Часовой пояс: UTC + 3 часа




Форум закрыт Новая тема / Эта тема закрыта, вы не можете редактировать и оставлять сообщения в ней. Закрыто  Сообщений: 17 
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
 
Прилепленное (важное) сообщение

роБОТяга
Статус: Не в сети
Регистрация: 05.07.2005
Ждём Ваших отзывов о материале.
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!



Партнер
 

Да поскее бы пришел этот "32 нм (0.032 мкм) техпроцесс" :writer: :insane:


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 14.08.2005
Откуда: Москва, Тушино
Если сегодняшние литографические инструменты с длиной волны 193 нм позволяют создавать транзисторы размером 40-50 нм
Во дела... сколько меня уже лет в универе учат, что с помощью лазера нельзя обрабатывать объекты меньше, чем длина волны... Врут, получается ? -))

_________________
Я тут -> www.dru4.livejournal.com
Лазерный рез/сварка/гравировка пластика/металла.


 

Просто не следят за прогрессом, в универе ничему новому не учат, к сожалению.


 

Заблокирован
Заблокирован
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.06.2004
***

DruKiller† писал(а):
Во дела... сколько меня уже лет в универе учат, что с помощью лазера нельзя обрабатывать объекты меньше, чем длина волны... Врут, получается ? -))


...С учётом фазового сдвига длины волны...
всё у нас прекрасно получается...:writer:

***


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.12.2006
Цитата:
Во дела... сколько меня уже лет в универе учат, что с помощью лазера нельзя обрабатывать объекты меньше, чем длина волны... Врут, получается ?

Насколько я помню, нас учили что в световой микроскоп можно теоретически разобрать отдельно 2 объекта, если расстояние между ними больше четверти длины волны. Правда как это доказать не помню уже. Как раз 40-50 нм это четверть от 193.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 30.12.2003
Откуда: СССР/ФРГ
Линзы... :wink:

Ну если когда нибудь у них и получиться что-то с EUV то не надолго... Потом прогресс остановиться. Сами посчитайте 10-20нм это уже атомы!


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.05.2006
Откуда: Мариуполь, Ua
Все правильно, товарищи, четверть длины волны - минимальный допустимый размер при использовании фотолитографии. Только вот в статье ошибочка:

Цитата:
Если сегодняшние литографические инструменты с длиной волны 193 нм позволяют создавать транзисторы размером 40-50 нм


Какие могут быть транзисторы размером 40-50нм? Бред. 45нм техпроцесс означает то, что минимальный линейный размер элемента (например, ширина затвора) не может быть меньше 45нм. А сам транзистор получится размером не менее 270нм (по крайней мере, меня так в универе учили). А то получается, что на кристалле площадью 100 кв.мм можно разместить чуть ли не 62,5 млрд транзисторов...
Добавлено спустя 5 минут, 47 секунд
Gouvernator писал(а):
Потом прогресс остановиться. Сами посчитайте 10-20нм это уже атомы!

Да, как-то помню подсчитали, что физический предел фотолитографии в принципе (не важно, лазер, УФ) составляет 22нм. Потом придумали использовать рентгенографию и физ. предел отодвинули до 6нм (кстати, это опять-таки довольно много атомов, ты не прав)


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 30.12.2006
Откуда: Kyiv, Ukraine
Gouvernator
Сами посчитайте 10-20нм это уже атомы!
Если не ошибаюсь, то размер атома ~10 ангстрем, т.е. 1 нм.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.05.2006
Откуда: Мариуполь, Ua
Grossmeister писал(а):
Если не ошибаюсь, то размер атома ~10 ангстрем, т.е. 1 нм.

Ошибаешься немножко))) Размер атома кремния - 1 ангстрем (0,1нм), межатомное расстояние в кристалле кремния - 0,3нм. соответственно, на расстоянии в 6нм уместится 20 атомов. А рассуждать о том, мало или много - совсем непросто...


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.12.2006
Цитата:
Если не ошибаюсь, то размер атома ~10 ангстрем, т.е. 1 нм.

Ошибаешься, размер атома 1 ангстрем или 0.1 нм.

Цитата:
Какие могут быть транзисторы размером 40-50нм? Бред. 45нм техпроцесс означает то, что минимальный линейный размер элемента (например, ширина затвора) не может быть меньше 45нм. А сам транзистор получится размером не менее 270нм (по крайней мере, меня так в универе учили). А то получается, что на кристалле площадью 100 кв.мм можно разместить чуть ли не 62,5 млрд транзисторов...

Хм, а я вроде слышал что у транзистора по интеловскому 45-нм процессу ширина затвора 35 нм. Глюк?

Кстати, даже 50нм*50нм*50нм = 125000 нм3 = 125 млн атомов - не так уж и мало.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.05.2006
Откуда: Мариуполь, Ua
Afx писал(а):
Хм, а я вроде слышал что у транзистора по интеловскому 45-нм процессу ширина затвора 35 нм. Глюк?

Тогда что собой олицетворяет цифра 45нм?
Afx писал(а):
Кстати, даже 50нм*50нм*50нм = 125000 нм3 = 125 млн атомов - не так уж и мало

Да, вот только структура транзисторов пока что плоскостная, глубина может быть сколь угодно большой (определяется толщиной пластины) и толку от этого не будет.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 30.12.2006
Откуда: Kyiv, Ukraine
KORESHOCHEK Afx
Точно, ошибся... :oops:


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.03.2004
Откуда: Питер
Кто скажет, компании TSMC и UMC разрабатывают своё оборудование и техпроцессы, или пользуются чьими-то(IBM?)


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.05.2006
Откуда: Мариуполь, Ua
d2 Как я понимаю, ничего они не разрабатывают. Разработки ведутся в исследовательских институтах учеными. Они-то, эти ученые, и выдают на-гора новые методики, новые разработки и т.д. Затем эти самые айбиэм, тсмс и прочие покупают лицензии на применение этих технологических новшевств. То, что IBM является технологическим донором AMD значит лишь то, что в IBM осваивают техпроцесс (подгоняют параметры оборудования под свои нужды), а потом этими наработками делятся с AMD...
П.С. Все ИМХО, но мне кажется, что все так и есть...


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 01.12.2006
Цитата:
Тогда что собой олицетворяет цифра 45нм?

А ХЗ. Вот на 3dnews пишут про пенрин:
Цитата:
Сегодня компания Intel впервые в истории полупроводниковой индустрии официально представила процессоры, выполненные с соблюдением норм 45 нм техпроцесса. Всего год прошёл с момента демонстрации Intel первых рабочих прототипов чипов 45 нм памяти SRAM, и вот новая веха: процессоры с рабочим именем Penryn, состоящие из сотен миллионов транзисторных "вентилей", выполненные по сложному и "деликатному" 45 нм технологическому процессу, где ширина затвора каждого транзистора составляет всего 35 нм.

http://www.3dnews.ru/cpu/intel_penryn/

И соответствующая картинка: http://www.3dnews.ru/_imgdata/img/2007/01/29/39401.jpg

Цитата:
Да, вот только структура транзисторов пока что плоскостная, глубина может быть сколь угодно большой (определяется толщиной пластины) и толку от этого не будет.

Ну, это оценка снизу, если размер несколько сотен нм, то будет соответственно десятки и сотни миллиардов атомов - вполне есть куда развиваться.


 

Даа, а потом все удивляются - почему процы такие дорогие.... :-) ученые тоже есть хотят :-)


Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Форум закрыт Новая тема / Эта тема закрыта, вы не можете редактировать и оставлять сообщения в ней. Закрыто  Сообщений: 17 
-

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 27


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  
Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan