I.N., 8 слоёв используются только для модулей Unbuffered DDR3 SDRAM x72 с типовой картой E. Какая-либо отсебятина исключена абсолютно. Тем более, модули Sk hynix - это не какой-то там Panram с весёлой подсветкой. Здесь всё чётко по стандарту.

Crash
Два слоя лишних? Хорошо, я минут через десять перепишу абзац немного иначе.

I.N., я не силён в маркировках UMT, но та, что приведена на картинке ниже, похоже, также подтверждает наличие 6 медных токонесущих слоёв: 6F (Feed - снабжать, подавать и т.д.)
#77

Crash
А какая разница сколько слоев, если

? Как я понял по вашим постам, вы профи в плане памяти, подскажите тогда, можно ли перепрошить spd Samsung\Hynix original, особенно интересует ноутбучная память?

Добавлено спустя 7 минут 38 секунд:
Уважаемый I.N., нет ли в планах исследования разгонного потенциала бюджетных Crucial и Samsung, а так же DDR4 памяти от тех же 3-х производителей? Особенно интересен Crucial, ибо о нем ходят только слухи и легенды и реальных фактов очень мало.

у меня на asus z-87 две 8гб планки работают на 12-13-12-36 1t 1.65 на 2200, 100% стабильность, за 27 дней включения компа без перезагрузки ни одного вылета. На 2400 были незначительные вылеты в браузере, думаю из за бюджетность МП выше 2200 не возьмёт

Что ж такое, у меня на профильном данная планка(single) только 2133 взяла. С таймингами морочился до неприлично больших размеров, напряжение до 1,75 выставлял - ничего не помогло. Но судя по тестам, та же одна планка Crusial BLT4G3D1869DT1TX0CEU по скорости и latency лучше, но разница не слишком большая (результаты тестов дома лежат). Одна планка ballistix 2400 взяла.

У меня SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB два по восемь больше года в режиме 2258 (шина разогнана чуть) на напруге 1.47 вольт 11-14-14-36-cr1.
интересно что 2400 не стартует ни при каких настройках, напругу до 1.8 поднимал, тайминги задирал, комп в циклические ребуты уходит из которых можно только полным сбросом биоса выйти. Даже с одной планкой, в любом слоте. Так же не возможно ни один тайминг уменшить, будет нестабильно. Но по шине можно еще погнать и будет 2350 с той же напругой и таймингами и стабильно.

N1ghtwish
Вопрос с количеством слоёв не принципиальный, но технически - интерес вызывает.

Буду ли дальше тестировать память? Вопрос довольно интересный. Ответить на него не могу в силу того, что пока не хочется повторять эпопею, о которой я написал в тексте.

volodei
На FM2 с разгоном памяти довольно туго. Платформа крайне плохо переваривает это. Хотя узким местом у APU AMD является как раз память.

neemestniii
CR пробовали поднять до 2T?

I.N., средние слои PCB модулей памяти - сигнальные. Для DDR3 SDRAM это слои Layer3 и Layer4. Для устранения шумов, возникающих при высоких частотах их экранируют, т.е. между ними создают "подушку" из двух слоёв Vdd/Vss. Таким образом получают 8-слойную PCB. Но повторю еще раз, для UDIMM DDR3 это не характерно.

По поводу "6F" в маркировке на плате. F обозначает, скорее всего, Foil (фольга), т.е. 6 фольгированных диэлектрических слоёв.

Практической пользы от теста мало. Кто использует только 1 модуль ёмкостью 4Гб?
У большинства 2х8, 4х4, 2х4, 4х8, 2х16, примерно в таком порядке по убыванию.

*Tiger*
Вы неправы. В тексте есть объяснение. Прочтите.

Уважаемый I.N. и другие специалисты! Замечательная статья, но у меня вопросы , достаточно примитивного плана, а именно:
1. При увеличении частоты работы памяти пропускная способность, и, соответственно, скорость обработки информации, увеличиваются. При увеличении "таймингов" (задержек) - уменьшаются. Правильно? Исходя из этого, где осмысленная граница разгона, когда увеличение частоты компенсируется увеличением задержек?
2. Какой реально прирост производительности процессора от разгона памяти (ну хотя бы на операциях с плавающей запятой, лично меня интересует рендеринг 3D), в процентах, ну или в "флопсах" на ядро?
3. Все ли модули памяти, независимо от марки или бренда, в одинаковых параметрах применения (напряжение, частота, тайминги) имеют одинаковую производительность, или что то зависит от производителя самих микросхем?

ну и в общем, есть ли какая-нибудь методика, как найти сбалансированный вариант разгона, приносящий ощутимую прибавку в производительности, и при этом не выкручивая вольты и герцы на максимум ради призрачных баллов в очередном тесте.

Спасибо заранее....

samzanuda
Обзор и тестирование процессора Intel Core i3-6100: разгон запретного #13471337
Подробный тест - тема для отдельной статьи, причём, судя по всему, тестировать надо несколько разных конфигураций. Я думаю, что чем изначально производительней система, тем меньше толка от разгона памяти.

Да, ничего не помогает. Тайминги расслаблял все какие можно, напругу поднимал, даже с одной единственной планкой не стартует на 2400, а на 2350 предыдущим делителем, вообще без проблем, даже с пониженным от номинала напряжением..

Я много тестировал память (правда в играх), тайминги вторичны, частота важнее! Ну кроме явных крайностей, типа той же DDR4 2133 c таймингами 15-15-15.
Если грубо, то на примере DDR3: 2400 13-14-14-38 > 2133 12-13-13-36 > 1866 10-10-10-30 > 1600 9-9-9-24, где знак ">" быстрее. В конечном итоге 2400 будет все равно быстрее любого другого варианта, не смотря на тайминги. Еще можно в AIDA64 посмотреть теоретическую задержку, с ростом частоты задержка уменьшается, даже не смотря на поднятые тайминги.

Согласен. Пришёл почти к такому же выводу. Разогнать по максимуму частоту, после чего немного пожертвовать частотой и спустить тайминги на одну ступень. Вот где-то здесь будет максимальная производительность. Кэш при этом тоже гнать как и ядра.

Добавлено спустя 4 минуты 7 секунд:
neemestniii Были у меня подобные модули. 2200 с 7-10-9 спокойно брали с малым поднятием напряжения с 1.65 до 1.70в. 2225МГц ни с какими таймингами, ошибки везде были. Думал, что проц или мать виноваты. Заменил память - 2666 спокойно. Бывает.

Что на счёт tRAS? Какое значение выставлено для разных частот?

AlarmZone13
Материал написан почти два с половиной года назад.
Всё, что есть, имеется на скриншотах. Более ничего не сохранилось/запомнилось.