Мультиметром естественно. Изображение замирает с незначительными артефактами, звук остаётся, через пару секунд зацикливается.. далее сек через 40 БСОД
угу, штук 5 в параллель

В том и проблема, единственное, что приходит на ум, параллелить два 2SK3918, благо их у меня нашлась кучка.
storm85
Дело в том, что импульсы тока в нижнем ключе могут быть несколько больше, чем ток нагрузки.. да и 8 микросхем памяти синхронно могут давать такие броски тока..

Сейчас нет желания снимать ватерблок и ковырять видяху, но как только появится (вдруг поиграть в марки захочу), займусь вживлением пары 2SK3918. Других вариантов малой кровью не нахожу (мечты с внешним стабелем пока так ими и остаются).

Вообще странно, что без разгона это происходит. У меня в своё время иначе было. Я просто блэкскрин получал (был вольтмод и разгон), мультиком не мог засечь момент срабатывания защиты (по идеи и правильно и не должен был засекать). Тащить видюху к осциллографу (он не дома) было лень и я тупо мосфеты сменил и успокоился, помню. Может, это память помирает у тебя? . Чего-то не ясно. Чего вообще мультик-то показывает? Чего прям реально видно, что ключи закрылись?
Добавлено спустя 6 минут, 44 секунды

Ну попробуй, только чего-то я чую это не поможет . Но поиграться-то можно всёравно, чегоб не поиграться-то...

Напряжение падает до 0,1В, т.е. стабилизатор вырубается. Смысла на осциле глядеть нет

Гигабайт намудрили чего-то нехорошего, такое у многих владельцев этой карты замечено.

Небольшой ликбез персонально для vital_xbc .

Для начала документация, которую вышеозначенный vital_xbc поленился почитать:
2SK3919 (167кБ)
IPD06N03LA (378кБ)
AF70N02 (508кБ)

vital_xbc писал(а):

Нижний мосфет замыкает противо-эдс индукции выходного дросселя на землю и заряжает выходной конденсатор стабилизатора,поэтому ему приходится рассеивать несколько большую мощность чем верхнему(он лишь занимается накачкой дросселя и не более)

В тот момент, когда открыт нижний транзистор полумоста, конденсатор разряжается . Ток в дросселе при этом спадает. Т.е. в данном случае энергия, запасенная в дросселе и конденсаторе, отдается в нагрузку.
В тот момент, когда открыт верхний транзистор полумоста, энергия источника используется не только для "накачки" дросселя, но и для зарядки конденсатора, а также запитывания нагрузки. Т.е. в данном случае энергия источника отдается в нагрузку, а также используется для увеличения энергии, запасенной в дросселе и конденсаторе.

vital_xbc писал(а):

и имп. токи также могут существенно превышать

Если я правильно понял фразу, то должно звучать так: и имп. токи также могут существенно превышать [ток нагрузки]
Так вот, если импульсные токи в понижающем преобразователе будут существенно превышать ток нагрузки, то будут иметь место большие пульсации напряжения нагрузки. Если бы vital_xbc читал бы документацию на ШИМ-контроллеры для понижающих преобразователей, то мог бы заметить, что амплитуда пульсаций тока дросселя обычно не превышает половины от тока нагрузки. Я выше приводил некоторые данные из документации на NX2305 (рекомендованный коээфициент k=0,2-0,4).

vital_xbc писал(а):

Время включения нижнего плеча а соотв. и емкость тоже очень важны,иначе на дросселе напряг за это время возрастет так что пронесет этот мосфет и кинет в 12В помеху под 30-50В на несколько мкс что тоже чревато.

Если еще бы vital_xbc учитывал полярность эдс самоиндукции, то было бы замечательно . К сожалению, vital_xbc видимо прогуливал физику. Параллельно нижнему транзистору (т.е. управляемому ключу) используется диод (т.е. неуправляемый ключ), благодаря этому ничего страшного не происходит. Здесь было бы уместно вспомнить классическую схему понижающего преобразователя с одним транзистором .

vital_xbc писал(а):

Поэтому в нижнем плече при частотах шим порядка 100-250кгц никогда не используют мосфеты с диодами,они там во-первых не нужны а во-вторых даже вредны.

Читайте документацию и не будете утверждать подобный бред.

Вывод
IMHO vital_xbc не понимает процессов, происходящих в понижающем преобразователе, и при этом пытается давать советы. Причем это осложняется нежеланием vital_xbc читать документацию (или понимать ее ).
Это можно классифицировать как п.3.1 Правил, причем в форуме, который очень критичен к подобным нарушениям.

От ошибок никто не застрахован. LAV48.

