Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.08.2005 Откуда: Москва, Тушино
Если сегодняшние литографические инструменты с длиной волны 193 нм позволяют создавать транзисторы размером 40-50 нм Во дела... сколько меня уже лет в универе учат, что с помощью лазера нельзя обрабатывать объекты меньше, чем длина волны... Врут, получается ? -))
_________________ Я тут -> www.dru4.livejournal.com Лазерный рез/сварка/гравировка пластика/металла.
Во дела... сколько меня уже лет в универе учат, что с помощью лазера нельзя обрабатывать объекты меньше, чем длина волны... Врут, получается ?
Насколько я помню, нас учили что в световой микроскоп можно теоретически разобрать отдельно 2 объекта, если расстояние между ними больше четверти длины волны. Правда как это доказать не помню уже. Как раз 40-50 нм это четверть от 193.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.05.2006 Откуда: Мариуполь, Ua
Все правильно, товарищи, четверть длины волны - минимальный допустимый размер при использовании фотолитографии. Только вот в статье ошибочка:
Цитата:
Если сегодняшние литографические инструменты с длиной волны 193 нм позволяют создавать транзисторы размером 40-50 нм
Какие могут быть транзисторы размером 40-50нм? Бред. 45нм техпроцесс означает то, что минимальный линейный размер элемента (например, ширина затвора) не может быть меньше 45нм. А сам транзистор получится размером не менее 270нм (по крайней мере, меня так в универе учили). А то получается, что на кристалле площадью 100 кв.мм можно разместить чуть ли не 62,5 млрд транзисторов... Добавлено спустя 5 минут, 47 секунд
Gouvernator писал(а):
Потом прогресс остановиться. Сами посчитайте 10-20нм это уже атомы!
Да, как-то помню подсчитали, что физический предел фотолитографии в принципе (не важно, лазер, УФ) составляет 22нм. Потом придумали использовать рентгенографию и физ. предел отодвинули до 6нм (кстати, это опять-таки довольно много атомов, ты не прав)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.05.2006 Откуда: Мариуполь, Ua
Grossmeister писал(а):
Если не ошибаюсь, то размер атома ~10 ангстрем, т.е. 1 нм.
Ошибаешься немножко))) Размер атома кремния - 1 ангстрем (0,1нм), межатомное расстояние в кристалле кремния - 0,3нм. соответственно, на расстоянии в 6нм уместится 20 атомов. А рассуждать о том, мало или много - совсем непросто...
Если не ошибаюсь, то размер атома ~10 ангстрем, т.е. 1 нм.
Ошибаешься, размер атома 1 ангстрем или 0.1 нм.
Цитата:
Какие могут быть транзисторы размером 40-50нм? Бред. 45нм техпроцесс означает то, что минимальный линейный размер элемента (например, ширина затвора) не может быть меньше 45нм. А сам транзистор получится размером не менее 270нм (по крайней мере, меня так в универе учили). А то получается, что на кристалле площадью 100 кв.мм можно разместить чуть ли не 62,5 млрд транзисторов...
Хм, а я вроде слышал что у транзистора по интеловскому 45-нм процессу ширина затвора 35 нм. Глюк?
Кстати, даже 50нм*50нм*50нм = 125000 нм3 = 125 млн атомов - не так уж и мало.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.05.2006 Откуда: Мариуполь, Ua
Afx писал(а):
Хм, а я вроде слышал что у транзистора по интеловскому 45-нм процессу ширина затвора 35 нм. Глюк?
Тогда что собой олицетворяет цифра 45нм?
Afx писал(а):
Кстати, даже 50нм*50нм*50нм = 125000 нм3 = 125 млн атомов - не так уж и мало
Да, вот только структура транзисторов пока что плоскостная, глубина может быть сколь угодно большой (определяется толщиной пластины) и толку от этого не будет.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.05.2006 Откуда: Мариуполь, Ua
d2 Как я понимаю, ничего они не разрабатывают. Разработки ведутся в исследовательских институтах учеными. Они-то, эти ученые, и выдают на-гора новые методики, новые разработки и т.д. Затем эти самые айбиэм, тсмс и прочие покупают лицензии на применение этих технологических новшевств. То, что IBM является технологическим донором AMD значит лишь то, что в IBM осваивают техпроцесс (подгоняют параметры оборудования под свои нужды), а потом этими наработками делятся с AMD...
П.С. Все ИМХО, но мне кажется, что все так и есть...
Сегодня компания Intel впервые в истории полупроводниковой индустрии официально представила процессоры, выполненные с соблюдением норм 45 нм техпроцесса. Всего год прошёл с момента демонстрации Intel первых рабочих прототипов чипов 45 нм памяти SRAM, и вот новая веха: процессоры с рабочим именем Penryn, состоящие из сотен миллионов транзисторных "вентилей", выполненные по сложному и "деликатному" 45 нм технологическому процессу, где ширина затвора каждого транзистора составляет всего 35 нм.
Да, вот только структура транзисторов пока что плоскостная, глубина может быть сколь угодно большой (определяется толщиной пластины) и толку от этого не будет.
Ну, это оценка снизу, если размер несколько сотен нм, то будет соответственно десятки и сотни миллиардов атомов - вполне есть куда развиваться.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 27
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения