http://www.overclockers.ru/news/newsite ... 1070362419
Большие кеши -- один из способов борьбы с перегревом. Уже существующий 3.2 ГГц XE потребляет всего на 4,1А больше 3.2 ГГц без L3, но имеет площадь кристалла почти в 2 раза больше. Следовательно плотность теплового потока ниже.
Значит и нагревается меньше.
Видимо это и страшно

Ты хочешь сказать, что он тепла выделяет меньше?

nagual Привет! Не меньше, а больше Просто площадь контакта ядро-хитспредер еще больше.

Я это прекрасно понимаю.
Но товарищ пишет вот что:



С чего делается такой вывод?
То, что сама площадь кристалла увеличилась не означает, что аналогичным образом произошло распределение тепла на его поверхности.
Напротив, как он указал, на добавочный кэш приходится всего 4.1А.
Кэш этот, надо понимать, не распределен равномерно по ядру, а присобачен сбоку.
Поскольку передача тепла в кристалле идет вверх, т.е. на хитспредер, то добавочный кэш лишь увеличит на него нагрузку (будет нагревать то место, которое до этого не нагревалось). А ядро как грело крышку в одном месте, так и будет греть.
Или выделенное тепло сначала равномерно распределяется по кристаллу, и лишь потом передается на радиатор?

Итог - температура ядра от добавления дополнительного кэша ну никак не может понизиться

nagual
Он, наверное, хочет сказать, что тепло с большей площади отведить проще...

STranger_

Гм... Может я чего-то не понимаю или не так объясняю...

Ситуация: к ядру с двумя относительно небольшого размерами кэшами сбоку прибавили еще здоровый кэш.
Тепловыделение самого ядра от этой доработки измениться не должно. Отдача тепла от ядра в кристалле при этом происходит в сторону наименьшей толщины - вверх и вниз. Таким образом, основное тепло будет уходить в сторону крышки (т.е. вверх) и тепловыделение (как и температура) кристалла поэтому будет неравномерно - ну никак не возможна передача тепла внутри кристалла от горячего ядра к не столь горячему кэшу равноценно добавочной площади (я склонен считать, что это величина вообще крайне мала).
Напротив - рядом с ядром появляется еще один источник тепла (кэш), который не может способствовать понижению нагрева процессора.

nagual

nagual
Отдача тепла от ядра в кристалле при этом происходит в сторону наименьшей толщины - вверх и вниз.

никогда не слышал о такой фиче силиконовый изделий как металлизация?
её еще называют "медные межсоединения".
к месту будет упомянуть так называемую "пайку с теплоотводом". вот уж загадка -- тепло не только уходит вверх и вниз, а еще и туда куда ему скажут

STranger_
Он, наверное, хочет сказать, что тепло с большей площади отведить проще...

Разумеется
но дело не в этом.
если к полстакана кипятка добавить еще полстакана воды 50C -- совершенно очевидно, что суммарно не будет t100С

Alek Zander
Зато если к 100Вт добавить еще 100, будет 200.
Грубо говоря.

Кулер сможет отводить большее количество тепла только за счет увеличения температуры.

vor
Кулер сможет отводить большее количество тепла только за счет увеличения температуры
...самого себя
а так абсолютно согласен -- кулер будет нагреваться сильнее, что говорит о прекрасном теплоотводе.
но только при чем тут температура процессорного ядра?

а еще есть такое понятие как "температурный градиент"

Alek Zander
Поищи материал на тему
"Кто греется сильнее: обычный P4 или XE при одинаковом охлаждении?"

А еще есть такое понятие как законы термодинамики.

vor
А еще есть такое понятие как законы термодинамики

напомни плиз

Пример хороший. К месту.
То есть, согласно твоего примера, кристалл процессора имеет равномерную температуру по всей своей площади, а добавление к нему блоков, имеющих более низкую температуру позволит уменьшить температуру более горячих блоков, т.к. тепло выделяемое кристаллом сначала равномерно распреляется по его объему и лишь потом отводится на радиатор. Я ничего не напутал?

nagual
тепло выделяемое кристаллом сначала равномерно распреляется по его объему

неравномерно
есть более горячие зоны (ALU например), есть менее
но всегда распределяется

