Добрый день. Есть память m378a1k43bb2-crc 4 штуки * 8 Гб, thaiphoon burner пишет что чипы samsung 1-die, вроде бы это b-die?
мать msi x299 raider, cpu 7800x
разгон ужасен. В 4х канальном режиме память на чтение выдаёт 68, запись 78, копирование 68, латентность 70
частота 3600 МГц, тайминги 17-22-17, CR1, если пробовать двигаться ниже по любому из таймингов - куча ошибок в memtest
напряжение задрал уже до 1.5 вольта контроллера памяти до 1.15
не могу ничего выжать из неё, что делаю не так?
на простеньких micron или hynix удаётся куда лучше и с меньшими частотами

говорят интел не дружит с коммандрейтом 1, поставь его в 2.

первым делом пробовал - эффекта вообще никакого при разгоне

смотри не спали свои "бэдаи". при таком напряжении нагрев должен быть сильный под нагрузкой.

я в курсе, сначала на 1.35 мучил их, при 1.5 чуть чуть стабильнее, но всё равно результат как у какого-нибудь микрона никчёмного
при 1.5 вольта под нагрузкой максимум 55 градусов - не критично

чем мерил? у меня при 1.425 под тестами под 50 градусов, это с радиаторами. правда у меня помещение практически без вентиляции.

именно на твоей связки мать и проц?

измерял пирометром - очень точно


у меня очень много разной памяти и матерей и процов. хочу узнать от опытных разгонятелей - в чём может быть ошибка именно с samsung b-die, так как от всяких micron, hynix и прочего шлака никогда больше ~50 гбайт в секунду не добиться. а я на самсунге и близко к этим результатам подойти не могу

Микрон стабильно дает 50+ ГБ/с на двухканале. На вашей плате с четырехканальным режимом за 100 должно быть.