Вот и у меня руки дотянулись написать и задать вопрос.
Поставил Hynix HMT351U6CFR8C-H9 (синий текстолит), 4 планки, разогнал до 2133 мгц, тайминги 10-12-11-28, 1T, поднял напругу до 1.525 в. Все работало наистабильнейшим образом и без BSOD. В win 7 оценка максимальная. Мемтестом прогонял прохода 4, ошибок нет.
Но случилось счастье и поставил я новую видео карту - GigaByte GeForce GTX 670, и играя в игрушку налетел на BSOD.... посыпались с периодичностью раз в 15 минут в игре, с разными ошибками они были, когда не играл синек небыло. Заморачиваться не стал, поднял напряжение на оперативке до 1.55 (или чуть меньше, сейчас не помню, посмотреть не могу пока), BSODы прекратились, все работает как и раньше.
Собственно результатом доволен, но хотелось бы уточнить и задать вопросов пару.
Нормально ли было такое поведение системы, описанное выше?
Объясните как выбирать тайминги и напряжение, что к чему? Разгонял по обзору.
Может посоветуете изменить чего в настройках dram?
А главный вопрос, правильно ли я выбрал модули памяти для разгона, а именно Hynix HMT351U6CFR8C-H9 (синий текстолит)?

Конфиг ПК:
Asus P8Z68-V PRO/GEN3
Intel Core i5-2500K (4500 GHz)
GigaByte GeForce GTX 670 2048MB 256bit GDDR5 GV-N670OC-2GD
SSD PLEXTOR PX-128M3 128 ГБ
Hynix HMT351U6CFR8C-H9 ddr3 4 x 4GB
Thermaltake ToughPower XT 775W

Не знаю можно ли выкладывать ссылки на другие ресурсы.
Но есть темка с проблемами на Gigabyte GTX 670
http://forums.goha.ru/showthread_0_0_t772331

с GIGABYTE GeForce GTX 670 проблем не было в разгоне. в разгоне оперативки.

HYNIX DDR-III DIMM 4Gb PC3-12800
HMT351U6CFR8C-P8
как эта память в разгоне.
или её лучше не брать?

На платформе aMD 770(ga-ma770t-ud3) Hynix не гонится почти никак .Максимум что удалось при максималке 1.75 в это 1700 мгц при том что планки такие же как в обзоре только на 1600 (маркировка HMT351U6CFR8С-PB ). В двухканалке NB CPU vdd приходится повышать до 1.55 в. Тайминги 10-12-11-28-1T ,которые в обзоре достигают 2200. Память Take - ms- 1600 в тех же условиях работает на 1900. Очень разочарован так как выбирал эту память специально после ознакомления с этим обзором!

скинь напругу на памяти на номинал, не мучь её понапрасну. память тянет легко, а вот контроллер памяти твоего процессора уже нет. в покорении высоких частот памяти поможет не напряжение на памяти, а напряжение на северном мосту. хотя 1700 для фенома 2 уже примерно потолок.

Так.. значит напряжение на северном мосту cpu на разгон одной планки не влияет вообще никак. Проверено и для Hynix и для Take-Ms. Просто одна из хиниксов работает на 1700 на 1.75в вторая при 1.8( и не меньше). С тэйкмсом ситуация получше одна проходит проверку в смос на 1950 вторая на 1920,а вот для двух планок обоих производителей для достижения примерно этих частот в dual режиме приходится повышать CPU NB VDD до 1.55.
Или ты говорил про северный мост 770/Rx780 ??

дуал режим является более тяжёлым режимом для контроллера памяти, и вообще, чем больше планок установлено, тем меньшие частоты можно получить, если ограничителем является контроллер памяти.

нет, про северный мост, встроенный в процессор.

Добавлено спустя 11 минут 52 секунды:

на этих планках стоят 1866 чипы, которые при 1,5 В должны легко брать 2133. так что делайте выводы, кто в системе главный тормоз.

Тогда главный вопрос почему Take-Ms берет на 200 мгц больше?

1. выставляются разные тайминги автоматом
2. вы используете одинаковые но заниженные тайминги
3. у планок памяти разная организация или количество чипов
4. повышенное напряжение отрицательно сказывается на частотно-тайминговые характеристики (да бывает и такое, снижаешь напряжение, а частота возрастает).
5. вы одиночные планки при тестировании устанавливали в разные слоты памяти.
я не знаю, какова конкретная причина. сами выясняйте. фронт поиска примерно набросал. может что и забыл, но я знаю однозначно, что если ваш хёникс установить в плату с процессором с более скоростном КП, то память легко проявит свой потенциал по частоте и напряжению (при 1,5 В).

Добавлено спустя 9 минут 56 секунд:
1866 МГц 13-13-13 1,5 В - для данных планок номинальным режимом работы. а ещё у них большой запас "прочности" для разгона. ищите сами, почему на одних планках вы получили чуть большую частоту, чем на других. тут может быть и технический фактор и человеческий. в любом случае ваш КП работает на пределе возможностей.

Добавлено спустя 4 минуты 13 секунд:
может при таком разгоне вашему КП для стабильной работы нужен высокий уровень сигнала данных (уровень напряжения сигналов, передаваемых по шине памяти), на который возможно напрямую влияет напряжение на памяти и структура "обвязки" линейки памяти. а нормальный уровень сигнала КП уже перестаёт понимать и система сбоит. это всего ли гипотеза, которую можно только косвенно проверить.

Hynix на i5-3570k:
2200: 10-12-11-28-1T 1.65V. прайм95 второй час работает.
2400: биос стартует, винда не загружается. при 1.7 биос не стартует. буду пробовать ещё варианты

у хёникса и самсунга слабая зависимость от напряжения. попробуйте снизить постепенно до 1,5 В. и для тестирования памяти на стабильность нужно не прайм гонять, а мемтест5.

убавил напругу до 1.5. действительно, на стабильности никак не сказалось, за то чипы греться перестали

так что лучше взять hynix или samsung?
hynix - 4Gb DDR-III 1600MHz Original
samsung - 4Gb DDR-III 1600MHz
гнать буду обязательно
i5 3570k, 7950, p8z77-m pro

Lastic
Лучше не рисковать и взять Самсунг.

Эта 100% погонится до 2133 при таймингах 10-10-10-24-1т-1.5-1.53в

ищите с маркировкой EB0-CK0. это последняя ревизия, гонится лучше остальных.

К сожалению мемтест5 далеко не показателен, к примеру, в моём случае оказался совершенно недееспособен:
И если уж мемтест5 на фоне Аиды никакой, то тест [Blend] 64-битного Prime95 выявит нестабильность еще скорее, по крайней мере в моём случае выходит так, пусть одно тестирование не объективная статистика, но пример показательный.

Кощей, а это точно последняя ревизия в линейке 4гб модулей? Вот смотрю
http://www.samsung.com/global/business/ ... e?iaId=693 там две таких модификации, одна 1,35/1,5В другая только 1,5В. Не помню точно, в каком то формуе один товарисч назвал эту память худшей по сравнению с DH0-CK0. Судя по ссылке которую привел выше, последние три знака СК0:
С- температурный режим
К0- частота/скорость/СL - 800/1600/11
С этим понятно. Но вот что такое ЕВ0 или DH0? В продаже еще встречал 1600 4гб М378В5173СВ0-СК0. А эта хуже/лучше чем 5273ЕВ0 или 5273DH0?