Alex46
прайс,город?

в третьей ветке уже встречаю вопрос по ней. память новая, на чипах удвоенной плотности на более тонком техпроцессе с номиналом (чипов) 1866 МГц. тестов "в лоб" со "старой" DH0 не видел, но планки из 8 чипов (8 ГБ планки) уступили немного в разгоне DH0 (4 ГБ планки).

Добавлено спустя 1 минуту 2 секунды:

может и фигня на чипах хёникс попасться.

а где олбзор то где... не могу найти

на этом же ресурсе

Узнал маркировку Xynix H5TQ4G83BMA H9C 207AK. Маркировку чипов самсунга, так и не добился у консультанта))

В разгоне до 1800 похуже DH0, где-то на уровне CH0. Особенно сильно приходится завышать тайминг tRFC, до 132. Это в полтора раза больше, чем требуется для DH0 для этой же частоты.

при 1.5 В 2400 ГГц берёт планка с 8 такими чипами на борту. а 4 не должно быть хуже никак. http://www.overclockers.ru/lab/print/47 ... Gbajt.html
#77

Добавлено спустя 2 минуты 11 секунд:

влияние его на производительность выявить не смог. кстати, не у всех таймингов действует правило: меньше - лучше. это зависит от физического смысла каждого конкретного тайминга и типа нагрузки на память.

Добавлено спустя 3 часа 27 минут 40 секунд:
поправка, с 16 чипами на борту. 8 чипов у 4 ГБ версии.

Koschey Bessmertniy
Не знаю как на бульдозерах, но на 1366 две планки DH0 работали на 1800/8-9-8, комбинация DH0 + CH0 на 1800/9-10-9, а DH0 + BH0 на 1800/9-9-9.
В итоге плюнул на затею запустить три планки на 8-9-8 и вернулся обратно на старенький хуникс, который умеет 1600 при 6-7-6

скорее всего КП не потянул выше. сейчас не редки случаи, когда память может, а КП нет.

Требуется слишком высокое напряжение QPI/DRAM (uncore). Для самсунга 1.4 для 1800, а для 1866 уже надо 1.5, что слишком много.
На бульдозерах такой проблемы нет, вот частоты и прут вверх.
Но вот на пониженных таймингах ни самс, ни хуникс из данного обзора работать не хотят - похоже это беда всей памяти с высокой плотностью микросхем.

это беда КП. медленный он, не любит высокие частоты. с учётом его возраста это простительно. обратите внимание, что все рекорды по частоте памяти достигаются с использованием жидкого азота, причём не для памяти, а для процессора (КП). память и так тянет. самые быстрые сейчас КП в бульдозерах и ивиках. немного похуже и постарше у ллано и сандиков, ещё более старые и медленные у 1366/1156 платформ и феномов... в общем то всё логично.

ORLY?

Вчерась приобрел 4 планки по 4GB Samsung M378B5173BH0-CH9 (8 чипов K4B4G0846B-HCH9, односторонняя).
Если попарно, т.е. в систему ставить только 2 планки из 4-х, то спокойно гонятся на профильной системе до 2246MHz 11-13-12-28-1Т, 1.65V (BCLK=105,3MHz) и memtest проходят без ошибок.
Но если ставлю все 4 планки - то на этих же настройках memtest выдает кучу ошибок.

Грешил на память.
Сегодня съездил и поменял все 4 на M378B5273DH0-CH9 (16 чипов K4B2G0846D-BCH9, двухсторонняя), результат тот же самый. Если ставить только 2 планки - все гут! А если 4, то стабильность наступает только на 1966MHz но с таймингами 9-10-10-28-1T, и даже 9-9-9-24-1T (но последнее еще до конца не оттестировано).
Единственное отличие - первые планки для такой частоты просили 1,55-1,6V, а последние работают и на 1,5V.

Так в чем же сабака зарыта? Можно ли еще что сделать чтобы заставить работать на частоте 2246MHz все 4 планки, а не 2? И это нормально, что когда поставил еще 2 таких же планки, частота стабильного разгона упала? И как думаете, в абсолюте что быстрее будет: 9-9-9-24-1T на частоте 1966MHz или 2246MHz но с 11-13-12-1T ?

стандартная фигня: при заполнении всех слотов памяти частотный потолок КП снижается. так что виноват ваш процессор и ничего тут не сделать. кстати, в первом случае (2 планки) тоже скорее всего дело упёрлось в частотный потолок КП.

Гринпис
Это стандартная ситуация. 4 планки всегда хуже гоняться чем 2. Связано это с повышенной нагрузкой памяти в контроллере памяти.

думаю разницы не будет даже в синтетике. скорость подсистемы памяти на SB, SB-E и IB упирается в скорость ядер процессора (ну или ещё чего в процессоре, работающего на частоте ядра). скорость двухканальной памяти DDR3 получается избыточной. разгон на х% ядер процессора влечёт примерно на (х/2)% увеличение пропускной способности памяти. так что можно легко создать условия, когда DDR3-2133 будет проигрывать DDR3-1333 (и синтетика, и приложения).

Koschey Bessmertniy, markz0R
Спасибо, что откликнулись.
Эх жаль что КП виноват... Не думал что у Sandy Bridge с этим на столько плохо. Зато хоть теперь успокоюсь.
А то я с какими только бубнами не прыгал, какие только настройки в биосе не выкручивал на своей матери, чтобы заставить память работать на 2246 и все 4 планки!
Даже удавалось существенно уменьшить количество ошибок в мемтесте, но полностью от них избавиться, увы, не удалось...(((
Ну может быть когда сменю санди на что-нибудь поновее с более интересным КП, вернусь разгону этой памяти.
А то получается - тема не раскрыта! (((

4 шт. K4B2G0846D-BCK0 на asus p8z77-m-pro у меня отлично работают на 8-9-8-26-1T на 918 мгц
вроде неплохой результат, свои +2% я получил наверное

H_Rush

Чейта не наблюдаю необходимости повышать на своей 1366 платфоме так дико вольтаж. Спокойно тарабанит на 1.2 с четырьмя плашками, с шестью побольше, но незначительно.

К тому же, памятуя о том, что новые гнусы умудряются брать высокие частоты с очень низкими вольтажами, это идеальная память для 1366 с его ограничением по максимальной разнице вольтажей.