>Параметр "DRAM Refresh Mode" ... Здесь все источники сходятся в одном: "чем ниже этот период, тем быстрее система и выше производительность".

Все источники должны утверждать прямо обратное - чем больше период - тем лучше. Идеал - вообще нет рефреша и мы пользуем SRAM или FeRAM Тестирование это замечательно подтвердило. Но на DRAM зывышать период слишком сильно нельзя - имеется шанс целостность памяти нарушить

... а ты знаешь, через сколько начинает рассыпаться DRAM?
Refresh - дурь какая-то, ее надо выключать на неск. секунд, чтоб матрица посыпалась.
Помнишь Demarsh? .... на том и основан тест.

serj_ Чего, серьезно, современные DRAM по несколько СЕКУНД заряд держат? Дело в том что 15 микросекунд - это стандарт еще с первых PC, насколько я помню.
Не припоминаю ничего. Ты про что говоришь? Расскажи подробнее.

я знал, я знал ...
а google на что?, первая же ссылка: http://www.rass.ru/DeMarsh/AbouDeMarsh.html
привязка к chipset'у жесткая - он выключает refresh и смотрит когда начнет сыпаться.
Очень оригинальная идея, только его тест может показать качество накопительной матрицы, что
означает качество техпроцесса изготовления
.... долго с ним бодался о 'достоверности' ... разошлись на 'никто'.

Я и сам игрался ... оттуда и взялась цифра в несколько секунд.
Хотел вот что - расписать числами большую DRAM долго, думал схалявить
и выключением refresh заливать ее константами .... а когда _и_секунды_
оказалось МАЛО ...

Если заинтересует - напиши автору ... может зарегестрирует chipset, правда на nForce* вряд-ли.
(описаний то нет никаких)

... и еще нужно бы добавить по той-же теме ...
Все сказанное относится к фирменной памяти, НЕ подделке.
Регенерация в DRAM всех типов происходит в 2х случаях:
1) при нормальном чтении и(или) записи.
2) цикле регенерации, что, по сссути, и есть циклическое чтение всех ячеек.
Чтобы память не рассыпалась, надо произвести чтение всей доступной памяти DRAM.
(интересно, а как-же shadow и SMI??)
Это укоренившееся заблуждение, в которое верят даже разработчики софта тестов памяти.
Нет, уже в SDRAM при чтении считывается вся строка целиком. (в DRAM организация RAS/CAS)
Т.е., чтоб информация не разрушалась достаточно сделать по 1 обращению для каждой строки.
Теперь, ЧТО делает процессор? - постоянно читает код программы и иногда читает/пишет данные.
Короче, он только и делает, что регенерирует память ... грубо говоря.
Теперь о 'неприятном' ....
В TM4 я сделал проверку регенерации вовсе не 'просто так'.
Когда ВАМ пихают в face мешок DIMM'ов с 'глючат, а твоя криза ни**я не видит!!' ....
Как я матерился, когда обнаружил, что виновата именно регенерация - накопительная матрица
DRAM сделана некачественно, с слишком большими токами утечки и заряд просто утекал.
Сей дефект проявлялся только тогда, когда процессор долго не обращался к памяти и
восстановление шло только средствами схемы регенерации ... а его скорости
уже не хватало.
Еще что важно ---- скорость утекания заряда черезвычайно сильно ускоряется от прогрева.
Т.е. если 'играетесь' с регенерацией - нужно учитывать прогрев и .... и все, что сказал выше.

Resume:
DeMarsh весьма уникальный тест, жаль что он не развивается .... или я заблуждаюсь???

ALL
Спасибо всем за интересные дополнения и обсуждение.