Получил письмо с просьбой высказаться
Извольте, хотя вряд ли обрадуются все, но, как известно, на всех не угодишь
Предлагаю ориентироваться на факты.
А факты таковы, что, увы, ядро осталось без существенных изменений. И проблема, как это и в традиционных процессорах, построенных на NetBurst, заключается в чрезвычайно горячих АЛУ. Вот где основная проблема, препятствующая безудержному повышению тактовой частоты. А скорость-то передачи тепла конечна, поэтому никакими способами внешнего охлаждения (даже криогеникой) не удается полностью компенсировать это тепло. Короче, греются элементу АЛУ (а они работают, как известно, на удвоенной тактовой частоте), да, еще и кэш-память первого уровня. Вот там именно основная проблема. Что же касается остальных частей ядра, то это уже вторично. Но, конечно, и они требуют дополнительного охлаждения, иначе АЛУ и кэш L1 захлебнутся от дополнительного тепла, gпорожденных другими элементами, например, кэш-памятью L2 и L3. Кстати, предельная температура процессора снизилась, что косвенно подтверждает ухудшение температурного режима наиболее горячих внутренних структур ядра.
Да и разгон, как известно, к сожалению, не улучшился. Криогеника не в счет, поскольку экзмпляр от экземпляра отличаются, да и, откровенно говоря, нет основания всему верить, что пишут в Инете о чужих (японских) достижениях. Вот когда лаборатория проделает подобные эксперименты и получит такие же результаты, тогда поверю.
Так что все согласно теоретическим рассуждениям, в основе которых просто-напросто простейшие факты и знание архитектуры процессора.
Увы, ожидание общего улучшения температурного режима - это иллюзия, порожденная неоправданными надеждами.
Эти надежды были бы оправданными, если бы тепло и температура распределялись равномерно по площади и объему кристалла, но ..... это не так.
Давайте будем жить без иллюзий....

Rudteam
если бы тепло и температура распределялись равномерно по площади и объему кристалла, но ..... это не так

Совершенно не понял пассажа насчет равномерности распределения.
"Если бы автомобили ездили равномерно -- было бы хорошо. А поскольку есть светофоры и пешеходные переходы -- значит они не ездят"

Без внутреннего перераспределения тепла процессор просто разорвет при первом включении
ALU превратится в газ за 0.5 сек

Еще раз - скорость распространения тепла - конечна.

Кэш и ядро в кристалле не смешиваются как вода в стакане (горячая с теплой).
Они находятся на одной плоскости и имеют соприкосновение в кристаллу весьма незначительное (допустим что толщина кристалла 1мм а ширина 10мм =10мм2) В то время как площадь самого кристалла 230мм2. При этом площадь ядра в кристале EE будет примерно треть от этого (70-80мм2).

Теперь вопрос - по какому направлению будет переданна большая (читай основная) часть тепла?

Alek Zander
А что тут непонятного?
Есть горячие области, а есть очень горячие. Вот если бы тепло распределялось равномерно, то увеличение площади уменьшало бы плотность энергии, а так поскольку тепло распространяется с конечной скоростью (и не очень высокой ) АЛУ и кэш первого уровня как были горячими, так и остались. Более того, им стало еще хуже, поскольку появился далеко не холодный сосед - кэш L3. И действительно, значение предельной температуры разработчики снизили, понимая что температурный режим стал еще более напряженным.
Неужели и сейчас что-то из этого осталось непонятым?

Rudteam Были вроде сообщения что интеловцы стараются равномернее разбросать горячие точки по кристаллу процессора. Хотя конечно, с трудом можно представить, как можно кэши второго и третьего уровня перемешать с ALU и уж явно в XE это не сделано Хотя черт его знает, в будущем может и сделают.

Думаю, что особенно обсуждать Prescott не следует. Поживем - увидем.
А вот то, что касается процессора Pentium 4 XE, то здесь все и так ясно. Конечно, что-то сделано, но проблема высокого теплообразования в АЛУ и кэше L2 осталась.
Да и не стоит все понимать буквально. Разбросать - это вовсе не означает разбросать равномерно. Все-таки это все относится к СВЧ и там совсем угие законы схемотехники: при всем желании нельзя "перемешивать" структуры произвольно. Иначе устройство работать не будет.