Нет, там стоят "паразитные диоды". И в даташитах даны параметры этих диодов, параметров динисторов я там не узрел, а именно Uвкл и т.д, Зато узрел:

Reverse Diode*

Diode continous forward current
Diode pulse current
Diode forward voltage
Reverse recovery charge

Прошу заметить, что в каждом даташите написано "Diode" и нарисован диод, динистор имеет иное обозначение и т.д. И по технологии производства MOSFET мне не встречались динисторы паразитные. Не знаю, может я таки не внимательно читаю, как-то .

Ещё в далёком 2005г подобное юзали и мечтали о элементах с лучшими характеристиками, уже 2008 год всётаки . И к тому же у LAV48 стоят транзисторы у которых RDS(on) = 5.6 mΩ, он и попросил подобрать с меньшим сопротивлением и смысл ему тогда их менять на 6 mΩ. Суть разговора-то в том и была.

maco
Почитал Ваши с vital_xbc посты и вспомнил свои в ветке про замену конденсаторов на видео.
Своё мнение я тогда менял дважды, сначала на ложное , потом на первоначальное
Давайте эту теорию обособим несколькими граничными условиями:
1) Ток (средний) через нижний ключ выше (думаю все это понимают как с практической, так и с теоретической точек зрения).
2) Отрытому ключу направление тока фиолетово (на этом я прошлый раз попался)
3) Ток на нагрузке непрерывен (т.е. он постоянный (отбросим пульсации обусловленные динамикой нагрузки) и без существенных пульсаций напряжения)

А может стоит посчитать, какая часть энергии уходит в нагрузку при открытом верхнем ключе? ИМХО, это менее 1/20 (5%) от потребляемой нагрузкой мощности, основной ток обеспечивает дроссель

Ммм.. и всё так и стоит 0,1V, или потом появляется, но видюшка не заводится просто, соответственно? [просто любопытно, собираю информацию для размышления]

LAV48
По пунктам условий возражений не имею .
По оценке - в относительных единицах грубо можно оценить следующим образом: Uвых/Uвх отдается нагрузке (с конденсатором), а 1-(Uвых/Uвх) отдается дросселю. Т.е. сильно зависит от соотношения Uвых/Uвх.

Угу, до ресета.. Эти 0,1В видимо с контроллера памяти набегают.

maco писал(а):

По оценке

Uвых/Uвх при 1,8 и 12 В соответственно имеем 0,15 а теперь прикиним соотношение сопротивления нагрузки с ёмкостью Мне или кажется, или я сильно приувеличел сказав 5%
Дело в том, что формулы в даташитах показывают слишком упрощённый выбор номиналов элементов, по принципу "чтоб не сгорело".. А в реальности оказываются такие страсти, что у некоторых карты в номинале глючат

В момент в лючения питания шим контроллер отрабатывает сброс и подает на затвор верхнего плеча напряжение для включения (обычно 4.5 либо 10В),мосфет открывается и начинается накачка дросселя,в данный момент ток через него не течет из-за его индуктивности,потом как только на выходном конденсаторе напряжение досгло очередной величины и ток через нагрузку тоже,верхнее плечо закрывается и в этот момент открывается нижнее плечо (напряжение на затвор его подается с как прави с опережением в несколько мкс),в этот момент противо-эдс имеет со стороны плеч знак "-" а к конденсатору и нагрузке "+"и начинется зарядка конденсатора через открытое нижнее плечо с дросселя,как только напряжение на конденсаторе достигнет необходимого уровня нижнее плечо закрывается,в это время происходит дальнейшая отдача оствшейся части энергии дросселя через обратный диод сток-исток верхнего плеча и источник питания, затем при открытии верхнего плеча начинается новая накачка дросселя как только конденсатор разрядится в нагрузку на определенного заданного гистеризисом триггера значения.Регулировка выходного напряжения происходит за счет изменения скважности открытия в основном верхнего плеча.Чем сильнее начакивается дроссель тем больше выходное напряжение.Без диода же в верхнем плече (если в нижнем его нет) произойдет пробой структыры от превышения макс. напряжения.Причем допускается обратное подключение плеч(т.е. снизу с диодом сверху без) как и с 2мя диодами,в принципе ничего не изменится,изменится лишь путь противо-эдс при отдаче энергии после закрытия нижнего плеча.Но без диодов естественно произойдет пробой.
Добавлено спустя 33 минуты, 53 секунды
Уважаемый MACO, Ваши утверждеения верны в случае если вместо дросселя поставить диод Шотки на какой там тогда дроссель и нижний транзистор?
Вы приводите типичную схему работы ИМПУЛЬСНОГО СТАБИЛИЗАТОРА.
В данном случае мы имеем преобразователь и активным элементом передачи энергии является именно дроссель,а конденсатор кроме как сглаживанием пульсаций выходного напряжения ничем не занимается и его емкость можно варьировать в широких пределах в отличии от дросселя.
Освежите свои знания и перестаньте заблуждаться и заблуждать народ находящийся в данной ветке.
Добавлено спустя 27 минут, 5 секунд
Кстати,важное дополнение: все описанное происходит в момент включения,в дальнейшем процесс проиходит проще: накачка дросселя происходит через верхнее плечо и зарядка конденсатора противо-эдс только через нижнее и немного в момент накачки дросселя(зависит от его дрбротности и нагрузки).В дальнейшем при увеличении нагрузки также происходит "тройной" заряд конденсатора.При стабилизации нагрузки только двойной,а при уменьшении одинарный.
Соответственно опасность пробоя существует только в течение нескольких периодов в момент включения и увеличения нагрузки.
Добавлено спустя 2 часа, 15 минут, 32 секунды
Кстати посмотрел еще внимательней даташиты....у 06N03LA и 70HN02L стоят защитные элементы на подобие двухсторонних стабилитронов с напряжением срабатывания около 30В.
Лично проверял мультиметром 06N03LA что пока затвор не зарядишь ток они не пропускают ни в каком направлении, если же подключить через резистор сопротивлением с 1К к источнику регулируемого напряжения 0-35В то при достижении 30В начинает течь ток через него в закрытом состоянии и стабилизируется на уровне 30-31В вне зависимости какое подать, а вот если стоит диод как на 70N02 то в обратную напряжение падения около 550-600мВ а в прямую не пробовал подавать 0-35В,жалко пробить структуру .

Существует достаточно много импульсных преобразователей . Если взять импульсные преобразователи постоянного напряжения в постоянное с широтно-импульсной модуляцией, то можно выделить несколько характерных схем, которые состоят из следующих элементов: управляемый ключ, неуправляемый ключ (как вариант управляемый ключ с параллельным включением неуправляемого ключа), дроссель, конденсатор. В результате различного соединения этих элементов можно получить понижающий ШИП, повышающий ШИП и полярно-инвертирующий ШИП:
#77
Общий провод во всех схемах является точкой подключения отрицательного потециала источника питания.
Почитать можно здесь, а можно в учебнике по электронике и схемотехнике.
В данном случае используется понижающий ШИП.


Интересное изменение собственного мнения .

Интересно, как может открыться диод, параллельный верхнему транзистору в полумосте (верхний диод), когда к средней точке полумоста приложен "-" противоэдс дросселя, а "+" к нагрузке ? Т.е. к аноду верхнего диода приложено напряжение (Uвых-Eд), а к катоду Uвх, причем Uвх>Uвых .
Я утверждаю, что обязательным является наличие нижнего диода для случая нагрузки, которая не может рекуперировать энергию в источник (в данном конкретном случае это микросхемы памяти и цепи, связанные с контроллером памяти в видерпрцессоре). Если же нагрузка может рекуперировать энергию в источник, то становится необходимым наличие верхнего диода. Но в данном случае нагрузка не способна на это .

В данном случае понятия "тройной", "двойной", "одинарный" являются бредом. Если vital_xbc утверждает, что регулирование производится по релейному закону (т.е. с петлей гистерезиса по срабатыванию), то это тоже бред. В документации NX2305, например, достаточно четко сказано о том, что применяется ПИ-регулятор.

И где именно вы их увидели? В какой цепи?

Откровенный бред и ложь . Могу утверждать, что в полевом транзисторе IPD06N03LA, который маркируется символами 06N03LA присутствует внутренний силовой диод, анод которого подключен к истоку, а катод - к стоку транзистора. Т.е. при закрытом транзисторе можно наблюдать эффект открытого p-n перехода, приложив "+" к истоку, а "-" к стоку (напряжение около 500-550 мВ).

vital_xbc
Как Вы себе представляете полевой транзистор без паразитного диода? Диод есть всегда, только в некоторых случаях используется специально добавленный диод Шотки, для снижения нагрева структуры при обратном токе в закрытом ключе.
Микроэлектронику подучить!

Ну как так-то, то там динисторы, то вообще нет ничего, то в одном есть в другом нет . Речь идёт про MOSFET_ы данный диод обусловлен технологическими процессами производства. И он есть и в 06N03LA, так же как и в 70N02 соответственно. Смотрите внимательно вот он:
#77
Не знаю про, что Вы говорите именно.

vital_xbc
Просто банально прозвоните сток-исток отпаенного мосфета мультиметром и узрите этот диод, соотвественно.
З.Ы: Никто не пытается Вас в чём-то упрекнуть или обидеть, но Вы неправильно говорите и доказываете обратное, вот "народ" и сердится. Тут так не принято, если кто-то из нас ошибается, то всегда признаёт свои ошибки. Чем это Вы лучше нас в этом плане, не знаю.. поймёте или нет про что я

Кстати,противо-эдс действительно может складываться с источником
Отредактировано модератором: LAV48. Дата: 04.08.2008 23:14

Безусловно. Я бы даже сказал не "немного", а с запасом как минимум раза в 1.5-2. Производитель тоже не дурак, знает при каких условиях порой должны трудиться его карточки и что с ними делают клокеры.

Не вопрос! Пусть реальный пик токопотребления равен 1.3Idc. Коли уж LAV48 не посчитал нужным ответить на мои вопросы, обратимся к datasheet на какую-нибудь память Hynix DDR-III 1400. При Burst Read в даташите указаны цифры порядка 600мА. Возьмем с запасом - 700мА. Таким образом максимальное токопотребление 700мА*8шт*1.3=7.28А. Т.е. даже с запасом имеем ток защиты в 3 с лишним раза больше максимально возможного.

Все-таки у вас 8 микросхем памяти! Это уже кое-какая информация! Я собственно привожу все рассчеты именно для самого плохого случая - когда все 8 микросхем одномоментно начинают выполнять операцию, которая дает максимальное токопотребление (Burst Read). Можете проверить по любому даташиту

На чем основаны ваши доводы?
Давайте, чтобы не возникало лишних вопросов определимся о каких Uвх и Uвых идет речь: мгновенных или средних значениях постоянной составляющей, или гармонических составляющих???

Напоминаю для тех, кто забыл или забил на физику, что в реактивных элементах (индуктивностях, емкостях) запасается реактивная энергия, обусловленная наличием переменных составляющих тока. А то сейчас некоторые начнут выводить формулы, считать энергию, запасенную в дросселе и электролитах и пихать туда без разбора постоянный ток.

(напряжения).
Лишний повод задуматься, почему контроллер после якобы ухода в защиту, когда токопотребление спадает до допустимого уровня, не производит повторный soft-start?
Я все же склоняюсь, что сам контроллер работает не в режиме или кто-то чего-то недоговаривает (например о прочих изменениях внесенных в схему).

storm85
Моя грубая оценка строится на постоянных составляющих входного и выходного напряжения преобразователя.
Кстати, понятие "реактивная энергия" имеет смысл при условии наличия периодических колебаний. Если ведется оценка энергии на временнЫх промежутках, меньших, чем период колебаний, то о "реактивной энергии" нельзя говорить.

Еще вопрос - есть ли информация о том, сколько потребляет контроллер памяти?

Прикольно.
Ток обоих ключей одинаков. О "среднем" токе говорить принципиально неправильно. Только средняя мощность. Уровень тока 0А записывать в пульсации?
У импульсного стабилилизатора весьма небольшой динамический диапозон, легко сваливается в разрывный ток дросселя. Кстати, преобразователь может работать в двух режимах - обычном ШИМ или ... забыл название, склероз, а искать лень в импульсном режиме а-ля дельта-модуляция, когда закрывание одного ключа не означает обязательное открывание противоположного. И зря-с!
В сбалансированном конвертере пульсации тока 30-50%. При попытке увеличить индуктивность растет энергия в индуктивности которую конвертер не сможет погасить и при резком сбросе нагрузки будет 'привет чипу'.

maco, zener есть. Не слишком хороший, увы. Просто кто показывает и декларирует его параметры, а кто нет. Кажется у ST есть цифры. Так-же, как и нижний - если он включится чуть позже и напряжение задерется выше питания. Он, конечно, откроется потом и закоротит паразитный диод, но в энтой пакости успеет накопиться заряд (время включения верхнего мало) и при открывании нижнего ему достанется еще и остаток рассасывания диода.

И по сути - ну, насоветовали.
Оригинальный MOSFET не LL! Поставить LL означает пробить верхний ключ сильным 'сквозняком'. В pdf рекомендуют LL (порог 2.5V), а разработчики нашли таки не_LL, значит не просто так!
Заменить особо нечем, можно взять irf (или уж irfr) в DPAK и впаять один над другим (затворы все-же лучше через резисторы) или обратить внимание на SO-8 (влезает как родной).
Собственно, а зачем мудрить? Напаяй поверх имеющемуся что-то типа 25V 8mOm SO-8.
Боюсь, IRF8252 чип не вытянет, а IRF3717 ..... сложно сказать.

serj
Дык вопрос был в том, что утверждалось, что диода нет . А стабилитроны можно и между затвором и истоком усмотреть.

По поводу открытия верхнего диода при указанных vital_xbc условиях - нереально, тем более в установившемся режиме.

По поводу пульсаций - говорилось о допущении постоянства тока нагрузки.