Часовой пояс: UTC + 3 часа




Форум закрыт Новая тема / Эта тема закрыта, вы не можете редактировать и оставлять сообщения в ней. Закрыто  Сообщений: 7 
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
 
Прилепленное (важное) сообщение

роБОТяга
Статус: Не в сети
Регистрация: 05.07.2005
Ждём Ваших отзывов о материале.
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!



Партнер
 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 02.02.2007
Откуда: Казахстан
про НВ не знаю, сейчас даже нет 65нм образцовв видеочипов. Конечно для мобилных устройств это очень нужно.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 23.11.2006
Не нато упирают. У ЮМС хороший опыт в освоении промежуточных процессов, путём тупоко уменьшения литографии, без переделки топологи. Если б он к осени (пускай и поздней) освоили К10 по 55нормам, это было б существенное подспорье АМДям явно не успеющих, даже к обещанным срокам, освоить 45 нормы. Даже без наворотов с SOI они должны быть близки по скорости к 65 АМДишным и сущетвенно дешевле.
Добавлено спустя 3 минуты, 8 секунд
Me4tatelI> писал(а):
про НВ не знаю, сейчас даже нет 65нм образцовв видеочипов. Конечно для мобилных устройств это очень нужно.

Не забывай про площадь современных видюх. Их очень тяжело освоить. Кашки проще.


 

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 19.04.2007
Откуда: Russia, Irkutsk
Если не секрет, то что такое "SOI" ?


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 23.11.2006
"Как пояснил в интервью сайту EE Times глава UMC господин Джексон Ху (Jackson Hu), эта компания изучает возможность производства центральных процессоров по 65 нм и 45 нм технологическим нормам". Так сложилось, что я занимался освоением прозводства некоторых чипов. Скажу, прямо, перевести один кристал на другой тех процесс гимор ещё тот. Даже если элементные библиотеки совпадают (что совсем не факт в данном случае). Толи такой прогресс топологического ПО за последнее время (что сомнитель), толи это будет по сути другой кристал, совметимый лишь на уровне вентелей или элементов. А это значит частотные характеристи много хуже, но и это же значит, что на 55 без проблем (а про это писано выше).
SOI что не лезть в техподробности - технология существенно уменшающая токи утечки.


 

[rus]Izvinyaus za[/rus] offtopic
SOI = Silicon on Insulator
Добавлено спустя 2 минуты
SOI [rus] kratko: Tranzistory proizvodyatsya na ostrovkah kremniya, pod kotorymi sploshnoi sloy isolyatora (oksida)[/rus][rus]Klassicheskiy[/rus] CMOS [rus]ispolzuet sploshnoy kremnievyi sloy a dlya isolirovaniya, mezhdu tranzistorami vyrashivaetsya oksidnaya podushka (tehnologiya[/rus] LOCOS -Local oxidation) [rus]ili zapolnyaetsya oksidom kanal [/rus](STI - shalow trench isolation).


Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Форум закрыт Новая тема / Эта тема закрыта, вы не можете редактировать и оставлять сообщения в ней. Закрыто  Сообщений: 7 
-

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 26


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  
Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan