точно. по указанной ссылке можно посмотреть только расшифровку суффикса. и там только 2 линейки на ревизии E (а это именно ревизия) - одна обычная, вторая с коррекцией ошибок. а указание двух напряжений (1.5, 1.35) - так это тоже самое, что и указание всех доступных стандартных скоростей (H9, K0, MA) - вариации номинальных (предустановленных в SPD) параметров, с которыми осуществляется продажа данных линеек памяти. есть отзывы по факту, что ревизия E заметно лучше разгоняется, чем D. D ревизия заметно была лучше ревизии С... расшифровку основной маркировки читал в PDF документах с сайта ранее. сейчас на половину из них моя pdf-читалка ругается, что они битые. это должно быть тут http://www.samsung.com/global/business/ ... n_12-0.pdf

Добавлено спустя 5 минут 53 секунды:

эта цифирь отвечает за организацию, в частности (512Mx8)x8

Добавлено спустя 3 минуты 7 секунд:
с с маркировкой организации "2" это будет уже (256Mx8)x16, т.е. 16 микросхем на линейке плотностью 2 Гбит каждая. выше мы имеем 8 микросхем, плотностью 4 Гбит каждая.

Добавлено спустя 1 минуту 35 секунд:
кстати, М378В5173СВ0 в продаже уже давно и отличий в маркировке там 2.

Какая лучше гонится?
SEC M378B5173BH0-CH9 1333МГц, CL9
SEC M378B5273EB0-CK0 1600МГц, CL11

Nick H
здесь подскажут Общие вопросы по Оперативной памяти

Нигде не могу найти однозначный ответ: какое всё-таки напряжение безопасно для этой памяти на повседневную работу? И сильно ли разгон зависит от процессора?

Ebba1,45-1,65

Благодарю!

Решил побаловаться на праздниках с HMT351U6CFR8C-H9 х2 и HMT351U6BFR8C-H9 х2
Который день стабильно работают на 1866 т1 10-11-10-27 @1,6в. (делал не читая это темы, зная только общую технологию)
пробовал 10-10-10-27 - стабильно пара ошибок вылазила при прогоне мемтестх86. Повышение напруги ничего не дало (я только сейчас прочитал, что хьюниксам плевать на повышение).
Завтра попробую 2133 т1 10-12-11-28 @1,5 - если заведется отпишусь
Случайно наткнулся на тему, оставил пока эту инфу для следующих поколений

Да хрень всё это. Как и интеловские пугалки про опасность подняться напряжения свыше 1,65 В. Уже года 2 сижу на 1,665 В на том же hynix-хоть бы хны+ всегда холодные. Для памяти действует всё тоже правило поднятия напряжения что и прежде: +15-20% от номинала, а это 1,725-1,8 В.

Добавлено спустя 4 минуты 25 секунд:
Inkviz тайминги лучше ослабить, у меня на 2133 стабильно работают на 12-13-12-30, 1,665 В. Вообще за таймингами не стоит гнаться: проку от них мало, стабильность работы важнее.

есть 2*4гб самсунг dh0-ch9 сколько для них оптимально tRFC при 2133?
и напряжение 1.65 нормально будет?)

сейчас пока 2133 10-11-11-28-1 - 180 при 1.64В

icetnt не заморачивайся, всё равно от его понижения ты нигде не увидишь прироста, даже в синтетике.

bibukov не, не завелась она с вашим вариантом.
И вообще у меня мать чудит. Ставлю множитель на память чтоб было 1866, то множитель какбы применяется, а вот частота нет. Что в биосе, что в мемтесте, что в виндах (hwinfo). Но иногда все-же работает на поставленной частоте. Сейчас сделал сброс биоса и по-новой все настройки вбил - 1866 везде. Буду верить и тестить.
ps
Нашел утилиту в биосе (z-memory) она мне сказала, что родные тайминги этой памяти 13-13-13-36. Чет многовато или это реальные тайминги чипов (без разгона как такового)

это стандартные тайминги для частоты 1866, так же как 11-11-11 для 1600 и 9-9-9 для 1333.

Долго мучился и вот что получилось с оперативной памятью hynix HMT351U6CFR8C-H9 2x4Gb частота 2133 10-12-11 1Т при 1.584V Протестировал разными прогами - все стабильно!
Memtest86 долго крутил - ошибок нет! Как считаете стоит так оставить, не стоит "их" больше мучить, по-моему отличный результат Напругу можно даже еще немного понизить, но не существенно, думаю так оставить! Выставление более низких таймингов уже "лотерея" и напругу надо сильно повышать, пробовал с поднятием до 1.7 но все как-то не стабильно получалось!
Read - 23331 Mb/s
Write - 23185 Mb/s
Copy - 26028 Mb/s
Latency - 38.9 ns

Какие БСОДы выбивает, при разгоне памяти? А hynix хренова гонится, относительно гнусмаса.

В общем получилось у меня разогнать Samsung M378B5273DH0-CH9 (две планки по 4Gb) до 2133Mhz c вот такими таймингами 9-10-10-26-CR2 с напряжением 1.64 (если давать ниже то в тяжелых тестах LinX-avx иногда выскакивает синька), проходит все тесты (prime95, memtest, LinX-avx а так же в простое не бсодит и не зависает). Пробовал 9-10-10-26-CR1 проходит все тесты но в простое зависает намертво. В тестах на производительность в aida64 cache and memory benchmark особой разницы не заметил между CR1 и CR2. В общем результат меня устраивает, но хотелось бы спросить у знающих, можно ли как-то понизить напряжение или 1.64 в приделах нормы?

Для Samsung M378B5273DH0-CH9 режим работы 2133Mhz при 9-10-10-26-RC2 1.64v нормально? Или можно по шаманить с таймингами чтобы уменьшить напряжение?

Пользоваться нужно проверенным, зарекомендовавшим себя софтом http://www.memtest.org/ все остальное считаю ШЛАКОМ .... уверен на сто процентов -
1. 9-10-11-28-1Т - 2146 МГц
2. 10-11-11-28-1Т - 2202 МГц
3. 10-11-12-28-1Т - 2314 МГц
4. 10-12-12-28-1Т - 2333 МГц
ошибки попрут на 2 минуте теста ............)

Помогите с разгон вот такой памяти, если это возможно конечно, собрал новую систему, не особа пока разбираюсь что и как тут работает )

Вот что-то получилось, стабильно все вроде, ошибок нет

Эх 4гб 860рублей ддр3 1600 в 2012 году. Сейчас конец 2018, планка на 4гб стоит 2,5 раза дороже.