно просто ддр4 из своими бидаями и слишком агрессивными таймингами нас разбаловала. :crazy:
4733_16_dr
Вложение:
4733_16.jpg
4733_16.jpg [ 498.36 КБ | Просмотров: 51825 ]

5000_16_sr
Вложение:
5000_c16_sr.jpg
5000_c16_sr.jpg [ 1.2 МБ | Просмотров: 51721 ]

4010_c13_dr
Вложение:
4010_c13_dr.png
4010_c13_dr.png [ 2.24 МБ | Просмотров: 51721 ]


И что такое быстрая ддр4 для алдера ? ну в рамках одной платформы процессоров надо сравнивать как по мне.
Бидаи в геар1 ? или в геар2 ? контроллер ддр4 ,если верить слухам, может выше латентность показать ( единственный аргумент ддр4).
А может DJR DDR4 5600 - 5866 - быстрее теперь на новой платформе?

Каждые 7 лет один и тот же аргумент - тайминги :-)
Предлагаю окунуться в историю


Последний раз редактировалось 2500K_2 04.11.2021 9:59, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.08.2008
Откуда: Град стольный
2500K_2 Да конечно все будет. И перелезем на ддр5 как миленькие. Кто-то пророчет через тройку лет. Ну мы здесь все неугомонные. Сдается раньше.
Вот показательный тред из той темы из 14-го:

Цитата:
Crash

теперь подумай какой от них толк, если ддр3 на частоте 2133 может работать цл9\10 против 15 у ддр4. Прирост производительности сомнителен. На какой либо прирост можно рассчитывать при частотах больше 3000мгц. и то не все процессоры поддерживают память овэр 3000мгц. Да и по тестам видно, что нынешние системы имеют максимальную производительность при частотах памяти 2133-2400, а далее высокие тайминги сжирают профит от высокой частоты, если конечно это не память 2800 цл 12. Про ддр4 можно забыть года ещё года на 3. моё имхо и логический вывод.

Реально прям дежавю :-)

_________________
Тот кто не понял с 3-х раз, поймёт с трёх букв!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
DQS_RTT_PARK
RTT_WR,
RTT_NOM_RD,
RTT_NOM_WR
RTT_PARK

Ухх Веселье то будет :crazy:


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
На этот раз Jedec хорошо потрудилась, создала стандарт с огромным запасом, на десятилетия, не ограничила, как с DDR4.
Память есть смысл разгонять до частоты,где tRC<=256 (32 банка при RRDS=8 и FAW=32).
Учитывая tCL=tRCD=tRP=15 ns, до частоты 11400 проблем не будет!

_________________
TableDRAMIntel(simple3nov2020+обычная)
bit.ly/3rTIBLv
bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme)
bit.ly/2Oe8R00
bit.ly/2H9jIZH
bit.ly/2MUvl6n


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
anta777
Мне один владелец сказал что rrd_s 4 выставил из tFaW -16 на ддр5
И показатели были выше в фотоворксе. :haha:
А если выставить 8 8 32 то хухе стало
Чет я ему теперь не буду верить на слово :crazy:


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Весь смысл DDR5 - это BL=16 , а не BL=8 , как у DDR4.
Поэтому RRDS=8, про что и написано в даташитах.
А лучший FAW=32.
BL=32 только для чипов х4, мы их видеть в продаже не будем.

_________________
TableDRAMIntel(simple3nov2020+обычная)
bit.ly/3rTIBLv
bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme)
bit.ly/2Oe8R00
bit.ly/2H9jIZH
bit.ly/2MUvl6n


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
anta777 писал(а):
Весь смысл DDR5 - это BL=16 , а не BL=8 , как у DDR4.

Вот именно . надо в табличку и на шапку темы в 1 строчку.


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Так у меня уже почти готова таблица для разгона DDR5, чтобы ее закончить не хватает только данных по тем таймингам, что можно крутить в биосе. Только их получу, так сразу же выложу.

И для DDR5 аиде64 нужно будет менять бенчи, я так считаю.

_________________
TableDRAMIntel(simple3nov2020+обычная)
bit.ly/3rTIBLv
bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme)
bit.ly/2Oe8R00
bit.ly/2H9jIZH
bit.ly/2MUvl6n


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
anta777 писал(а):
Так у меня уже почти готова таблица для разгона DDR5, чтобы ее закончить не хватает только данных по тем таймингам, что можно крутить в биосе. Только их получу, так сразу же выложу.

И для DDR5 аиде64 нужно будет менять бенчи, я так считаю.

Из-за чего ? неправильного определения латентности ?
вроде разные есть в аиде
aida
Вложение:
латентность.jpg
латентность.jpg [ 49.11 КБ | Просмотров: 51643 ]

Или таки эти 32 битные каналы полноценны и 4 канал должен рисовать 200 GB/s на 6400 ?


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Да, каналы полноценны.
И еще вместо фотоворкса.

Добавлено спустя 22 минуты 35 секунд:
Но у меня получается для 6400 теоретическая скорость одного канала (реально 2 канала по 32 бита).
DDR5-6400, PC5-51200 400 МГц 3200 МГц 6400 МТ / с 51,2 ГБ.
У нас реально будет 4 канала, но 32-битных, поэтому и скорость = 102,4Гб.

_________________
TableDRAMIntel(simple3nov2020+обычная)
bit.ly/3rTIBLv
bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme)
bit.ly/2Oe8R00
bit.ly/2H9jIZH
bit.ly/2MUvl6n


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 09.01.2014
Откуда: Кузбасс
Фото: 0
anta777 писал(а):
Так у меня уже почти готова таблица для разгона DDR5, чтобы ее закончить не хватает только данных по тем таймингам, что можно крутить в биосе. Только их получу, так сразу же выложу.

Это будут уже готовые настройки, которые можно будет сразу выставлять не парясь со стресс-тестами?


Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 5312 • Страница 1 из 2661  2  3  4  5 ... 266  >
-

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 5


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  



Лаборатория














Новости

Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan