Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.06.2005 Откуда: Зеленоград
Вчера сделал доработку бустера по схеме с операционным усилителем LM358.
Схема: http://img395.imageshack..us/my.php?imag ... dcd6lo.jpg При первом включении оказалось, что не правильно выставил переменный резистор. На индикаторах было 4.7 вольта. Выставил правильно, проверил. Всё работает на ура с тем БП, с которым до доработки не хотел работать ни в какую! В выходные буду проверять, как бустер работает под нагрузкой.
Спасибо всем за оказанную помощь
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.12.2004 Откуда: околотки Ебурга
angru Поздравляю!
Надеюсь ни чего не спалил?
Вот к стати и обещаные мной полгода назад вотографии тестового образца
#77
Вид со стороны деталей
#77
Вид со стороны пайки
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.09.2005 Откуда: Seattle
Всем доброго времени суток.
ShD отдельный респект. В субботу еду на радиорынок в сеул. Кажись помнится мне была монтажная плата под размеры DIMM DDR, хотя точно не помню, и есть вероятность, что SDR.
Во первых Шурик Дербенец направил сюда, за что и ему отдельное спасибо. Вопрос я задавал тут: http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=135208 Не посчитайте, что дублирую сообщения в разных темах, но вкраце
Хотелось бы узнать влияние ли обработанного PCB (тот, с которого предварительно сдуто всё. Микросхемы, ёмкости, резистивные сборки... в общем останется голая PCB, к которой и буду подпаиваться.)
на временные характеристики подсистемы памяти? Всё же на линии добавится дополнительные ёмкости и возможно индуктивные линии (последнее вряд-ли, т.к протекания тока не будет).
Походу возник вопрос. Подключение же оригинального бустера не требует отсоединения стабилизатора памяти от мамки?
То есть теоритически схему ShD можно подключить так же как бустер...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.09.2004 Откуда: //Earth/Eurasia
m_i_o По идее это уже все обсуждалось тут. Существуют 2 вида устанавливаемых на мать стабилизаторов питания памяти. Импульсные и линейные. С импульсными стабилизаторами использовать бустер невозможно по причине полнейшей несовместимости принципов работы. С линейными - как правило можно, но все же встречабтся исключения. Отключать родной линейный стабилизатор по моему не обязательно, так как когда мы подаём на его выход напряжение большее, чем то, на которое его расчитывали, он просто не откроется... Схему SnD можно по идее подключать так-же как оригинальный бустер на все платы, с которыми совместим бустер. Список есть на сайте www.ocz.com
_________________ Мой сайт www.techno-mind.ru - статьи о самоделках, технологиях, моддинге, тюнинге авто и т.д.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.12.2004 Откуда: околотки Ебурга
m_i_o Отключение стабилизатора уже обсуждалось http://forums.overclockers.ru/viewtopic ... 94#1657694 Если не нужны вых напряжения более 3,6В и применён линейный стабилизатор, то можно его не отключать, во всех остальных случаях отключение необходимая мера предосторожности.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.12.2004 Откуда: околотки Ебурга
Djemshut если бы внимательно прочитал всё, то такой вопрос бы не возник , а если прочитал и не понял, прочти ещё разок, и так пока не придёт понимание. Если так и не понятно, то юмори дальше
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.07.2005 Откуда: Харьков
ShD А я как раз не юморю- ветку почитываю, может и не очень внимательно, но зачем изолировать от радиатора электрически соединенные подложки транзисторов- убей, не понимаю.
ShD писал(а):
При выходном напряжении 2,6В и питании от +5В нагрев мосфетов около 90 С при нагрузке в виде четырёх шестнадцатичиповых димов BH-5 (2Гб) во
Только ради того чтобы получить на радиаторе нейтральный потенциал и получить возможность крепить его куда угодно? С точки зрения здравого смысла целесообразнее изолировать потом радиатор от корпуса, а если вы читали литературу по полевым транзисторам, то должны знать, что мосфеты при включении параллельно рекомендуется ставить на общий радиатор как можно ближе друг к другу для максимального выравнивания их температур. При таком расположении транзисторов возникает эффект теплового выравнивания тока через структуры (мосфеты имеют положитекльный ТКС, дальше объяснять не надо?) Удачи!
_________________ *:-.,_,.-:*'``'*:-.,_,.-:*'``'*:-.,_,.-:*
Auscultare disce, si nescis loqui.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.12.2004 Откуда: околотки Ебурга
Djemshut Возможно мы с вами читали разные книги, но изоляция применена как раз для выравнивания токов.
Первая страница, первый пост, раздел описание конструкции.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.07.2005 Откуда: Харьков
ShD первый пост редактировался по моему бесчисленное количество раз. его я как раз давно не читал...
Вопрос действительно спорный, но мне мне кажется Вы ошибаетесь, нужно стремиться к выравниванию температур транзисторов. Может есть еще мнения у кого?
_________________ *:-.,_,.-:*'``'*:-.,_,.-:*'``'*:-.,_,.-:*
Auscultare disce, si nescis loqui.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.12.2004 Откуда: околотки Ебурга
Djemshut Да возможно моя ошибка, сейчас к сожвлению, разбираться нет времени. Устройство делал, для эксперимента, эксперимент прошол успешно.
Я исходил из следующих соображений:
1 с ростом тока происходит увеличение температуры кристала
2 с ростом температуры кристала происходит уменьшение тока
в случае параллельного соединения из-за рассогласования характеристик кристалов ток через разные транзисторы будет различен, кристал пропускающий больший ток нагреется сильнее что приведёт к ограничению тока и как следствие к его увеличению через другие транзисторы. Через какойто промежуток времени установится баланс токов и температур.
В случае если все транзисторы имеют одну и туже температуру это условие не будет выполняться.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.04.2003 Откуда: Москва
ShD, для выравнивания тока как раз надо об'единять стоки. И, желательно, обеспечивать максимально близкий тепловой режим.
Изолировать надо по другой причине - открытое железо в компе крайне нежелательно, особенно если на этом железе есть потенциал отличный от ground.
Потому и надо (точнее очень полезно) изолировать транзисторы от радиатора.
Почитал тут Вас всех, завидую, уважаю Я тут собственно зашел позадавать дурацкие вопросы, ну и надеюсь получить на них хорошие ответы .
ShD писал(а):
Подключить на материнскую плату вместо штатного стабилизатора.
ShD писал(а):
Если не нужны вых напряжения более 3,6В и применён линейный стабилизатор, то можно его не отключать, во всех остальных случаях отключение необходимая мера предосторожности.
Расскажите мне пожалуйста вот что, - мне нужно 3.5в получить, и подключить такую штуку к материнке НЕ через слот для памяти, а вторым способом, через тот самый штатный стабилизатор. Где мне на мамке DFI Infinity i865PE найти этот штатный стабилизатор? И какой он, линейный или еще какой...?
Пасиба
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.12.2004 Откуда: околотки Ебурга
steelman По этой картинке сложно разобрать какой именно стабилизатор и где он находится, это тебе предстоит выяснит самому. Но скорей всего линейный и расположен поблизости от слотов памяти, вераятнее всего к низу от них. Поищи описание "рейл мода" для своей материнки, если найдёш описание то получиш ответ на свои вопросы: как и куда подключать.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 3
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения