Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.01.2007 Откуда: SPb
"При помощи суперкомпьютера Blue Gene, содержащего 4096 процессоров, учёные из IBM смоделировали поведение 50 комбинаций кремния и диоксида гафния, которые могут встречаться в будущих процессорах. На моделирование поведения каждой комбинации ушло по пять дней. Если бы при моделировании использовался обычный ноутбук, то на расчёты учёным пришлось бы потратить 700 лет"
Жаль, что непонятно: на каждую комбинацию пришлось бы потратить 700 лет или на все 50? А так бы можно было "влоб" сравнить вычислительную мощность Blue Gene и сегодняшних ноутбуков
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.01.2006 Откуда: Минск
хм. начали про успехи амд и айбиэм, а закончили про то что интел "то же может быть, возможно, можно претположить не удалено" ))) Отредактировано модератором: --Vel--. Дата: 27.02.2007 15:22
_________________ У одних нефанатов рожи позеленели, у других рожи посинели. И только у правильных нефанатов рожи красные и довольные.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.11.2005 Откуда: Новосибирск
Дык вроде про диэлектрики с гафнием ибм уже не один год пишет, и не только она (и интел тоже). А если есть реальная алтернатива гафнию, то почему в новости о ней не упомянули?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.05.2006 Откуда: Мариуполь, Ua
Не статья а бред. Автор абсолютно не владеет темой. "Металлический затвор" (а какой он еще бывает???), "Диоксид гафния в качестве диэлектрика" (если че, то диэлектрик там SiO2+HfO2, причем последнего совсем чуть-чуть), "300мм кремниевые пластины" (А что, сейчас (да и уже много лет) применяются где-то другие???).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.11.2005 Откуда: Новосибирск
Цитата:
Не статья а бред. Автор абсолютно не владеет темой. "Металлический затвор" (а какой он еще бывает???), "Диоксид гафния в качестве диэлектрика" (если че, то диэлектрик там SiO2+HfO2, причем последнего совсем чуть-чуть)
Затвор ещё бывает из поликремния - там где нет гафния. А никто и не говорил о том, что прямо на кремнии лежит диоксид гафния (может по таму, что не знал). А его там совсем чуть-чуть потому, что он high-k.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.05.2006 Откуда: Мариуполь, Ua
Aartem писал(а):
Цитата: Не статья а бред. Автор абсолютно не владеет темой. "Металлический затвор" (а какой он еще бывает???), "Диоксид гафния в качестве диэлектрика" (если че, то диэлектрик там SiO2+HfO2, причем последнего совсем чуть-чуть)
Затвор ещё бывает из поликремния - там где нет гафния. А никто и не говорил о том, что прямо на кремнии лежит диоксид гафния (может по таму, что не знал). А его там совсем чуть-чуть потому, что он high-k.
Затвор? Из поликремния? А как же МДП-структура полевиков? И какова же проводимость у поликремния что он может заменить собой МЕТАЛЛ?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.11.2005 Откуда: Новосибирск
KORESHOCHEK писал(а):
Затвор? Из поликремния? А как же МДП-структура полевиков? И какова же проводимость у поликремния что он может заменить собой МЕТАЛЛ?
А зачем полевому электроду иметь проводимость как у металла? С МДП-структурой всё впорядке, но КМОП технология сегодня имеет свои особенности. А поликремний легируют и доводят его проводимость до необходимой.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.05.2006 Откуда: Мариуполь, Ua
Aartem писал(а):
А зачем полевому электроду иметь проводимость как у металла?
Для того, чтобы можно было к электроду припаять (понятно, что не в прямом смысле) контакт и не бояться того, что заряд будет распределен неравномерно по площади электрода
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.11.2005 Откуда: Новосибирск
KORESHOCHEK писал(а):
Для того, чтобы можно было к электроду припаять (понятно, что не в прямом смысле) контакт и не бояться того, что заряд будет распределен неравномерно по площади электрод
Ну Вы и даёте ребята:lol::lol::lol::lol:. Ну и даёте:lol::lol::lol::lol:. Архитекторы чипов вскакивают в холодном поту по ночам от страха за сотни миллионов транзисторов, изготовленных по 90нм технологии - а равномерно ли там распределяется заряд по полевому электроду???:lol::lol::lol::lol::lol:
:haha::haha:
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.05.2006 Откуда: Мариуполь, Ua
Aartem писал(а):
Ну Вы и даёте ребята:lol:. Ну и даёте:lol:. Архитекторы чипов вскакивают в холодном поту по ночам от страха за сотни миллионов транзисторов, изготовленных по 90нм технологии - а равномерно ли там распределяется заряд по полевому электроду???
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.11.2005 Откуда: Новосибирск
Да. Пускай я дурачина, но от этого не менее смешно. Поликремний это не диэлектрик, а если его ещё залегировать, то уже почти металл. Однако архитекторов больше беспокоит проблема различия порогового напряжения на затворах КМОП ячейки, раньше они её решали разными легирующими примесями для поликремниевого затвора, а теперь, наверное что-то с металлом делать будут, или разные металлы применять, или силицидировать, в общем надо уравнять работу выхода. А метал на гафнии - это не от хорошей жизни - просто оксид гафния оказался весьма химически активным по отношнию к поликремниевому затвору и пришлось вернуться к металлическому электроду.
Уважаемый корешок, ну про это же даже на ителе пишут.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 20
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения