Не секрет что далеко не все материнские платы способны подавать на память напряжение превышающее 3.2В, а большинство вообще ограничивается 2.85В.
Знаменитая своими модулями памяти OCZ разработала для этих целей DDR Booster - устройство позволяющее подавать на память напряжение вплоть до 4 вольт (зависит от модели мат. платы). Так как в наших краях я такого устройства не встречал, то предлогаю обсудить вот такую схемку:
Седьмой вариант схемы:
#77
Текущий вариант платы
#77 #77
Чертёж печатной платы в формате Sprint Layout
http://cp.people.overclockers.ru/cgi-bin/dl.pl?id=8856&filename=pcb.rar

Описание конструкции:
При разработке платы предусмотрена возможность установки как навесных так и SMD деталей, кроме фильтрующих конденсаторов они только в SMD корпусах, резистора R12 он выводной (на плате не показан, но место предусмотрено) и источника образцового напряжения D1 он выводной. Контактные площадки для установки SMD деталей выполнены для использования элементов типоразмера 1206. На плате устанавливаются все детали кроме F1 и R1, они впаиваются в разрыв проводов которыми подключается стабилизатор. Так как на рисунках показаны установленые детали в выводных и в SMD корпусах то этот момент требует особого пояснения: если используется выводной элемент то соответсвующий ему показаный с обратной стороны SMD устанавливать не требуется, и наоборот, если ставим SMD то выводной не ставится. Отдельно стоит отметить резисторы в цепях затворов R3, R4, R6 и R7: если используются SMD детали то необходимо разорвать дорожку в месте их установки между контактными площадками, а соответсвующие им выводные резисторы заменить перемычками.
Все четыре мосфета установлены на общем небольшом радиаторе через изолирующие прокладки. Прокладки вопрос спорный, но я руководствовался следующими соображениями: При параллельном включении мосфетов выравнивание токов происходит за счёт нагрева канала, при повышении тока возрастает температура кристала и сопротивление канала увеличивается, следовательно снижается ток текущий через данный транзистор и увеличивается ток протекающий в более холодном транзисторе, в течении небольшого периода времяни устанабливается температурный и токовый баланс. Так же благодалря изоляции транзисторов от радиатора устройство можно прикрепить непосредственно за радиатор к металической конструкции корпуса, тем самым ещё немного улучшив охлаждение.

Типы и возможная замена деталей:
Плата расчитана на использование выводных резисторов CF-0.125, подстроечный СП3-39А, но можно применить любые подходящие по габаритам. TL431 можно заменить на AP431. Мосфеты CEP603AL можно заменить на 50N06 или аналогичные.

Настройка:
Правильно собраное и подключеное устройство начинает работать сразу.
Только не стоит сразу подключать его к мат плате. Сначала необходимо подключить на выход устройства какую либо нагрузку, например лампу накаливания мощностю ват 20...30 на 6 или 12В. Затем проверить подключен ли провод Vsens к выходу! После этого можно подать питание на устройство. Дале проверяем наличие выходного напряжения и диапазон его регулировки, если всё прошло нормально, то оставляем устройство поработать часок другой. За это время стабилизируется температура мосфетов и необходимо внов проверить вых. напряжение, если уход не большой (у меня с прогревом не более 0,01В), то в принцепе устройство можно считать рабочим и оставить на дальнейший прогон или произвести настройку если чтото не устраивает. Перд подключением устройства я свой экземпляр гонял с нагрузкой около суток (жалко было бы если 2Гб BH-5 сгорело).
Как понятно из подписей к схеме минимальное выходное напряжение равно Vref и зависит от конкретного экземпляра D1, может быть от 2,44В до 2,55В. Максимальное выходное напряжение зависит от Vref, и разброса сопротибрений резисторов R8, R10 и R11. Диапазон регулировки в большей степени зависит от сопротивлений резисторов R10 и R11. Резистор R8 служит для защиты от обрыва цепи ОС при не качественном контакте движка подстроечника R10, и позволяет подбором номинала в небольших пределах изменять максимальное выходное напряжение, если к примеру получилось 3,91В, а надо 4В то увеличиваем R8 и наоборот. При указаных на схеме номиналах диапазон регулировки выходного напряжения ориентировочно равен 2,5...3,6В. Если выходное напряжение необходимо свыше 3,6В, то R11 необходимо уменьшить до 240 Ом. Перед подключением необходимо установить движок R10 в верхнее по схеме положение.

Подключение:
При подключени данного устройства возможны два варианта:
Использовать дохлую память на шины питания которой подключаем выход стабилизатора (предварительно удалив с неё чипы, резисторные сборки и SPD в том числе, а блокировочные конденсаторы следует оставить)
И второй вариант (наиболее простой и эффективный на мой взгляд) подключить на материнскую плату вместо штатного стабилизатора.
В первом случае нобходимо удостоверится в совместимости мат. платы и внешнего стабилизатора, на сайте OCZ посмотреть совместимость с DDR Booster.

Предостережения:
Я снимаю с себя всяккую ответственность за возникновение неисправностей, порчи оборудования в результате использования данного устройства, все манипуляции вы производите на свой страх и риск!

R1 на +5V? ... маладца!

serj
Я знаю что правильнее сделать на 12В, но для того и выложил схемку чтобы обсудить. Если делать на 12В то номинал надо увеличить до 1КОм.
К сожалению пока руки не дошли собрать для проверки, только детали приготовил.

Во-первых, TL431 имеет 'нулевой' ток, во-вторых, напряжение открывания MOSFET не 0.6V.
В результате, на выходе 4V может и не быть (даже при малом токе нагрузки).
Зачем надо было ставить 3 MOSFET? Для меня это загадка ...

serj

Я же говорю смотрел что есть под руками: при 20 градусах макс ток у этих транзисторов 25А по даташиту, при нагреве соответственно уменьшается. Четыре модуля по 512 мегабайт (у меня именно так) на сколько я помню в пике нагрузки потребляют около 20А плюс другие потребители на мат плате около 5А вот уже и 25А поетому считаю что надо как минимум два использовать, а третий просто для повышения надёжности. На фотографиях оригинального бустера тоже видно три транзистора, и не просматриваются намёки на импульсный стабилизатор(невидно трансворматора). Вот на основе всего этого и родилась такая схемка.
К стати на схеме написано 3.6 а не 4В, и это напряжение задаётся делителем, или вы имеете ввиду что мосфетам не хватит напряжения для открытия при работе от пяти вольт?
Карл Маркс говорил:"Критерий истины-практика". Соберу проверю и напишу результаты.
ЗЫ
С удавольствием выслушаю любые предложения по доработке данной схемы.

serj

В даташите на TL431 есть схема стабилизатора с использованием биполярного транзистора, на какомто форуме нашол пост в котором говорилось о том что китайцы в своих блоках питания АТХ в цени 3,3В используют простейшую схему- TL431+мосфет. Я открыл блок питания и увидел что так оно и есть. Цепь C1,C2,R2 подсмотрел у китайцев, делитель R3,R4,R5 расчитал на ориентировочно 3,6 вольта согласно формуле из даташита. Выравнивание тока через мосфеты обеспечивается автоматически: если растёт ток через один транзистор ввиду большей крутизны, то увеличивается его нагрев и сопротивление канала возрастает, ток идёт через другой транзистор (есть мосфеты и с обратной зависимостью).
Djemshut

Для защиты от этого и применён R3.
C1,C2,R2 повышает устойчивость схемы.

Потому что стабилизируем выходное напряжение которое зависит от тока потребления, нагрева мосфетов и т.д.
Если подстроечник поставить параллельно ТЛке то выходной каскад выпадет из цепи слежения и схема станет неуправляемой.
R5 ограничивает максимальное выходное напряжение на уровне ~3.6В (у меня интеловский чипсет и не хочется подавать на него бОльшее напряжение)
То что схеме необходима защита на случай пробоя мосфетов тут я согласен, но запас прочности по моему очень большой.

Да, но проблем с ним будет больше, а если не дай бох сдохнет то на память пойдё не 5 а 12 вольт и тут фейрверка не избежать.

Понял.
При чем здесь китайци? Иногда полезно посмотреть схемы АТХ. Впрочем, у народностей Китая это схемное решение встречается чаще.
Мда.
Вопрос - какой ток идет через MOSFET(ы) в питание памяти?
Аосле этого второй вопрос - сколько процентов кристалла MOSFET будет открыто? (пересчитывать из сопротивления)

serj


Я в ветке "возврашение 2-2-2-5" писал про потребляемый ток, измереный мной для двухстороннего DIMMa при прогоне S&M. На память (ветка почищена и своих постов найти не могу) один дим потребляет при 3,3В около 5 Ампер, следовательно четыре дима 20А в масимуме .
К сожалению цешка у меня больше 10 не меряет.

link можно? (или методику измерения)

serj
Линк дать не могу, тема или вычещена или на чистке.
А методика простая: напряжение питпния на память подавал на прямую с линии 3,3В БП, в разрыв провода ставил прибор и смотрел потребление с одним модулем , потом с двумя. Прирост показаний и есть искомое значение.
Сейчас ради интереса посмотрел "повер сипли калькулятор" там для одного 16чипового дима ток указан в пять ампер (наверно оттуда пятёрка и привязалась). Чтобы сказать точнее надо перемерять (сейчас пока нет возможности). Я спать, до завтра.

serj Ваше право, но попробую возразить
1. Я написал, что линейные стабилизаторы на такой ток нецелесообразны- слишком большая мощность рассеивается на регулирующем элементе. Какие стоят на диммЫ я не знаю.
2. ток в 20 А - отсюда взялся:

3. посмотрите плиз даташит- там схема с внешним регулирующим транзистором- поставьте транзистор с LDO- и все.
4. комментарии: зачем запитывать "стабилитрон" от входного напряжения, когда можно запитать от выхода? Pезистор R1 должен обеспечить ток не менее 1 мА через микросхему- а при номинале 510 ом там все 10 будут- можно смело ставить на 2 ком минимум.

Djemshut
А зачем огород городить на ЛМ317 (которой нет под рукой, да и схема посложнее будет, у лмки нет защиты от пробоя вых транзистора, то есть функционально схемы выйдут одинаковые), если можно это сдалать На ТЛ431 (котоая есть, и в обвязке проще).
Я ни чего не навязываю, но советую прочитать даташит на 431

Один вопрос интересней другого, можно и от выхода, но это приведёт к усложнению схемы (нужно делать принудительный запуск стабилизатора при таком варианте сам он в режим не выйдет, хотя это может благотворно сказаться на парраметрах, но такого варианта в схемах с регулировкой мне не попадалось)

и не более 100, вот 10 в самый раз.
Shurik Dribenetc
Жаль , но этого стоило ожидать.

ShD, померь и продолжим. Интересен пиковый и средний ток (мерить осциллографом, естественно).
Кроме того, если ты запитывал DIMM прямо от 3.3, то сделай то-же, но через мощный диод (с конденсатором, естественно) - можно будет экстраполировать мощность от напряжения.

serj
Сейчас к сожалению не смогу, дома занят ребёнком (7месяцев) , а на работе нет необходимых приборов
Схемку спаял, пока выделывается, разбираюсь.

Разобрался (торопился и забыл припаять электролит на выходе), всё работает от 2,5 до 3,7в при токе нагрузки один ампер, входное напряжение 12В (подал с аккумулятора от упс).
при токе 3А греется жутко, условия теже.
Ща попробую запитать от линии +5 В блока АТХ.

Попробовал от +5В , пришлось переключить R1 на +12В. Нагрузка девять шестивольтовых лампочек мощностью 3 вата (другого нет под рукой).
Пределы регулировки вых напряжения 2,5....3,7В. Нагрев мосфетов терпимый (они на радиаторе от китайского бп). Завтра постараюсь найти более мощную нагрузку.

От 12вольт и будет жутко греться- радиатор нужно ставить будет площадью не менее 300см2. И еще- я бы поставил на выходах каждого из мосфетов выравнивающие резисторы на 0,1-0,2 ом мощностью 2 вт.

Поставь резисторы в затворы, спалишь!

ShD Потом, выложи финальную схему сюда, отправлю ее в OCZ, на дороботку... Посмотрим, что они нам посоветуют...

serj

Кого и почему? Ток затвора у мосфетов почти отсутствует (в идеальном мосфете его нет, а в реальном это ток утечки затвора), ТЛка нагружена на R1 и ток через неё и R1 на порядки превышает ток затворов. Обьясни где я ошибаюсь пожалуйста.

Shurik Dribenetc
Схема почти готова постараюсь сегодня выложить. Подскажи пожалуйста еще, если знаеш, на оригинальный бустер сколько проводов и с какой линии бп приходят. К примеру 3 с +5, 1 с 12, 3 с +3,3, 1 GND. И если есть возможность скинь юзер мануал на shd@kzf.ru

ShD На бустере два молекса
Первый GND +5v -5v +12v
Второй GND +5v +5v GND

+5v с первого идет на микруху ICL7107CPL, осталные не видно
+5v со второго идет на D четырех мосфетов NDP603AL.

Shurik Dribenetc
Огромное спасибо! Эта информация многое проясняет!

Так там их даже четыре!!!! В моей схеме три со сходными параметрами (аналог от другого производителя).
Подскажи если знаеш (может обзор попадался) где можно глянуть фотографии бустера без радиатора?